中文资料AOD4185 P沟道MOS管

AOD4185
规格信息：

系列：AOD

FET类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：40A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：55nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：2550pF @ 20V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），62.5W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：15 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63

封装形式Package：DPAK

极性Polarity：P-CH

漏源极击穿电压VDSS：40V

连续漏极电流ID：50A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

1. 类型：肖特基二极管 
2. 最大整流电流（IFSM）：20A 
3. 最大反向电压（VR）：100V 
4. 最小正向电压降（VF）：0.45V @ 10A 
5. 工作温度范围：-55°C 至 +150°C 
6. 封装形式：TO-252-3L（DPAK）、TO-220-3L（TO-220FP）
 
AOD4185 可用于多种应用，如电源管理、开关稳压器、电机驱动器等。其低功耗和高速开关特性使其在需要高效、快速切换的电路中非常有用。

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