一文搞懂MOSFET结构、符号、工作原理（一）

        不知道屏幕前恰巧搜到这篇文章的你是否正被教科书中下图类似的表格搞的晕头转向，如果是这样，那么恭喜你，读完本文你将不再迷茫。

        本文将从定义与分类、结构与符号、工作原理、特性曲线几个部分介绍MOSFET。

1 定义与分类

        金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide semiconductor Field Effect transistor，MOSFET），也称为绝缘栅型场效应晶体管（IGFET）。

        根据参与导电的载流子种类不同，可以分为N沟道场效应管和P沟道场效应管。

                N沟道场效应管以电子作为导电载流子，

                P沟道场效应管以空穴作为导电载流子。

        根据导通方式的不同，又可分为耗尽型和增强型。

                耗尽型指本来就存在导电沟道，工作时，施加电压后，会使本来存在的沟道消失；

                增强型指本来没有导电沟道，工作时，施加电压后，会生成一个导电沟道。

        因此两两组合就可以分为四种：N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET。

2 结构与符号

        对于初学者来说，经常分不清各个类型MOSFET及对应的符号。其实，如果我们了解了MOSFET的结构以及符号化的过程，就能很容易分辨MOSFET的类型。下面以N沟道耗尽型MOSFET为例，说明这一过程。

 2.1 N沟道耗尽型MOSFET的结构

        N沟道耗尽型MOSFET结构如图1所示，它由以下部分组成

        （1）一块低掺杂的P型硅片作为衬底；

        （2）利用扩散工艺制作的两个高掺杂的N+区，此时P型衬底和N型掺杂区交界处会形成PN结，也称为耗尽层。从N+区直接引出两个电极，分别为源极（Source，S）和漏极（Drain，D）。

        （3）在半导体上制作一层SiO2绝缘层，再在SiO2绝缘层上制作一层金属铝，并引出电极，作为栅极G（Gate，G）。

        （4）在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入适量的金属正离子，在这些正离子作用下，SiO2绝缘层下方就会聚集负离子从而形成反型层（注意和耗尽层的区别），形成漏-源之间的导电沟道。

图1  N沟道耗尽型MOSFET结构

        通常，将B极和S极连接在一起使用，如图2所示。

图2  B极和S极连接在一起使用

        根据“1 定义与分类”中介绍的概念，这个结构在不施加任何电压的情况下，已经存在导电沟道，因此属于耗尽型，而这个导电沟道是N沟道，因此是N沟道耗尽型MOSFET。

2.2 N沟道耗尽型MOSFET的符号

        根据图1的结构，我们按照以下步骤画出MOSFET的符号：

        （1）画一条竖实线表示本就存在的N沟道（图3中淡黄色竖实线，注意本来存在的沟道用实线表示，后面表示本不存在的沟道时应用虚线表示）；

        （2）再画一条稍短的竖实线表示金属铝（图3中左侧灰色竖实线），可以把灰色竖实线和淡黄色竖实线之间的空白区域理解为SiO2绝缘层，并从金属铝上引出G极；

        （3）从N沟道的两端直接引出D、S极；

        （4）把N沟道（淡黄色竖实线&