场效应管总结

目录

1.4.1结型场效应管

1.4.2绝缘栅型场效应管

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场效应管（FET）

        利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

        由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管

        场效应管分为结型和绝缘栅型两种

1.4.1结型场效应管

分为N沟道和P沟道两种类型
 

结构示意图

 符号

         记忆方法：由P指向N，箭头指向即为N

N沟道结型场效应管工作原理

        栅-源之间加负向电压，保证耗尽层承受反向电压；

        漏-源之间加正向电压，形成漏极电流，即电流从漏极到源极；

        主要是为了实现，栅-源 之间的电压，对 沟道电流的控制

具体分析

      1、当

          对于N沟道结型场效应管来说，随着增大（外电场方向与PN结内电场方向一致，导致PN结增大，即耗尽层增宽），耗尽层会逐渐变宽，直到沟道消失，记录此时为 夹断电压。

        此时，无论之间电压如何变化，都不会产生漏极电流。

        2、当

      当  ，此时沟道未消失即未被夹断，此时随着的增大，漏极电流逐渐增大。此时处于可变电阻区（非饱和区）

        当增大到一定地步，沟道的一侧会被夹断，此时称为预夹断，此时的漏极电流不再随着的增大而增大了，表现为一个确定值。此时处于恒流区（饱和区）

个人理解

 当

若，

即，叠加后的电压，在漏极侧等于夹断电压，此时为预夹断。

连接方式

 

1.4.2绝缘栅型场效应管

        栅极与源极、栅极与漏极之间均采用 SiO2 绝缘层隔离，
        又因为栅极为金属铝，故又称为 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor）

        MOS管分为四类：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管 

        增强型管：栅-源 电压为 0 时，漏极电流也为 0
        耗尽型管：栅-源 电压为 0 时，漏极电流不为 0

结构示意图

         通常将衬底(B)与源极(s)连接到一起，这样栅极和衬底就组成了一个电容器，通过改变栅源之间的电压控制漏极电压。

沟道型成

 

具体分析

        当g--s之间加正向电压，由于存在二氧化硅，导致栅极聚集大量正电荷，但无电流；由于同种电荷相斥，异种电荷相吸，耗尽层加宽，且大量的负电荷向着栅极聚集，形成了由电子构成的沟道（反型层）。

        使得反型层刚刚形成的电压称为开启电压，记为

       当，

        此时在d---s之间加正向电压，就会有电流流过沟道。

        当，即此时漏极一侧的电压经过叠加后，已经不足以完全打开沟道，出现了夹断点，此时为预夹断。

        随着增大，夹断区域不断延长。

连接方式