MOS管开关时的米勒效应——详细分析

米勒效应导致MOSFET输入电容放大,影响开关速度和损耗。文章详细介绍了MOSFET结构、寄生电容分布,以及米勒平台形成的过程,解释了米勒效应如何在MOSFET开通时产生平台电压,延长开关时间并增加损耗。
摘要由CSDN通过智能技术生成

前言

对于MOSFET,米勒效应(Miller Effect)指其输入输出之间的分布电容(栅漏电容)在反相放大作用下,使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应,MOSFET栅极驱动过程中,会形成平台电压,引起开关时间变长,开关损耗增加,给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。在这里记录下自己的学习过程,如果有不对的地方,请指正。

提示:以下是本篇文章正文内容,下面案例可供参考

一、什么是米勒效应(Miller Effect)?

在这里插入图片描述

将图(a)中X,Y两点的阻抗,等效为图(b)
在这里插入图片描述
可以推出
在这里插入图片描述
同样的,
在这里插入图片描述
假设一个增益为-Av 的理想反向电压放大器
在放大器的输出和输入端之间连接一个阻值为Z 的电容,
在这里插入图片描述
可以推出:
在这里插入图片描述
把阻抗Z 替换为容值为C 的电容,
在这里插入图片描述
由此可见,反向电压放大器增加了电路的输入电容,并且放大系数为(1+Av)。

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