中文资料MMBT4403LT1G 三极管

MMBT4403LT1G
规格信息：

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V

集电极—基极电压 VCBO:- 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:- 0.75 V

最大直流电集电极电流:0.6 A

增益带宽产品fT:200 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MMBT4403L

高度:0.94 mm

长度:2.9 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:1.3 mm

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:- 0.6 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:30

Pd-功率耗散:225 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

 
1. 低导通电阻：MMBT4403LT1G的典型导通电阻仅为40mΩ，能够实现高效能的电源转换和信号开关。
 
2. 快速开关速度：该MOSFET的开关速度非常快，典型的开关时间为10ns，适用于高频开关应用。
 
3. 小型封装：MMBT4403LT1G采用小型SOT-23封装，尺寸仅为6引脚，非常适合在有限空间内使用。
 
4. 高工作温度范围：该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于恶劣环境下的应用。
 
5. 高稳定性：MMBT4403LT1G具有良好的稳定性和可靠性，能够在恶劣的电磁环境中稳定工作。
 
总之，MMBT4403LT1G是一款高性能、低功耗的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源转换、信号开关和其他电子设备中的高频开关系统。

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