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需要这些体系化资料的朋友，可以加我V获取：vip1024c （备注嵌入式）
V
V - =
0
0
0 ,
i
i
i+ =
i
i
i- =
0
0
0 , 于是
令
R
R
R11 =
5
K
5K
5K ,
R
R
R10 =
5
K
5K
5K,
R
R
R12 =
5
K
5K
5K ,故而
V
V
Vo =
−
（
-（
−（
V
V
V1
V
+V
+V2
）
）
） ,仿真波形如下
蓝色曲线代表
V
V
V1，红色曲线代表
V
V
V2，绿色曲线代表
V
V
Vo，在峰值处采样，可以看出和的关系。
差分放大电路
**注：
V
V+
V+ 表示运算放大器同相输入端输入电压，
V
−
V-
V− 表示运算放大器反相输入端输入电压，
V
V
V1 与
V
V
V2表示信号输入电压，
V
o
Vo
Vo表示信号输出电压，输入信号
V
V
V1 用蓝色曲线表示，对应通道
B
B
B，输入信号
V
V
V2 用红色曲线表示，对应通道
C
C
C,输出信号
V
V
Vo用绿色曲线表示，对应通道
A
A
A。**
V
V
V1 与
V
V
V2 分别为峰值
6
v
6v
6v与
2
v
2v
2v的正弦波。
同理，
V
V
V+ =
V
V
V - ,
i
i
i+ =
i
i
i- =
0
0
0 , 于是
令
R
R
R10 =
R
R
R11 =
R
R
R12=
R
R
R13 =
5
K
5K
5K ,故而
V
V
Vo =
V
V
V1
−
V
-V
−V2 ,仿真波形如下
蓝色曲线代表
V
V
V1，红色曲线代表
V
V
V2，绿色曲线代表
V
V
Vo，在峰值处采样，可以看出差的关系。
令
R
R
R11=
R
R
R13 =
10
K
10K
10K ,
R
R
R10 =
R
R
R12=
5
K
5K
5K ,故而
V
V
Vo =
2
(
V
2(V
2(V1
−
V
-V
−V2
)
)
) ,仿真波形如下
蓝色曲线代表
V
V
V1，红色曲线代表
V
V
V2，绿色曲线代表
V
V
Vo，在峰值处采样，可以看出差的
2
2
2倍关系。
积分电路
**注：
V
V+
V+ 表示运算放大器同相输入端输入电压，
V
−
V-
V− 表示运算放大器反相输入端输入电压，
V
i
Vi
Vi表示信号输入电压，用红色曲线表示，对应通道
B
B
B，
V
o
Vo
Vo表示信号输出电压，用绿色曲线表示，对应通道
A
A
A。**
同理，因为虚断和虚短，因此
V
V
V+ =
V
V
V - =
0
0
0,
i
i
i+ =
i
i
i- =
0
0
0 ,于是
输入为占空比
50
50
50% 的方波，幅值为
1
v
1v
1v，令
R
R
R10 =
100
K
100K
100K,
C
C
C6=
1
n
f
1nf
1nf,即
输出波形如下
在
176.136
u
s
176.136us
176.136us时，输入的方波信号由
1
v
+1v
+1v跳至
−
1
v
-1v
−1v，有
与上图中输出电压
V
V
Vo =
−
1.762
v
-1.762v
−1.762v相吻合。
微分电路
同理，因为虚断和虚短，因此
V
V
V+ =
V
V
V - =
0
0
0,
i
i
i+ =
i
i
i- =
0
0
0 ,于是
输入频率为
1
k
H
z
1kHz
1kHz的正弦波，幅值为
1
v
1v
1v，令
R
R
R10 =
80
K
80K
80K,
C
C
C6=
26
n
f
26nf
26nf,输出波形如下
选取其中一段，如下图所示
蓝线表示从此时开始，即输入的正弦波电压为
0
0
0，在黄线处截止，共运行
121.591
u
s
121.591us
121.591us,其中红线表示
V
V
