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在实际应用中,以 增强型NMOS 和 增强型PMOS 为主。所以通常提到NMOS和PMOS指的就是这两种。
结合下图与上面的内容也能解释为什么实际应用以增强型为主,主要还是电压为0的时候,D极和S极能否导通的问题
下图列出了四种MOS管的比较:
三、MOS管原理
本文MOS管的原理说明以 增强型NMOS 为例。
了解MOS管的工作原理,能够让我们能更好的运用MOS管,而不是死记怎么用。
为了理解 MOS管的基本原理,首先要知道更基础的 N 型半导体 和 P 型半导体。
N 型半导体
N 型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
P型半导体
P型半导体又称空穴型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。
掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高。
3.1 MOS管的制造
MOS管是怎么制造的
以P型半导体为衬底,在一个 低掺杂容度 的 P 型半导体上,通过扩散技术做出来2块 高掺杂容度 的 N 型半导体,引出去分别作为 源级(S) 和 漏极(D)。
P型衬底在 MOS管内部是和 源级(S)相连。
在P型衬底和两个N型半导体 之间加一层 二氧化硅(SiO₂)绝缘膜,然后通过多晶硅引出引脚组成栅极(G)。
组成结构如下图(增强型N沟道为例):
3.2 MOS管命名由来
我们前面说过MOS管全名为:金属 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半导体 (Semiconductor)场效应晶体管,为什么会叫这个名字,我们通过上面的组成结构用图来说明:
3.3 MOS管图标由来
在前言部分我们就给出了MOS管的电路图标,那么我们还是通过MOS管 组成结构来说明:
3.4 MOS管原理简析
MOS管结构原理图解:
Vgs电压的强弱决定了反型层的厚薄!
而反型层的厚薄决定了MOS管内阻的大小!
内阻的大小决定了D和S之间经过电流的大小!
3.5 MOS管输出特性曲线
对于N沟道增强型的MOS管,当Vgs >Vgs(th)时,MOS就会开始导通,如果在 D 极和 S 极之间加上一定的电压,就会有电流Id产生。
在一定的Vds下,D极电流 Id 的大小是与 G极电压Vgs有关的。
我们先来看一下MOS管的输出特性曲线,MOS管的输出特性可以分为三个区:夹断区(截止区)、恒流区、可变电阻区。
VGS < VGS(th)时,MOS管处于夹断区(截止区):
夹断区在输出特性最下面靠近横坐标的部分,表示MOS管不能导电,处在截止状态。电流ID为0,管子不工作。
VGS≥VGS(th),且VDS>VGS-VGS(th),MOS管进入恒流区:
恒流区在输出特性曲线中间的位置,电流ID基本不随VDS变化,ID的大小主要决定于电压VGS,所以叫做恒流区,也叫饱和区,当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区(饱和区)。
注:MOS管输出特性的恒流区(饱和区),相当于三极管的放大区。
VGS>VGS(th) ,且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区:
可变电阻区在输出特性的最左边,Id随着Vds的增加而上升,两者基本上是线性关系,所以可以看作是一个线性电阻,当VGS不同电阻的阻值就会不同,所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。
击穿区:
随着VDS增大,PN结承受太大的反向电压而被击穿。
3.6 MOS管转移特性曲线
根据MOS管的输出特性曲线,可取得到相应的转移特性曲线。
反应了 MOS管的特性,通过 Vgs的电压来控制 ID(导通电流), 压控流型器件!
为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例?
说白了就是NMOS相对 PMOS 来说:简单点。
这个简单点,包括生产难度,实现成本,实现方式等等。对于人类发展而言,肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展,教学也是相同的道理,从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物,然后再步步深入。
究其根本原因,简单概括如下:
我们通过原理分析可以得知,NMOS 是电子的移动,PMOS那就是空穴的移动,空穴的迁移率比电子低,尺寸与电压相等的条件下,PMOS的跨导小于 NMOS,形成空穴沟道比电子沟道更难。
PMOS的阈值电压教NMOS高,因此需要更高的驱动电压,充放电时间长,开关速度更低。
PMOS的导通电阻大,发热大,相对NMOS来说不易通过大电流。
所以导致现在的格局:NMOS价格便宜,厂商多,型号多。PMOS价格贵,厂商少,型号少。(相对而言,其实MOS管发展到现在,普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号)
... by 矜辰所致,CSDN、公众号同名,因为发现文章盗用厉害,所以加上点彩蛋保护一下,暂时就加这么句话
四、MOS管特点
1、输入阻抗非常高,因为MOS管栅极有绝缘膜氧化物,甚至可达上亿欧姆,所以他的输入几乎不取电流,可以用作电子开关。
2、导通电阻低,可以做到几个毫欧的电阻,极低的传导损耗,。
3、开关速度快,开关损耗低,特别适应PWM输出模式。
4、在电路设计上的灵活性大,栅偏压可正可负可零,三极管只能在正向偏置下工作,电子管只能在负偏压下工作;
4、低功耗、性能稳定、抗辐射能力强,制造成本低廉与使用面积较小、高整合度。
