什么是场效应管？它与三极管有什么区别？

一、什么是场效应管？它与三极管有什么区别？

1、场效应管

效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管不但具备双极型晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点而且输入阻抗高达，噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强且比后者耗电省。

2、场效应管与三极管的区别

与场效应管相比，三极管是一种基于电流控制的电子器件。具体区别如下：

（1）控制方式：场效应管通过调节栅极电压来控制漏极-源极间的电流，从而实现对电流的控制。而三极管则通过调节基极电流来控制集电极-发射极间的电流。因此，场效应管是电压控制型器件，而三极管是电流控制型器件。

（2）输入阻抗：场效应管具有高输入阻抗，可以看作是一个电压控制的电阻。而三极管的输入阻抗相对较低。

（3）输出特性：场效应管的输出特性较为线性，适用于高频应用和低噪声放大器。三极管的输出特性相对非线性，适用于开关、放大器和稳压器等应用

二、场效应管的结构、分类以及名词解释

1、场效应管的结构

三个电极：

栅极（grid）：绝缘栅，几乎没有电流，控制极（类似于三极管的基极b）；

源极（source）：载流子的源泉，发源地（类似于三极管的发射极e）；

漏极（drain）：载流子的漏出处（类似于三极管的集电极c）。

2、场效应管的分类

3、名词解释

绝缘栅：栅极与源极之间有绝缘层二氧化硅；

场效应管：栅极与源极之间不接触不产生电流，它通过电压形成电场，通过电场改变载流子分布。不产生电流就是场效应管功耗低的原因；

N沟道：在电场作用下，自由电子形成沟道；

P沟道：在电场作用下，空穴形成沟道； 

增强型：必须有电压增强的过程，才能形成沟道；

耗尽型：天生自带沟道，不需要电压增强过程，加上电压就能用。

三、N沟道增强型MOS管

1、结构示意图和符号

2、工作原理

（1）在栅极与源极之间加电压，即 时，由于