Vi,绿线表示
V
V
Vo,有
通过上述计算，基本与示波器显示的
−
9.553
v
-9.553v
−9.553v相吻合。
三极管放大电路
电压放大倍数
A
A
Av
我们从一个最简单的放大电路开始，如下图
先假设该电路工作在理想状态下，即静态工作点合理。于是由交流输入电压
V
V
Vi引起的
I
I
Ie的交流变化为
则
V
V
Vc的交流变化为
在三极管放大电路中，由于基极电流
I
I
Ib很小，故而可近似认为集电极电流等于发射级电流，即
I
I
Ic =
I
I
Ie，所以他们的单位时间的变化量也可近似认为相等，即
所以
最终输出的电压
V
V
Vo是集电极电压
V
V
Vc经过退藕电容
C
C
C5后得到的电压，也就是说
V
V
Vo就是集电极电压
V
V
Vc减去直流分量，也就是
V
V
Vc变化的部分，即
那么该电路的交流电压反相放大倍数
A
A
Av为
故而可以认为电压反相放大倍数是
R
R
R6与
R
R
R9的比值决定的。
设计放大电路
设
V
c
c
Vcc
Vcc=
15
v
15v
15v,
V
V
Vbe表示三极管基级-发射极电压,
V
V
Vbe
=
0.7
v
=0.7v
=0.7v，
V
V
Vbmin表示基级最低电压，
V
V
Vbmax表示基级最高电压，
V
V
Vimax表示输入信号的最高电压，
k
k
k表示电压放大倍数，这里取
k
=
5
k=5
k=5,即设计一个电压反相放大倍数为5倍的放大电路，可得如下条件
可得
于是可得到一个输入信号
V
V
Vi峰值范围最大的静态工作点
V
V
Vb为
可得输入信号
V
V
Vi最大峰值
V
V
Vimax为
带入参数，可得
通过上述计算，得到了基级电压，那么
R
R
R7
:
:
:
R
R
R8
=
13.1
:
1.9
=13.1 : 1.9
=13.1:1.9,可使
R
R
R7
=
131
k
=131k
=131k,
R
R
R8
=
19
k
=19k
=19k,因为
k
=
5
k=5
k=5,即
R
R
R6
/
/
/
R
R
R9
=
5
=5
=5，可使
R
R
R6
=
10
k
=10k
=10k,
R
R
R9
=
2
k
=2k
=2k，如下图所示
输入信号
V
V
Vi为峰值
100
m
v
100mv
100mv频率
1
k
h
z
1khz
1khz的正弦波，仿真波形如下
红色曲线表示输入信号
V
V
Vi，对应通道
B
B
B,绿色曲线表示输出信号
V
V
Vo，对应通道
A
A
A,在峰值处采样，如上图红框中的数据，可得出输出信号
V
V
Vo被反相放大
5
5
5倍。
提高放大倍数
在上面的叙述中，可知交流信号的放大倍数与集电极电阻和发射极电阻的比值有关，如果要改动放大倍数，则必须改动静态工作点，那么偏置电阻也要改动，这就是说要重新设计一个电路，这样不符合实际某些要求，我们将电路做如下改动
在无信号输入情况下，该电路的发射极电阻为
R
R
R9与
R
R
R10的和，当有信号输入时，电阻
R
R
R10便被电容
C
C
C6给旁路掉，此时电路中发射极电阻相当于只有
R
R
R9一个，但是静态工作点并没有改变，也就是说，在不改变静态工作点的情况下，不接旁路电容
C
C
C6，信号的反相放大倍数为
接上旁路电容
C
C
C6后，信号的反相放大倍数为
举个例子，上面所设计的反相放大倍数为5倍的放大电路中，
R
R
R6
=
10
k
=10k
=10k,
R
R
R9
=
2
k
=2k
=2k,现在我们将这个电路改为反相放大倍数为10倍的放大电路，只需将
R
R
R9拆分为两个
1
k
1k
1k的电阻，
C
C
C6取
200
u
f
200uf
200uf,在交流电路中，电容是存在容抗的，其公式为
由公式可知，电容越大，其容抗越低，通常取值
100
u
f
100uf
100uf以上，最好能保证其容抗小于
1
