华羿微一级代理 HYG023N04NS1B 单N沟道增强型MOSFET

特征:

 

40V/200A

 

RDS(ON)<1.9mΩ@VGS=10V

 

100%经过雪崩测试

 

可靠且坚固

 

卤素设备可用(符合RoHS标准)

 

应用:

 

电池管理

 

系统逆变器

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