华羿微一级代理 HYG040N06LS1D/U/V N沟道增强型MOSFET

特征:

 

60V/100A

 

RDS(ON)= 4.5 mΩ(typ.) @VGS = 10V

 

RDS(ON)= 6.5 mΩ(typ.) @VGS = 4.5V

 

100%雪崩测试

 

100% DVDS

 

可靠和耐用的

 

无卤素和绿色设备可用(符合 RoHS 标准)

 

应用:

 

开关应用

 

锂离子电池保护器

 

DC-DC

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