1
1，便可以忽略掉他的容抗。
电路如图所示
示波器波形如下
在峰值处采样，通过数据可以认为达到了反向放大10倍的要求。
三极管恒流电路
NPN
恒流源可用在一些高精度的采样电路中，例如使用
P
T
−
100
PT-100
PT−100或
P
T
−
1000
PT-1000
PT−1000的四线制测温。
该电路主要运用电压跟随器的原理，
R
R
R4在有限范围内变化时都能使
V
V
Vb始终稳定在
V
V
Va电位处，故
R
R
R3用于控制输出电流。在运放的输出端接了由两个三极管组成的达林顿管，用于增强输出电流，如果单个三极管输出电流可以达到要求，可以只使用单个三极管。总结如下
故上述电路
V
V
Vb
=
V
=V
=Va
=
5
v
=5v
=5v,输出电流为
20
m
A
20mA
20mA，查看示波器
电流近似
20
m
A
20mA
20mA，该电路可达到要求。如果需要得到大电流，可用
M
O
S
MOS
MOS管代替三极管。
PNP
上图是由PNP型三极管构成的恒流电路，该电路将限流电阻
R
R
R3置于上端，负载电阻
R
R
R4置于下端，这样就便于信号采样了。
三极管开关电路
提高三极管开关速度
在三极管的基级电阻
R
R
R2上并联一个电容
C
C
C1，因为电容具有通高频阻低频的特性，在三极管导通的瞬间，
R
R
R2被电容
C
C
C1旁路掉，大量电流涌入使三极管迅速从截止区变化到饱和区，同理，三极管在关断的瞬间，大量电流从集电极流出，也加快了其关断速度。取
C
C
C1
=
200
p
f
=200pf
=200pf，基级电流如下图
放大导通瞬间波形，如下
探针为
1
m
v
/
m
A
1mv/mA
1mv/mA，示波器中此时
112.081
m
v
112.081mv
112.081mv，即为
112.081
m
A
112.081mA
112.081mA，当电容
C
C
C1进入稳态后，电流降至
22.541
m
A
22.541mA
22.541mA，并稳在此值。在关断瞬间如下图
三级管推挽电路
三级管推挽电路是一个
n
p
n
npn
npn的射极跟随器和一个
p
n
p
pnp
pnp的射极跟随器相连而成，该电路的驱动电流很大，且输入信号与输出信号同相，但输出信号幅值受输入信号限制，
V
V
Vi为高电平时，
V
V
Vi
−
V
-V
−Vo
=
0.7
v
=0.7v
=0.7v,
V
V
Vi为低电平时，
V
V
Vo
−
V
-V
−Vi
=
0.7
v
=0.7v
=0.7v。三级管推挽电路常用作输出级，例如功放电路驱动喇叭，也可用作
M
O
S
MOS
MOS管驱动。
N
E
555
NE555
NE555方波发生电路
该电路可在
0
−
100
%
0-100%
0−100%占空比可调，电容
C
C
C1由
R
R
R1和
D
D
D1充电，由
R
R
R2和
D
D
D2放电，公式如下
当
R
R
R1
=
R
=R
=R2
=
7.2
k
,
C
=7.2k,C
=7.2k,C1
=
0.01
u
f
=0.01uf
=0.01uf，可输出频率
10
k
H
z
10kHz
10kHz,占空比
50
%
50%
50%的方波。
简单
M
O
S
MOS
MOS管驱动电路
以
I
R
F
3205
IRF3205
IRF3205为例，这是一个
N
−
M
O
S
N-MOS
N−MOS，根据
V
V
VGS–
I
I
ID曲线图
可知，
V
V
VGS越大
(
m
a
x
(
∣
V
(max(| V
(max(∣VGS
∣
)
=
20
v
)
I
|)=20v)I
∣)=20v)ID越大，即
M
O
S
MOS
MOS管内阻越小。
M
O
S
MOS
MOS管是压控器件，但同样受电流影响，如果驱动电流过小则
M
O
S
MOS
MOS管导通速度降低，不利于高频响应，同时也会增加开关损耗，故可用上述的推挽电路来驱动
