ADS EM仿真中不同Mesh设置的比较

       在ADS仿真中，经常会遇到原理图仿真结果和版图仿真结果有差别的情况。在某些时候，这样的差距还很大，会严重影响电路设计的方向。本文初步比较了EM仿真中Mesh的设置，对仿真结果的影响。

任务目标：设计一款带通滤波器：

插损：<3.5dB@9.5-10.5GHz

带内波动：<1.0dB@9.5-10.5GHz

抑制：>-50dB@6-8GHz，>-40dB@10.5-12GHz

回损：<-15dB@9.5-10.5GHz

基板选择：

根据任务目标，我们选择深圳傲立电子代工的ALS996型号的陶瓷基板，基本参数如图所示：

因为滤波器频率10GHz附近，我们采用加工精度5um的高精度加工工艺，在设计仿真的时候，设置步进为0.005mm：

得到设计的电路原理图及参数如图所示：

仿真结果如图所示，完全满足设计要求：

根据原理图生成版图，如图所示：

根据深圳傲立电子代工的板材，参数选择为ALS996，介电常数9.7，厚度10mil的板材

低密度Mesh仿真：

在EM仿真中，设置Mesh为Cells/Wavelength的值为10，如图所示：

这样，版图里面的Mesh就会自动生成，如图所示：

经过Adaptive仿真，得到结果，如图所示：

高密度Mesh仿真：

设置Mesh Frequency为10GHz，设置Cells/Wavelength的值为50，并勾选Edge Mesh，如图所示：

这样，版图里面的Mesh就会自动生成。Mesh的网格密度明显增大，在微带线边缘处也有Mesh网格划分。如图所示：

经过Adaptive仿真，得到结果，如图所示：

把上述的原理图，低密度Mesh仿真，和高密度Mesh的仿真结果进行对比，红色的曲线是原理图仿真，蓝色的曲线是低密度Mesh仿真，绿色的曲线是高密度Mesh + Edge Mesh的仿真。

可以看到，高密度Mesh + Edge Mesh的仿真结果，和原理图仿真更加接近，如图所示：

修改坐标的范围，可以更加清晰的对比三条曲线的差异，如图所示：

感兴趣的同学，也可以仿真一下Cells/Wavelength的值为10时，勾选Edge Mesh的情形；以Cells/Wavelength的值为50时，不勾选Edge Mesh的情形。比较一下，是Mesh密度对仿真结果的影响更大，还是Edge效应的影响更大。

最后，也是最重要的，我们回到原理图设计，将仿真精度下调到50um。这个精度接近普通薄膜陶瓷工艺的常用设计精度。

插损3.25dB，回波损耗-14.4dB，带外抑制-39.6dB@12GHz均不满足设计要求。

和之前5um的精度下的设计的对比：

修改坐标的范围，可以更加清晰的对比不同精度条件下曲线的差异，如图所示：

考虑到版图加工后，电路性能还会有所下降。因此，采用高精度工艺设计和加工，能够带来的性能提升是显而易见的。

如果希望采用本文推荐的ALS996陶瓷基板，及5um的高精度工艺加工射频电路，请

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