5、极强的大电流处理能力,可以方便地用作恒流源。
所以现在芯片内部集成的几乎都是MOS管。
6、MOS管栅极很容易被静电击穿,栅极输入阻抗大,感应电荷很难释放,高压很容易击穿绝缘层,造成损坏。
前面的几点也可以说是MOS管的优点。最后一点容易击穿也是相对来说的,现在的mos管没有那么容易被击穿,不少都有二极管保护,在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。
用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯。
曾经使用使用过一个运放:TI 的 TLV70433,CMOS器件,因为焊接没注意防护静电,那结局真的是一言难尽。
五、MOS管参数
MOS管的参数在每一个MOS管的手册上面都有说明,比如:
这里推荐一篇博文,文内对每个参数有详细的解释:
对于实际项目应用,主要关注下面几个参数,其他参数可以自己根据需求你查看手册。
1、VGS(th)(开启电压)
当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时,漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。
应用中,常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。
MOS管的导通条件
MOS管的开关条件:
N沟道:导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通;
P沟道:导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。
MOS管导通条件:|Vgs| > |Vgs(th)|
2、VGS(最大栅源电压)
栅极能够承受的最大电压,栅极是MOS管最薄弱的地方,设计的时候得注意一下,加载栅极的电压不能超过这个最大电压。
3、RDS(on)(漏源电阻)
导通时漏源间的最大阻抗,它决定了MOSFET导通时的消耗功率。这个值要尽可能的小,因为一旦阻值偏大,就会使得功耗变大。
MOS管 导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
4、ID(导通电流)
最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。
场效应管的工作电流不应超过 ID 。
一般实际应用作为开关用需要考虑到末端负载的功耗,判断是否会超过 ID。
5、VDSS(漏源击穿电压)
漏源击穿电压是指栅源电压VGS 为 0 时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。
击穿后会使得 ID 剧增。
这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。
6、gfs(跨导)
是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比,
是表征MOS管放大能力的一个重要参数,是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。
过小会导致 MOS 管关断速度降低,过大会导致关断速度过快, EMI特性差。
7、充电参数
栅极充电信息:
因为MOS管的都有寄生电容,其被大多数制造厂商分成输入电容,输出电容以及反馈电容。
输入电容值只给出一个大概的驱动电路所需的充电说明,而栅极充电信息更为有用,它表明为达到一个特定的栅源电压栅极所必须充的电量。
MOS管的寄生电容
寄生电容是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。
实际上,一个电阻等效于一个电容,一个电感,一个电阻的串联,低频情况下表现不明显,而高频情况下,等效值会增大。
MOS管用于控制大电流通断,经常被要求数十K乃至数M的开关频率,在这种用途中,栅极信号具有交流特征,频率越高,交流成分越大,寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流,形成栅极电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视。
加在 G 极的弱驱动信号瞬间变为高电平,但是为了“灌满”寄生电容需要时间,就会产生上升沿变缓,影响开关频率。
在MOS管的规格书中,有这么几个电容参数:
对于这几个电容参数,看下图所示:
一般从单片机普通应用来说,我们对这个开关要求没那么高,如果不是特殊应用场合可以不用深究。
但是不能忽略寄生电容,所以在我们的MOS使用时候,就会在GS级加上一个电阻,用来释放寄生电容的电流。
米勒电容
这三个等效电容是构成串并联组合关系,它们并不是独立的,而是相互影响,其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的,它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化,同时会影响栅极和源极电容的充电。
额外说明一下,三极管也有米勒电容和米勒效应,但是相对来说MOS管的米勒电容会比三极管的大很多(具体原因由于工艺问题和MOS管特性问题,阻抗大 —> 电流小 —> 充电时间长 —> 等效电容大)。
米勒效应会严重增加MOS的开通损耗,因为它延长了MOS的开通时间,同时会降低MOS的开关速度。但因为MOS管的制造工艺,一定会产生Cgd,也就是米勒电容一定会存在,所以米勒效应不能避免,只有采用适当的方法减缓。
一般有四种方法:
①选择合适的门极驱动电阻RG
②在 G 和 S 之间增加电容
③采用负压驱动
④门极有源钳位
如果想具体了解的朋友,详细说明请参考这篇博文:米勒电容和米勒效应
为什么常在MOS管GS并联电阻?