M
O
S
MOS
MOS管。
电源电压为
12
v
12v
12v，就令
V
V
VGS
=
12
v
=12v
=12v来驱动
M
O
S
MOS
MOS管导通，控制信号是频率
1
k
H
z
1kHz
1kHz，占空比
50
%
50%
50%,幅值
5
v
5v
5v的
P
W
M
PWM
PWM波，这个控制信号可由
N
E
555
NE555
NE555提供，也可由单片机提供，由示波器2
可知，控制信号与
M
O
S
MOS
MOS管
G
G
G极信号同相，
G
G
G极信号约为
0
−
12
v
0-12v
0−12v的
P
W
M
PWM
PWM波。根据示波器
4
4
4查看驱动电流
由图可知，驱动电流达到了上百毫安，再看看
M
O
S
MOS
MOS管
D
D
D极波形
这个波形几乎没有失真，驱动效果达到要求。
电荷泵升压电路
电荷泵升压电路常用于高压小功率情景，例如运放电源，驱动信号等，电路图如下
电荷泵电路升压的原理是利用电容电压不能突变的原理，三极管通断由高频
P
W
M
PWM
PWM控制，当三极管导通时，
a
a
a点电位被拉低，电容
C
3
C3
C3通过二极管
D
1
D1
D1充电，当三极管关断时，
a
a
a点电压变为
12
v
12v
12v,
b
b
b点电位被抬高，
V
V
Vb
=
V
=V
=Va
V
+V
+Vc3
=
12
v
V
=12v+V
=12v+Vc3,这个过程是需要时间的，直到电容电压达到
12
v
12v
12v，在经过电容
C
C
C4滤波，最终输出电压即
C
C
C4电压达到
2
V
c
c
2Vcc
2Vcc，也就是
24
v
24v
24v。输出电压曲线如图所示
输出电压最终达到了
23.7
v
23.7v
23.7v，近似
24
v
24v
24v。当不需要这么高的电压时，可降低
a
a
a点电位达到减小输出电压的效果。如图
在三极管关断时，
a
a
a点电位为
6
v
6v
6v，那么最终输出电压即电容
C
C
C4电压为
12
v
6
v
=
18
v
12v+6v=18v
12v+6v=18v，响应曲线如下
输出电压可近似为
18
v
18v
18v。
上面的两种升压电路，虽然压降低，但是功耗较高，长时间工作时电阻发热严重，可用推挽电路来替代这个电阻，电路图如下
驱动信号是
0
−
12
v
0-12v
0−12v的方波信号，
Q
3
Q3
Q3导通时电容
C
1
C1
C1充电，
Q
1
Q1
Q1导通时电容
C
1
C1
C1的电位被抬高
12
v
−
0.7
v
=
11.3
v
12v-0.7v=11.3v
12v−0.7v=11.3v。实际
C
2
C2
C2电压为
由此可见，这种方法虽然降低了功耗，但是压降变大了，在一些对电压要求不高的场合可以使用这种方法，如果想要低功耗低压降，可以把电路中的三极管换成一对小功率的
p
−
m
o
s
p-mos
p−mos和
n
−
m
o
s
n-mos
n−mos。
电荷泵负压电路
该电路的原理也很简单，
Q
1
Q1
Q1导通时，
C
3
C3
C3与
D
2
D2
D2形成回路充电，
Q
2
Q2
Q2导通时，
C
3
C3
C3、
D
1
D1
D1与
C
4
C4
C4形成回路，
C
3
C3
C3放电，于是在
C
4
C4
C4两端产生负电压，如下图
该电路的缺点与上述一样，压降较大，在一些电压要求不高的场合可以使用，比如简单的运放双电源供电，
M
O
S
MOS
MOS管的驱动等等，对于要求较高的场景，还是使用专业的电源芯片吧。
N
−
M
O
S
N-MOS
N−MOS上管驱动
N
−
M
O
S
N-MOS
N−MOS在市场上型号多，价格便宜，而且导通速度高，内阻小，所以在很多场景都使用
N
−
M
O
S
N-MOS
N−MOS，
N
−
M
O
