场效应管总结

安木研

于 2023-07-16 23:32:04 发布

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分类专栏：模拟电路文章标签：嵌入式硬件

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本文介绍了场效应管的工作原理，包括结型和绝缘栅型两种类型。结型场效应管分为N沟道和P沟道，其工作依赖于栅-源电压对沟道电流的控制。绝缘栅型场效应管，即MOS管，通过SiO2绝缘层隔离栅极与源极、漏极，并详细说明了其沟道型成及不同类型的特性。

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目录

1.4.1结型场效应管

1.4.2绝缘栅型场效应管

场效应管（FET）

利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管

场效应管分为结型和绝缘栅型两种

1.4.1结型场效应管

分为N沟道和P沟道两种类型

结构示意图

符号

记忆方法：由P指向N，箭头指向即为N

N沟道结型场效应管工作原理

栅-源之间加负向电压，保证耗尽层承受反向电压； $u_{GS}<0$

漏-源之间加正向电压，形成漏极电流，即电流从漏极到源极； $u_{DS}>0$

主要是为了实现，栅-源之间的电压，对沟道电流的控制

具体分析

1、当 $u_{DS}=0$

对于N沟道结型场效应管来说，随着 $\left | u_{GS} \right |$ 增大（外电场方向与PN结内电场方向一致，导致PN结增大，即耗尽层增宽），耗尽层会逐渐变宽，直到沟道消失，记录此时 $u_{GS}$ 为夹断电压 $u_{GS(off))}$ 。

此时，无论 $u_{GS}$ 之间电压如何变化，都不会产生漏极电流。

2、当 $u_{DS}\neq 0$

当 $u_{GS(off)}<u_{GS}<0$ ，此时沟道未消失即未被夹断，此时随着 $u_{DS}$ 的增大，漏极电流逐渐增大。此时处于可变电阻区（非饱和区）

当 $u_{DS}$ 增大到一定地步，沟道的一侧会被夹断，此时称为预夹断，此时的漏极电流不再随着 $u_{DS}$ 的增大而增大了，表现为一个确定值。此时处于恒流区（饱和区）

个人理解

当 $u_{DS}\neq 0$

若 $u_{GD}=u_{GS}-u_{DS}=u_{GS(off)}$ ，

即，叠加后的电压，在漏极侧等于夹断电压，此时为预夹断。

连接方式

1.4.2绝缘栅型场效应管

栅极与源极、栅极与漏极之间均采用 SiO2 绝缘层隔离，
又因为栅极为金属铝，故又称为 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor）

MOS管分为四类：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管

增强型管：栅-源电压为 0 时，漏极电流也为 0
耗尽型管：栅-源电压为 0 时，漏极电流不为 0

结构示意图

通常将衬底(B)与源极(s)连接到一起，这样栅极和衬底就组成了一个电容器，通过改变栅源之间的电压控制漏极电压。

沟道型成

具体分析

当g--s之间加正向电压 $u_{GS}$ ，由于存在二氧化硅，导致栅极聚集大量正电荷，但无电流；由于同种电荷相斥，异种电荷相吸，耗尽层加宽，且大量的负电荷向着栅极聚集，形成了由电子构成的沟道（反型层）。

使得反型层刚刚形成的电压称为开启电压，记为 $u_{GS(th)}$

当 $u_{GS}>u_{GS(th)}$ ，

此时在d---s之间加正向电压，就会有电流流过沟道。

当 $u_{DS}=u_{GS}-u_{GS(th)}$ ，即此时漏极一侧的电压经过叠加后，已经不足以完全打开沟道，出现了夹断点，此时为预夹断。

随着 $u_{DS}$ 增大，夹断区域不断延长。

连接方式

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