MOS管中的米勒效应

先贴文章参考链接：
https://www.dianyuan.com/article/46907.html
https://www.sohu.com/a/313250461_774177
https://blog.csdn.net/weixin_42509369/article/details/99416617?utm_source=app

一、米勒效应简介

Mos管的三极存在以下三个电容，分别是：Cgs，Cgd，Cds。
米勒电容指的是Cgd。米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值（图中t2~t3阶段），过后Vgs电压又开始上升直至完全导通。米勒效应阻止Vgs电压上升，使得导通时间变长，损耗剧增。

二、米勒平台形成的基本原理

MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。
由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降）

三、米勒效应形成分析

1. T0时刻：Vgs为0时，Vd>Vg，Cgd基本充满电，右正左负；

2. T0~T1时刻：Vgs开始上升，Ig电流主要给Cgs充电，当Vgs达到阈值电压Vth时

（T1时刻），mos开始导通，Vds开始下降；

3. T1~T2时刻：Vgs继续上升，给Cgs充电，Vds继续下降（下降较小），当Vgs达到米

勒平台电压Va，开始进入米勒平台；

4. T2~T3时刻：T2时刻开始，随着Vd下降，VD＜Vg，驱动电流主要开始反向给Cgd充

电，所以这段时间，看起来Vgs没有增加。这段时间就是米勒平台。

5. T2~T3时刻，随着Cgd逐渐充满，mos管完全导通，Vgs继续增加，直到最高的驱动电

平Vgg。
对曲线进行逐条分析：
VDD曲线：当Vgs达到Vgs(th)时，MOS管开始导通，进入放大区……