铨力授权一级代理 AP30H150K N沟道增强型MOSFET

最新推荐文章于 2024-10-09 11:27:45 发布
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版权

特征：

 

30V/120A

 

Ros oN<3.8mΩ@Ves=10V TYP:3.0 m2

 

先进的沟槽技术

 

获得无铅产品

 

优秀的 Ros ow和低栅极电荷

 

应用：

 

PWM应用

 

负载开关

 

电源管理

恒锐丰科技专业电源芯片
关注
FAT32文件系统的存储组织结构（一）
技术联盟
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