S
N-MOS
N−MOS一般是用作下管，即
S
S
S极接地，在某些场合，例如
H
H
H桥，
b
u
c
k
buck
buck电路中，
N
−
M
O
S
N-MOS
N−MOS也用作上管，即
S
S
S极接负载，等效图如下
尽管
G
G
G极电位达到了
12
v
12v
12v，可
M
O
S
MOS
MOS管并没有完全导通，电阻
收集整理了一份《2024年最新物联网嵌入式全套学习资料》，初衷也很简单，就是希望能够帮助到想自学提升的朋友。
需要这些体系化资料的朋友，可以加我V获取：vip1024c （备注嵌入式）
一个人可以走的很快，但一群人才能走的更远！不论你是正从事IT行业的老鸟或是对IT行业感兴趣的新人
都欢迎加入我们的的圈子（技术交流、学习资源、职场吐槽、大厂内推、面试辅导），让我们一起学习成长！
Vb
=
V
=V
=Va
V
+V
+Vc3
=
12
v
V
=12v+V
=12v+Vc3,这个过程是需要时间的，直到电容电压达到
12
v
12v
12v，在经过电容
C
C
C4滤波，最终输出电压即
C
C
C4电压达到
2
V
c
c
2Vcc
2Vcc，也就是
24
v
24v
24v。输出电压曲线如图所示
输出电压最终达到了
23.7
v
23.7v
23.7v，近似
24
v
24v
24v。当不需要这么高的电压时，可降低
a
a
a点电位达到减小输出电压的效果。如图
在三极管关断时，
a
a
a点电位为
6
v
6v
6v，那么最终输出电压即电容
C
C
C4电压为
12
v
6
v
=
18
v
12v+6v=18v
12v+6v=18v，响应曲线如下
输出电压可近似为
18
v
18v
18v。
上面的两种升压电路，虽然压降低，但是功耗较高，长时间工作时电阻发热严重，可用推挽电路来替代这个电阻，电路图如下
驱动信号是
0
−
12
v
0-12v
0−12v的方波信号，
Q
3
Q3
Q3导通时电容
C
1
C1
C1充电，
Q
1
Q1
Q1导通时电容
C
1
C1
C1的电位被抬高
12
v
−
0.7
v
=
11.3
v
12v-0.7v=11.3v
12v−0.7v=11.3v。实际
C
2
C2
C2电压为
由此可见，这种方法虽然降低了功耗，但是压降变大了，在一些对电压要求不高的场合可以使用这种方法，如果想要低功耗低压降，可以把电路中的三极管换成一对小功率的
p
−
m
o
s
p-mos
p−mos和
n
−
m
o
s
n-mos
n−mos。
电荷泵负压电路
该电路的原理也很简单，
Q
1
Q1
Q1导通时，
C
3
C3
C3与
D
2
D2
D2形成回路充电，
Q
2
Q2
Q2导通时，
C
3
C3
C3、
D
1
D1
D1与
C
4
C4
C4形成回路，
C
3
C3
C3放电，于是在
C
4
C4
C4两端产生负电压，如下图
该电路的缺点与上述一样，压降较大，在一些电压要求不高的场合可以使用，比如简单的运放双电源供电，
M
O
S
MOS
MOS管的驱动等等，对于要求较高的场景，还是使用专业的电源芯片吧。
N
−
M
O
S
N-MOS
N−MOS上管驱动
N
−
M
O
S
N-MOS
N−MOS在市场上型号多，价格便宜，而且导通速度高，内阻小，所以在很多场景都使用
N
−
M
O
S
N-MOS
N−MOS，
N
−
M
O
S
N-MOS
N−MOS一般是用作下管，即
S
S
S极接地，在某些场合，例如
H
H
H桥，
b
u
c
k
buck
buck电路中，
N
−
M
O
S
N-MOS
N−MOS也用作上管，即
S
S
S极接负载，等效图如下
尽管
G
G
G极电位达到了
12
v
12v
12v，可
M
O
S
MOS
MOS管并没有完全导通，电阻
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