FLASH概述

    Flash 是存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据。Flash 存储器又称闪存，它结合了ROM 和RAM 的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM 的优势）， U 盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash 全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader 以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U 盘）。

 

目前Flash 主要有两种NOR Flash 和NADN Flash。NOR Flash 的读取和我们常见的SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少SRAM 的容量从而节约了成本。NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash 比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash 上的代码，因此好多使用NAND Flash 的开发板除了使用NAND Flah 以外，还作上了一块小的NOR Flash 来运行启动代码。一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH 应用是嵌入式系统采用的D O C（Disk On Chip）和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。NOR Flash 和NAND Flash 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM 中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND 的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND 的困难在于Flash 的管理和需要特殊的系统接口。通常NOR 的速度比NAND稍快一些，而NAND 的写入速度比NOR 快很多，在设计中应该考虑这些情况。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu Mxic，而生产NAND Flash 的主要厂家有Samsung 和Toshiba 及Hynix。

 

Flash 闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR 器件时是以64～128KB 的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND 器件是以8～32KB 的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR 和NADN 之间的性能差距，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR 的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素：NOR 的读速度比NAND 稍快一些； NAND 的写入速度比NOR 快很多；NAND 的4ms 擦除速度远比NOR 的5s 快；大多数写入操作需要先进行擦除操作； NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

 

NOR flash 带有SRAM 接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND 器件使用复杂的I/O 口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND 读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND 的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

 

NAND flash 的单元尺寸几乎是NOR 器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash 占据了容量为1～16MB 闪存市场的大部分，而NAND flash 只是用在8～128MB 的产品当中，这也说明NOR 主要应用在代码存储介质中，NAND 适合于数据存储，NAND 在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards 和MMC 存储卡市场上所占份额最大。

 

采用flahs 介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF 的系统来说，Flash 是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR 和NAND 的可靠性。在NAND 闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR 的擦写次数是十万次。NAND 存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND 块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND 存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

 

所有flash 器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND 发生的次数要比NOR 多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND 闪存，NAND 的供应商建议使用NAND 闪存的时候，同时使用EDC/ECC 算法。这个问题对于用NAND 存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC 系统以确保可靠性。

 

NAND 器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

 

可以非常直接地使用基于NOR 的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O 接口，NAND 要复杂得多。各种NAND 器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND 器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。