借用我实际使用的一个电路:
其中 R1,就是我们现在说的GS间的并联电阻,上文说到过,电阻的作用是用来释放寄生电容的电流。
那么原因我们来分析一下,还是要借用一下上面的图:
总结一下:
1、起到防ESD静电的作用,避免处在一个高阻态。这个电阻可以把它当作是一个泄放电阻,避免MOS管误动作,从而 损坏MOS管的栅GS极;
2、提供固定偏置,在前级电路开路时,这个的电阻可以保证MOS有效的关断(理由:G极开路,当电压加在DS端时候,会对Cgd充电,导致G极电压升高,不能有效关断)
GS端电阻阻值选择:
建议是一般取5K至数10K左右,太大影响 MOS 管的关断速度。 太小驱动电流会增大,驱动功率增大。但是在有些地方大一点也无所谓,比如电源防反接等不需要频繁开关的场合(上面示例图)。
为什么要在MOS管G级串联电阻?
还是在上面的示例图,R2,就是G级的串联电阻。这个电阻有什么作用呢?
串联电阻还是因为寄生电容!在G级 串联一个电阻,与 Ciss(Ciss = Cgd+Cgs)形成一个RC充放电电路,可以减小瞬间电流值, 不至于损毁MOS管的驱动芯片。
网上还有一种说法是:抑制振荡
MOS管接入电路,也会有引线产生的寄生电感的存在,与寄生电容一起,形成LC振荡电路。对于开关方波波形,是有很多频率成分存在的,那么很可能与谐振频率相同或者相近,形成串联谐振电路。
串联一个电阻,可以减小振荡电路的Q值,是振荡快速衰减,不至于引起电路故障。
G级电阻阻值选择:
一般不建议太大,网上建议百欧以内,会减缓MOS管的开启与通断时间,增加损耗,但是在有些地方大一点也无所谓,比如电源防反接等不需要频繁开关的场合(上面示例图)。
最后说明一下上面这两个问题,具体情况要具体分析,电阻的选择不是绝对的,比如上面示例我实际使用的电路,我 GS 的并联电阻使用了1M,G级串联的电阻使用了10K,对于我的防反接电路来说,也是正常的,大一点还能降低点电量工作时候的功耗。
虽然不能给出绝对的参考,但是我们分析了电阻大小对电路的影响,所以根据自己使用的场合才能最终确定自己合适的阻值。
六、MOS管的封装
不同的封装形式,MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样,这里根据博主使用过的和一些常见的做一些介绍。
1、SOT-23
一般单片机方案中最常用的封装,适于几A电流、60V及以下电压环境中采用。
比如:AO3401 ,BSS84
2、SOT-223
也是单片机方案中最常用的封装,一般也是几A电流、60V及以下电压环境。
比如:IRFL9014TRPBF, ZXMP6A17GTA
3、TO-252
是目前主流封装之一,电流可以到70A,电压100V以内(电压与电流成反比,电流越大,电压越小)。
比如:SM4286T9RL
4、TO-220/220F
这两种封装样式的MOS管外观差不多,可以互换使用,不过TO-220背部有散热片,其散热效果比TO-220F要好些,价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。
比如: IRF4905PBF,NCE6050A
另外还有一些其他的封装:TO-263,TO-3P/247,TO-251,TO-92,SOP-8,就不一一介绍了。
主要在单片机系统领域,其他的封装用得不太多,博主确实也没用过。
七、MOS管判别
以下图封装的MOS管为例说明,除了SOT-23 封装,只要是这种类型3脚的封装,
那么他的G、D、S一定是按照下图所示的方向定义的(有错误请指出):
重要:如果用测量之前将MOS的3个极短接,泄放MOS管内部电荷,确保MOS截止!!!
判别是NMOS 还是 PMOS 以及MOS管好坏。
将万用表调至二极管档,将红表笔接在MOS的S极,黑表笔接在D极,
如果这时候万用表显示0.4V~0.9V(二极管特性,不同MOS管有一定差异)电压值,说明这很可能是一个 NMOS;如果没有读数,说明这很可能是一个PMOS,
为什么说很可能是,因为得考虑到一种情况,MOS管D和S已经击穿损坏或者是寄生二极管开路损坏。
所以只需要将上面的红黑表笔返回来再测试一遍,如果情况相反,那么就能够判断是 NMOS 还是PMOS。
如果上面操作万用表都显示一定的电压值,代表MOS管D和S已经击穿损坏。
如果上面操作万用表都显示1,代表MOS管寄生二极管开路损坏。
将万用表调至蜂鸣器档或者电阻档,将红表笔接在MOS的G极,黑表笔接在S极,蜂鸣器不会响,GS阻抗比较大,代表GS没有击穿损坏。
另外说明:网上确实有文章使用万用表判断一个MOS管的G,S,D级,可这里我在实际工作中,确实真没有用到过,但并不表示我认为没有用。如果今后真实遇到,我会来更新此部分。
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路损坏。
将万用表调至蜂鸣器档或者电阻档,将红表笔接在MOS的G极,黑表笔接在S极,蜂鸣器不会响,GS阻抗比较大,代表GS没有击穿损坏。
另外说明:网上确实有文章使用万用表判断一个MOS管的G,S,D级,可这里我在实际工作中,确实真没有用到过,但并不表示我认为没有用。如果今后真实遇到,我会来更新此部分。
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