主回路软启动

第五章 主回路软启动

目录

1. 软启动概述

2. 软启动详解

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1. 软启动概述

      高压发生器产生高压，可以用输入工频整流后逆变，升压再整流滤波得到。在工频整流中，为了减小设备体积，常用电容滤波。电容滤波的缺点是瞬间整流二极管冲击大。因此还得包括软启动功能。

2. 软启动详解

      电容滤波的问题就是瞬间整流二极管冲击大，容易烧毁二极管，同时引起电源保护。粗略地估计一下，刚充电时，电容电压为0，电网内阻较小，一般为0.20欧左右。这样在电压差最大的两相之间电流为537/0.40=1343A，这样大的冲击电流无论是电网还是整流二极管都是承受不了的。仿真结果如图1。仿真电流为1200A的冲击电流，比较符合刚才的估计。如果选择能够承受这样冲击的整流二极管将是极大的浪费，大大增加成本和降低器件的可靠性。

图1：整流二极管冲击电流波形仿真

      而在实际工作中，见图2二极管的电流峰值为峰值为87A左右，依据冲击电流来选择恰当的整流管很难，另外也是浪费。因此必须加一些预防措施，这就是软启动回路。

图2：整流二极管正常电流波形仿真

      软启动电路一般有一下两种：在整流主回路中串入一个限流电阻，在充电完毕之后通过开关短路，该方案见图3；另一种是通过辅助电路充电，充电结束之后可以切除，也可以保留，方案如图4。不论哪种方案都需要检测整流输出电压电路，这样才能知道充电的进程，决定何时切断或短路限流电阻。

图3：小电流充电方案1

图4：小电流充电方案2

      第一个措施是电路简洁，只控制短路电阻的开关即可，但短路开关的容量要求大，因为正常工作时的电流流过该开关无形之中增加了成本，降低了可靠性；第二个措施电路比第一个复杂些，但好处是没有大容量的开关，与主回路并行连接，降低成本，提高可靠性。因此选择了第二种方案。实例中采用R3=R4=50欧姆使用该方案后，刚开始的充电波形仿真如图5，实测的波形见图6。

图5：小电流预充电的二极管的仿真电流波形

图6：小电流预充电的二极管的实际电流波形

      该波形中通道1为整流输出电压，100V/div；通道2为一相电源的输入电流，5A/div。该波形表明，开始充电电流为7A左右，之后衰减，而整流电压逐步升高，在3秒时达到550VDC，这时，主回路接通，整流电压短时间升至590VDC。

      实际的软启动电路为图7。其中K1为软启动继电器；R10、R11为限流电阻。D1为整流桥。电容C6、C7、C8、C14、C15、C18为滤波电容；R5-R8、R16-R19组成均压电阻并作为电压检测的分压电阻；由C19、D2、D3、U1组成电压检测电路。右面为定时和比较电路。上面为延时开机和+12VDC欠压和过压检测电路。

      近似计算检测电路的阀值电压。比较器U1C，参考电压分压电阻R19、R20，定时电阻电容为C1、R18、R75。比较器参考电压为12VDC*3.01/（3.01+9.09）=3VDC，在定时完成之前，光耦输出电流得3.7VDC/3.32K=1.114mA才能保证比较器不翻转。按60%CTR计算，正向二极管电流为1.114/0.6=1.857mA。光耦二极管压降0.8VDC，发光二极管为1.2VDC，稳压管5.1VDC，则中间的电压为5.1+2+0.8=7.1VDC，均压电阻流过电流为1.857+7.1/6.6K=2.943mA，则母线电压为2.943mA*49K+7.9=151.295VDC。在实测的波形中，150VDC对应时间小于120ms。也就是说在120ms时，正常整流电压为150VDC以上。定时电路常数为100ms,电阻R18上电压降至3.7VDC需要1.17倍的时间常数，即117ms的定时时间。如果在该定时时间内母线电压没有使光耦产生1.114mA的输出，则比较器U1C就输出低电平，K1吸合，导致软启动继电器断开，软启动因不成功而结束。如果在该定时时间内母线电压使光耦产生1.114mA的输出，则比较器U1C就输出高电平，软启动继电器还吸合，同时软启动成功信号SS-OK接+12VDC，为主接触器吸合创造条件。

图7：软启动电路实例

      比较器U3B、定时电路R77、R33、C9，软启动信号SS-OK、参考电压D23、驱动电路R10、R11、Q6组成了主接触器吸合电路。主接触器吸合需要同时满足条件：定时到和软启动成功。由比较器输出完成该逻辑与的关系。比较器一端由D23提供5.1V比较参考电压，另一端是RC定时电路。定时常数为τ=1M（500K）*10UF=10（5）S。而充电到5.1VDC需要0.856τ。因此在定时到时，比较器输出高电平。因为比较器是集电极开路输出的，形成逻辑线与的关系。只有SS-OK和比较器都为高电平时，比较器输出端才为高电平驱动Q6，主接触器吸和。

      快速放电电路由光耦U2、FET Q1、电阻R18、R19、R16、R17组成。在正常时，电源+12VDC存在，光耦U2输出饱和，Q1无偏置截止；当关机时，电源+12VDC消失，光耦U2输出截止，Q1通过电阻R20、二极管D10获得偏置导通，直流母线电压通过电阻R18、R19、R16、R17和Q1快速放电。放电常数在一个模块时为1K*2820uF=2820ms；在两个模块时为1K*4230uF=4230ms。因此在12秒内母线电压放电到36VDC以下。要知道，放电的能量是C*V2/2=507.6J（706）。则电阻的平均功率为507/8/4=16W和761/12/4=16W。因此电阻是过载运行，不能频繁开关机。D10是保护Q1的，限制栅极电压为5.1VDC。

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