硬件基础专题：5.场效应管（MOSFET）原理及应用

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MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，简称MOSFET），是现代电子设计中必不可少的开关与功率控制器件。它具有输入阻抗高、开关速度快、导通损耗低等优点，广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动等场景。

本文结合基础理论、结构解析、参数分析与工程应用，系统梳理MOS管的知识，助你掌握这一高效“电子开关”。

一、MOS管原理：电压控制电流的电子阀门

MOSFET属于电压控制电流型器件，与三极管（电流控制电流）不同。它主要有三个端子：

G（Gate，栅极）：控制端
D（Drain，漏极）：输出端
S（Source，源极）：输入端

根据内部结构不同，分为：

N沟道MOS（NMOS）：源极接地，漏极接负载
P沟道MOS（PMOS）：源极接正电源，漏极接负载

基本工作原理

NMOS导通条件：栅极电压高于源极电压一个阈值（Vgs > Vth）
PMOS导通条件：栅极电压低于源极电压一个阈值（Vgs < Vth）

MOS管在开关应用中，通常只需要在栅极施加合适的电压，即可让源漏之间导通或截止，无需持续提供电流，因而输入功耗极低。

二、MOS管的分类方式

分类方式	类型	特点与应用
沟道类型	N沟道、P沟道	控制逻辑不同，驱动方式不同
导通模式	增强型、耗尽型	增强型最常用，耗尽型较少见
封装方式	TO-220、SOT-23、DFN	功率等级、体积需求决定封装
应用领域	小信号、高频、大功率	根据频率、耐压、电流选型

三、MOS管主要特性参数

Vgs(th)（门限电压）：栅源之间开始导通的最低电压
Rds(on)（导通电阻）：MOS导通后漏源之间的电阻，影响发热
Id（最大漏极电流）：最大持续工作电流能力
Vds（漏源耐压）：漏极与源极之间能承受的最大电压
Qg（总栅极电荷）：开关速度指标，Qg小，速度快
Pd（耗散功率）：最大可承受的功率
Td(on)/Td(off)：导通延迟时间/关断延迟时间，影响开关速度

NMOSFET伏安特性曲线

四、MOS管内部结构与特性

1. 寄生电容

由于工艺特性，MOS管内部存在如下寄生电容：

Cgs（栅源电容）
Cgd（栅漏电容）
Cds（漏源电容）

寄生电容影响MOS管开关速度和频率响应，是高频应用时的重要考量指标。

寄生电容示意图

2. 寄生二极管

MOS管内部天然存在一个PN结体二极管（Body Diode）：

NMOS：漏极对源极寄生一个正向导通二极管
PMOS：源极对漏极寄生一个正向导通二极管

寄生二极管在反向保护、能量回馈等应用中可以被合理利用。

NMOS寄生二极管

PMOS寄生二极管

五、MOS管的典型应用与电路分析

1. NMOS低端开关控制

源极接地，漏极接负载，栅极高电平导通。

常见于单片机控制灯光、电机、小负载。

低端驱动：

NMOS源极接地，漏极接负载，控制栅极电压就行（栅极比源极高一个Vgs(th)以上）。很简单，驱动逻辑电平就可以轻松控制NMOS开关。

高端驱动（High-Side Switching）：

NMOS源极连接负载到电源正极，漏极接电源。这时，源极电压会随着负载端电压变化，你要让栅极电压始终比源极电压高出一定值才能打开NMOS。所以需要升压，栅极电压必须高于电源电压，通常要用高端驱动芯片（比如IR2110、IRS2186之类）来实现。比PMOS高端驱动麻烦很多。

2. PMOS高端开关控制

源极接电源正极，漏极接负载，栅极低电平导通。

常用于电源控制、USB供电切换等场景。

高端驱动（High-Side Switching）：

PMOS的源极接电源正极（比如+5V、+12V）。负载接到PMOS的漏极，再接地。只要把PMOS的栅极拉低（比源极电压低一个Vgs(th)以上），PMOS就导通了。非常简单，不需要额外升压电路，直接用低电平开关就可以控制正电压输出。

低端驱动（Low-Side Switching）：

PMOS并不适合做低端驱动，因为PMOS的源极要接正电压，如果接地，工作特性不对，开关也控制得很别扭。

3. 电源反接保护电路

使用PMOS管作为开关，当电源的极性正确时，MOS管处于导通状态，电流可以正常流过；而当电源的极性反接时，MOS管处于截止状态，电流无法通过，从而实现了防反接的作用。优点：MOS管导通电阻非常小，因此导通压降可以忽略不计。

在正常的MOS管应用电路中VDS<0，但这个电路是VDS>0。如果按照VDS>0是正常电路，那么挡电源反接时，寄生二极管会导通，电源与负载电路未完全断开，因此不可靠，故使用VDS<0。

六、MOS管的工程选型与使用要点

要点	说明
门限电压	低压驱动场合选择Vgs(th)较低的型号，如<2.5V
漏源耐压	选择大于实际工作电压1.5倍的耐压规格
导通电阻	Rds(on)越低越好，可降低发热和损耗
开关速度	高频应用需选Qg小、开关时间短的型号
封装选型	小功率选SOT-23，大功率选TO-220或DFN散热型
ESD防护	栅极易受静电损坏，注意加TVS或上拉电阻保护

七、常见MOS型号速查

型号	类型	特点与应用
IRF540N	N沟道大功率	低Rds(on)，适合电机驱动、灯带控制
IRL540N	逻辑电平N沟道	适合直接由单片机驱动
AO3400	小功率N沟道	SOT-23封装，适合电平转换、小功率控制
SI2302	小信号N沟道	低压应用，如IoT设备开关控制
AO4406	P沟道	高频高效，适用于高端负载开关