【常用传感器】DS18B20温度传感器原理详解及例程代码_ds18b20温度传感器工作原理

最新推荐文章于 2025-03-22 21:15:28 发布

2401_85012481

最新推荐文章于 2025-03-22 21:15:28 发布

阅读量1.5k

点赞数 8

分类专栏：程序员文章标签：物联网嵌入式硬件学习

本文链接：https://blog.csdn.net/2401_85012481/article/details/138878963

版权

既有适合小白学习的零基础资料，也有适合3年以上经验的小伙伴深入学习提升的进阶课程，涵盖了95%以上物联网嵌入式知识点，真正体系化！

由于文件比较多，这里只是将部分目录截图出来，全套包含大厂面经、学习笔记、源码讲义、实战项目、大纲路线、电子书籍、讲解视频，并且后续会持续更新

如果你需要这些资料，可以戳这里获取

4.DS18B20拉低电平60~240us之后，会释放总线。

代码如下:

/\*\*\*\*\*初始化DS18B20\*\*\*\*\*/
unsigned int Init\_DS18B20(void)
{
  unsigned int x=0;
  DQ = 1;      //DQ复位
  delay(4);    //稍做延时
  DQ = 0;      //单片机将DQ拉低
  delay(60);   //精确延时，大于480us
  DQ = 1;      //拉高总线
  delay(8);
  x = DQ;      //稍做延时后，如果x=0则初始化成功，x=1则初始化失败
  delay(4);
  return x;
}

2.写时序

总线控制器通过控制单总线高低电平持续时间从而把逻辑1或0写DS18B20中。每次只传输1位数据

单片机想要给DS18B20写入一个0时，需要将单片机引脚拉低，保持低电平时间要在60~120us之间，然后释放总线
单片机想要给DS18B20写入一个1时，需要将单片机引脚拉低，拉低时间需要大于1us，然后在15us内拉高总线.

在写时序起始后15μs到60μs期间，DS18B20处于采样单总线电平状态。如果在此期间总线为高电平，则向DS18B20写入1;如果总线为低电平，则向DSl8B20写入0。

注意：2次写周期之间至少间隔1us

在这里插入图片描述

/\*\*\*\*\*写一个字节\*\*\*\*\*/
void WriteOneChar(unsigned char dat)
{
  unsigned char i=0;
  for (i=8; i>0; i--)
  {
    DQ = 0;
    DQ = dat&0x01;  //与1按位与运算，dat最低位为1时DQ总线为1，dat最低位为0时DQ总线为0
	delay(4);
    DQ = 1;
    dat>>=1;
  }
  delay(4);
}