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RSS订阅原创 分离栅VDMOS
分离栅VDMOS是在传统沟槽栅VDMOS的基础上将栅极分为两段，底部的栅极和源极接相同电位，从而屏蔽了部分栅漏间的电容。该结构有助于减小Miller电容，提高器件的开关速度。
2022-09-07 13:05:03
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原创 Buck零电压准谐振变换器
功率管在开通和关断的过程中均会产生损耗。随着开关频率的不断提高，开关功耗在额定功率中的占比将随之增大，电源效率降低。目前许多应用中功率管属于硬开关状态，即电流与电压产生较大交叠区域，导致开关功耗较高。若将硬开关过程替换为软开关，将显著减小器件的开关损耗。二、Buck零电压准谐振变换器原理图常规的Buck电路属于典型的硬开关电路，其原理图如下图所示。由于二极管的钳位，在功率管开启过程中，电流先上升到最大位置电压
2022-04-09 19:33:56
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原创 GGNMOS ESD保护器件
栅极接地的NMOS器件（GGNMOS）常用作ESD保护装置。下图所示给出了一种NMOS结构，该结构将栅极、源极、衬底接触极短接可实现ESD保护器件功能。该结构的I-V曲线：漏极与衬底二极管发生雪崩击穿后，载流子的倍增效应将产生较大的电流，通过衬底电阻流到地。当电流继续增大，衬底电阻上的压降达到PN结阈值电压后，NMOS寄生BJT的BE结正偏导通。由于BJT对电流具有放大作用，只需要雪崩少量的基极电流就可以通过BJT放大，形成对ESD电流的有效泄放通路。漏源间的电压将会降低，呈现负阻。当电压降到最低点
2021-09-20 08:53:51
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原创 PWM电压型同步Buck系统
同步Buck系统可以有效地实现DC-DC降压功能，并且具有较高的效率。下图所示是一种PWM电压型同步Buck系统的原理图，该电路的主要工作机制是利用FB对输出进行采样并与参考电压REF进行比较放大获得误差信号，误差信号再与锯齿波进行比较获得PWM信号进而控制高低侧功率管开关。该Buck系统接口如下：VDD（逻辑部分电源）；VDRV（高低侧驱动部分电源）；EN（使能信号端）；FB（反馈端）；VIN（输入电压端）；BST（自举升压端）；SW（开关端）；GND（接地端）。VDD和VDRV也可以设计..
2021-09-11 23:21:37
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原创 振荡器（OSC）
在Buck系统中需要一个锯齿波与放大后的误差信号进行比较，从而产生相应的PWM信号控制功率器件的开关。锯齿波的产生主要由电流源对电容进行周期性地充放电。下图为一种振荡器结构。Vbias电平驱动一个PMOS管形成电流源，PMOS电流源下方的PMOS开关周期性导通从而对电容进行充电，PMOS开关下方的NMOS开关周期性导通从而对电容进行放电，充电速率远小于放电速率进而产生锯齿波。电容上的电平输入到两个比较器的输入端，两个比较器分别设置两个阈值电压确定翻转点，电容上的电压大于高点阈值开始放电，小于低点阈值开始
2021-09-05 20:48:02
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原创 带隙基准及LDO电路
一、带隙基准带隙基准一般是将正温度系数电压和负温度系数电压叠加，从而形成一种与温度无关的基准源。下图是一种带隙基准电路（基本与Chris的模拟IC仿真教程中的电路一致）。主要涉及启动电路、偏置电路、使能控制、放大器和带隙基准核心部分。带隙基准模块测试如下。VDD=3.3V，EN为使能控制端，VBG输出基准电压，Vbias输出偏执电压（可以为其它模块提供偏执点）。瞬态仿真结果，VBG（C1）的输出电压为1.2179V。EN信号控制带隙基准电压的开启和关断。开启瞬态：...
