GaN工艺的PA器件

      某公司发布了一款采用第三代化合物半导体材料和先进的GaN工艺的器件，该器件拥有更高的功率附加效率和增益、更好的线性以及更大的带宽——使得相同的管芯可工作于不同的通信频段。

      一直以来，能耗是5G通信发展中的一大阻碍和挑战，5G基站的射频模块能耗占整个系统能耗的百分之七十（如下图），而和采用LDMOS工艺的PA器件相比，这款PA器件的转化效率在P1dB时，达到了71.07%,相较于LDMOS器件的效率提高了近20%，大大降低了5G基站的能耗。

    

   （射频模块占整个系统能耗的百分之七十）

该器件的的具体参数如下：                                                          

PA Test Type	Class AB
Transistor Type	GaN On SiC
Operating Frequency	1805~2170MHz
Gain	17.5dB
Power Added Efficiency	71.07% @ P1dB
P1dB	49.1dBm
Psat	50.5dBm
Supply	28V

            

该器件在提供更高的功率附加效率的同时，也提供了更好的线性性能，在FDD_LTE_20MHz@PAR9.5dB的信号条件下测试：在没有DPD时，ACLR可以达到-44dBc。