绝缘栅型场效应管(N沟道)

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绝缘栅型的场效应管多了一个衬底B,上图中的箭头向里,说明是P到N的,也就是N沟道。中间是虚线,漏极和源级没有连接在一起说明中间是有绝缘层的,为增强型。 当增强型想要形成N沟道时,需要Ugs加正向电压,是的两个N+之间产生电子区域(这个为什么是电子区域我现在也不清楚。。)最终形成N沟道的反型层。当然这中间需要Ugs的电压达到一定的值。
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第一幅图,是当Ugs开启N沟道后,Uds增加,Id也增加。这个N沟道就想一个可变电阻一样如同之前的博客里的结型场效应管一样。
第二幅图Ugd随着Uds的增加一定会变成一个负电压,当这个负电压的值和Ugs的开通电压一样时,就会出现夹断,也就是增强型要正电压才能夹断(这是我个人理解,可能不太对)。
第三幅图随着Uds增大,Id并不能克服耗尽层,所以Id的电流几乎不变。进入恒流区。PPt上写着的Ugs的增加克服夹断区的电阻也是对的,因为Ugs的增加本身也是为了形成N沟道
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耗尽型的竖线有相同的说明漏极和源级是相同的,跟右图的匹配。耗尽型的MOS管本身就有正离子,所以N沟道一直存在。所以当Ugs为0时也是存在的。如果想要夹断,那就要消除本身存在的正离子,那就需要Ugs加反向电压还必须很小,不然Ugs在>0,<0,=0是都可以导通。但因为SiO2的绝缘性质存在尽管Ugs加正向电压,N沟道的等效电阻也会很大(这句话我也就勉强理解的,具体这个正离子和绝缘性到底跟添加正反向电压的关系不懂)。同理想要进入恒流区,那Uds需要(这个等日后来补),感觉耗尽型的要好好分析下,还是要懂半导体的物理特性才行。
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增强型和耗尽型的Ugs和ip根据上述分析容易与图中对照起来。而且增强型的Uds在Ugs不变的情况下不断增加那就会进入恒流区。
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第一个问题答案是:绝缘栅型的耗尽型
第二个问题答案是:绝缘栅型的增强型
第三个问题答案是:结型和绝缘栅型的耗尽型

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