2021-08-09 21:43:54
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原创 DrMOS电路仿真
将驱动电路与功率MOS集成化后既是DrMOS。把驱动芯片以及上下桥MOSFET封装在一起，这样每一相供电就有了单独的驱动芯片，并且这种高度整合的MOSFET可以通过更高的电流、发热比传统的MOSFET也小很多且更节能自举升压同步BUCK高低侧栅驱动电路原理及仿真...
2021-06-20 13:05:00
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原创 低压LDMOS电学特性
一种带有NBL的N型低压LDMOS多元胞结构图：简化结构及有限元仿真网格：a) 击穿电压仿真结果（BV=29V）：电势（pink）电流（blank）分布：
2021-06-05 23:05:21
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原创 自举升压同步BUCK高低侧栅驱动电路原理及仿真
简易自举升压同步BUCK高低侧栅驱动电路图：其中的主要部分是高侧的电平移位电路、BST和SW间的自举升压电容以及VDRV到BST的周期性充电二极管。带死区时间的自举升压同步BUCK高低侧栅驱动模块仿真图：VIN=6V，VDRV=3.3V。电流源为10mA，用于模拟电感电流。BST接口用大电阻接地，用于观察波形。PWM为周期1us占空比0.5us的周期控制信号。仿真结果：HS-gate，LS-gate，BST 和SW波形的局部特征：...
2021-05-30 15:19:58
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原创 Medici三维数据提取
Medici_3D_Data_Extraction（基于Tkinter）一个LDMOS的medici耐压特性仿真效果一般如下（三维数据图较为简陋）：Medici_3D_Data_Extraction软件可以提取三维数据，然后通过Origin软件则能够实现优秀的视觉效果 。Medici_3D_Data_Extraction的用法将Medici_3D_Data_Extraction...
2020-02-25 19:01:06
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原创 Medici_2013和Tsuprem4_2013安装文件
获得license后绝对可用Medici_2013二维器件仿真软件下载：https://download.csdn.net/download/chulan3207/12157675 Tsuprem4_2013二维工艺仿真软件下载：https://download.csdn.net/download/chulan3207/12157655 ...
2020-02-19 09:30:14
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原创 icwbev_plus_vG-2012.06-SP3无法使用sentaurus命令产生.mac文件
仿真环境：Redhat6.5+Sentaurus_2016+icwbev_plus_vG-2012.06-SP3icwbev能够产生后缀为.mac的版图信息文件，Sentaurus的sprocess调用.mac文件进行工艺仿真。仿真问题：比如，Sentaurus例库中的BCD_ICWBinSWB工程无法正常运行，因为icwbev工具中不支持如下命令：sentaurus export l...
2020-02-15 23:43:44
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原创 TCAD软件(Sentaurus、Silvaco、Medici、Tsuprem4)安装总结
工欲善其事，必先利其器TCAD软件在半导体器件设计中至关重要，经过无数次的尝试终于将Sentaurus、Silvaco、Medici、Tsuprem4这四款主要的TCAD软件成功地安装在了同一平台（Redhat6.5）上，省去了重复开关虚拟机的麻烦。Medici、Tsuprem4这两款经典的TCAD软件已经归并到Sentaurus中，目前很难再找到它们的新版本（本人所能够找到的最高版本为M...
2020-02-12 18:08:53
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原创 C语言读取BMP文件信息并在CMD窗口显示图片
BMP文件信息读取并在CMD窗口显示图片位图的基本格式可以参考其它博客，这里不进行详细说明。原始图片及文件信息原始图片可以在网上下载24位颜色的位图，然后用画图工具进行裁剪编辑，为简单起见，我们限定只使用黑白两种颜色，位图的大小建议不要过大，因为CMD窗口无法显示完全。 效果图代码及说明水电费水的法...
2018-08-27 21:09:22
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Tsuprem4 2013版 User Guide
2020-03-18
Medici 2013版 User Guide
2020-03-18
Medici_3D_Data_Extraction.py
2020-02-25
taurus_medici_vH_2013.03.rar
2020-02-15
taurus_tsuprem4_vH_2013.03.rar
2020-02-15
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