带隙基准(Bandgap,BG)

最新推荐文章于 2025-03-10 21:28:50 发布
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分类专栏： IC
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本文深入解析带隙基准(Bandgap)原理，介绍其经典设计，即通过正比于温度的电压与反比于温度的电压相加，实现温度无关的1.25V基准电压，适用于OSC等电路。

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带隙基准(Bandgap,BG)

Bandgap voltage reference，常常有人简单地称它为Bandgap。最经典的带隙基准是利用一个与温度成正比的电压与一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准，约为1.25V。bandgap可为OSC 提供基准电压。

 

参考文献：

[1] bandgap的设计. http://www.eetop.cn/blog/html/90/757190-24701.html

[2] 带隙基准. 百度百科.

[3] Bandgap的作用. http://bbs.eetop.cn/thread-299926-1-1.html

带隙基准及LDO电路
Srambler的博客
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一、带隙基准 带隙基准一般是将正温度系数电压和负温度系数电压叠加，从而形成一种与温度无关的基准源。 下图是一种带隙基准电路（基本与Chris的模拟IC仿真教程中的电路一致）。主要涉及启动电路、偏置电路、使能控制、放大器和带隙基准核心部分。 带隙基准模块测试如下。VDD=3.3V，EN为使能控制端，VBG输出基准电压，Vbias输出偏执电压（可以为其它模块提供偏执点）。 瞬态仿真结果，VBG（C1）的输出电压为1.2179V。EN信号控制带隙基准电压的开启和关断。 开启瞬态： ...
五个带隙基准电路，包含曲率补偿的BGR，包含高PSRR的BGR
neDlJVl的博客
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本文设计的高PSRR的BGR采用了xxx结构，通过优化差动放大器的增益和带宽，进一步提高了电路的PSRR性能。曲率补偿的BGR通过引入曲率补偿电流，能够减小电路输出电压对运行温度的敏感度，提高电路的稳定性。本文设计的曲率补偿的BGR采用了xxx结构，通过对电流源、电流比例和电流镜像的优化，实现了对温度变化的抵消。本文设计的带隙基准电路采用了0.18um工艺，通过曲率补偿和高PSRR的设计，进一步提升了电路的性能。五个带隙基准电路，包含曲率补偿的BGR，包含高PSRR的BGR，基于0.18um的基准源电路。
【模拟CMOS集成电路设计】带隙基准（Bandgap）设计与仿真（基于运放的电流模BGR）
qq_45689790的博客
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此次设计，使用电流镜结构为基础的BandgapBandgapBandgap来满足设计指标，主要目标是在结构简单的前提下满足设计指标要求，本文供学习参考。关于BGRBGRBGR的基础，可以看【笔记：模拟MOS集成电路】带隙基准（基本原理+电流模+电压模电路详解）文末附带核心管支路关键参数计算方法本次Bandgap设计，通过基于运放结构的电路模BGR。 最终给出设计工程文件供学习参考，以及核心管支路关键参数计算方法，方便对电路进一步加深理解，轻松自己设计一个BGR。
带隙基准
qq_34324044的博客
10-02 1万+
带隙基准 目的建立一个与电源和工艺无关，具有确定温度特性的直流电压或者电流。 在大多数应用中，所要求的温度关系有以下三种形式： 1、与绝对温度成正比（PTAT）; 2、常数Gm特性即一些晶体管的跨导保持常数； 3、与温度无关。 因此，设计带隙基准的问题可以分为两种：与电压无关的偏置和温度变化关系的确定。除了随电源、工艺、温度波动引起的性能变化外，基准的其他参数也是关键的输出阻抗、输出噪声和功耗。 +++ 1、与电源无关的偏置 如上图12（a）所示，如果Iref不随VDD变化，并且忽略M2和M3的沟道长度调
【模拟CMOS集成电路设计】带隙基准（Bandgap）设计与仿真（基于cascode电流镜的电流模BGR）
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qq_45689790的博客
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   在模拟电路中，广泛的包含电压基准和电流基准，而且电路增益、输出噪声和功耗等参数常与基准直接相关。这种基准一般是直流量，要求基准与电源、工艺参数以及温度无关（PVT）。而下面要讨论的带隙基准，主要作用就是建立一个与温度无关的基准源。  产生基准的目的是建立一个与电源电压和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流。  在模拟电路中，大多数工艺参数是随着温度变化的，零温度系数的基准常通过两个具有相反温度系数(TC)的量以适当的权重相加得到。可以有如下数学表达 因此我们必须确定具有正温度系数和负温度系数的两
带隙基准电路
qq_46579389的博客
10-09 9256
趁着国庆调了几个bandgap
UMC180nm 带隙基准电压源
最新发布
03-14
### 关于 UMC 180nm 工艺下的带隙基准电压源设计与实现 #### 设计概述 带隙基准电压源是一种广泛应用于模拟和混合信号电路中的关键模块，其主要功能是在宽温度范围和电源电压变化的情况下提供稳定的参考电压。对于采用 UMC 180nm CMOS 工艺的带隙基准电压源设计，通常涉及以下几个方面： - **基本结构**：常见的带隙基准电压源基于 Banba 结构或改进型电流模式 BG 架构[^1]。 - **性能指标**：在该工艺节点下，典型的设计目标包括低功耗、高精度以及良好的电源抑制比 (PSRR) 和温度稳定性。例如，在前仿阶段可以达到约 18ppm 的温度系数，而后仿阶段由于寄生效应的影响可能上升至 57ppm。 #### 版图设计要点 为了确保最终产品的可靠性，版图设计需遵循严格的规则并完成一系列验证步骤： - **DRC/LVS 验证**：通过 Cadence 或其他 EDA 工具执行设计规则检查 (Design Rule Check, DRC) 和布局与原理图一致性校验 (Layout vs Schematic, LVS)，以确认物理实现满足制造要求。 - **PEX 提取**：利用 Parasitic Extraction Tool 对互连网络进行精确建模，从而更真实地反映实际芯片行为。 - **后仿真分析**：结合提取后的网表重新评估电路特性，特别是关注因寄生电阻电容引入的变化如何影响整体表现。 #### 启动机制与补偿策略 考虑到启动过程中可能出现的问题，许多设计方案会集成专门的启动电路来规避潜在风险；同时针对不同应用场景还应考虑频率响应特性的优化措施，比如加入极点零点抵消环节提升动态性能等。 以下是部分 Python 脚本用于自动化处理某些常见任务的一个简单例子: ```python import os def run_drc_lvs_checks(design_name): """Run DRC and LVS checks on the given design.""" drc_command = f"calibre -drc {design_name}.drc" lvs_command = f"calibre -lvs {design_name}.lvs" print(f"Running DRC check for {design_name}...") os.system(drc_command) print(f"Running LVS check for {design_name}...") os.system(lvs_command) if __name__ == "__main__": project_designs = ["bandgap_circuit", "opamp_stage"] for design in project_designs: run_drc_lvs_checks(design) ``` 此脚本展示了如何调用 Calibre 工具来进行批量化的 DRC 及 LVS 测试操作。
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