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6.分配一个独立的Block专门存储标定数据，这样数据和程序可以独立刷新，提高刷新速度。数据区和程序区地址也要连续，但是数据区的空间不需要太大，不要占用程序区空间。所以L4用作数据区，L5~H1用作程序区。
二、Flash出错处理：
程序运行正在擦除Flash过程中（比如刷新阶段擦除，NVram切换Block擦除）突然断电，会造成擦除块数据异常，在UDE里显示数据紊乱。之后如果读取异常块的数（不读没关系），CPU会触发一个Trap然后PC复位。因此，需要在Boot或App程序初始化完后首先监控Flash状态，如果发现异常，要立即清除异常的Nvram Block。防止主程序运行后从坏的EEPROM里读取数据复位。监控方法如下：如果MCR寄存器EER置位，则读ADR寄存内容，它保存了第一个异常Block的第一个异常数据的地址，然后擦除ADR保存的地址所在的Block。擦除完一个Block后可以主动复位，程序重新运行继续检查，直到EER不再置位。
三、Flash擦除：
1.擦实际是把Bit从0->1的操作
- Flash只能以Block为单位擦除，Block Size越大，擦除时间越长。但也不是同Size成正比例关系。测试结果如下：
L1_16K 擦除时间_336ms
L2_64K 擦除时间_474ms
H0_256K擦除时间_1200ms
四、Flash写：
1.写实际是把Bit从1->0的操作，而不能从0->1
2.每次写4个字（16字节，128Bit）单位
3.使用ECC机制，在一次写失败的时候，可以不擦除重新写一次。这在写EEPROM时很有用。
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