清翔零基础教你学51单片机_个人学习笔记(14)_数字温度传感器DS18B20（理论+实践）

最新推荐文章于 2024-04-08 18:39:14 发布

BO_S__

最新推荐文章于 2024-04-08 18:39:14 发布

阅读量1.1k

点赞数 2

分类专栏：清翔51学习笔记文章标签： 51单片机学习笔记

本文链接：https://blog.csdn.net/BO_S__/article/details/132158221

版权

清翔51学习笔记专栏收录该内容

19 篇文章 22 订阅

订阅专栏

说明

本人使用的是清翔的51单片机开发板，如果型号相同最方便，但是如果型号不同也可以参考，因为芯片都是一样的，只是外设不同而已，使用时只需要对照自己的开发板原理图稍微修改下引脚即可。

|

本次笔记对应视频教程的第40，,41集数字温度传感器DS18B20（理论+实践）

如果笔记之中有任何错误，请在评论区指出，谢谢

一、DS18B20

1.1 总览

注意中文数据手册有些许错误，看的时候需要留心。

1.2 两种供电方式

DS18B20可以不接VCC而从数据引脚吸取电源，这样最少只需要数据脚和接地两根线就行了。

1.3 温度寄存器的格式

S为0表示正的温度，S为1表示负的温度

注：上电默认温度85℃

1.4 内部存储器结构

设置完数据之后可以再发送拷贝命令把数据复制到EEPROM中，上电后会自动把EEPROM的数据复制到TH,TL,和配置寄存器中，实现掉电不丢失数据。

配置报警

位0和位1是测得的温度，位2位3是用户设置的高低温度报警数据，位4是配置寄存器

配置精度

存储器位4是配置精度的

1.5 访问DS18B20的顺序

通过单线总线端口访问 DS18B20 的协议如下：

步骤1. 初始化
步骤2. ROM 操作指令必须先发出一条ROM指令表明了顺序很重要
步骤3. DS18B20 功能指令

每一次 DS18B20 的操作都必须满足以上步骤，若是缺少步骤或是顺序混乱，器件将不会返回值。

1.6 ROM指令

Search ROM [F0h] ( 搜索 ROM 指令)

READ ROM [33h] （读取 ROM 指令）

MATH ROM [55h] （匹配 ROM 指令）

SKIP ROM [CCh] ( 忽略 ROM 指令)

ALARM SEARCH [ECH] 报警搜索指令

1.7 功能指令

1.8 功能指令总结表

二、单总线信号

2.1 初始化时序

主机先拉低总线480us以上，构成复位脉冲，然后释放总线，DS18B20会在探测到上升沿后，等待15到60us，再拉低总线60到240us构成存在脉冲。

2.2 写时序

要产生写时序，先把总线拉低至少1us，如果写0，总线必须拉低60到120us，然后释放总线，如果写1，在写时序之后15us内把总线拉高，总时长要大于60us。注意两次写周期之间至少要间隔1us

2.3 读时序

要产生读时序，必须把总线拉低至少1us，然后释放总线，在读信号开始后15us内总线控制器采样总线数据，读一位数据至少保持在60us以上。两次读周期之间至少间隔1us

2.4 操作举例

三、开发板原理图上的DS18B20

由于开发板上只挂载了1个DS18B20，所以可以直接发送忽略ROM指令，不需要发送64位地址，节省时间。

四、编程

4.1 创建工程

复制上一份工程文件夹，修改名称为“14.数字温度传感器DS18B20”，进入项目文件夹，打开工程文件，删除main.c函数的内容。

4.2 main.c

void main()
{
    int TEM;
    uchar TEML;
    uchar TEMH;
    while(1)
    {
        DSinit();       //初始化DS18B20
        DSWriteByte(0xCC);  //发送忽略ROM指令
        DSWriteByte(0x44);  //发送温度转换功能指令
        //上面3个步骤已经完成，再次操作需要再次进行3步
        DSinit();       //初始化DS18B20
        DSWriteByte(0xCC);  //发送忽略ROM指令
        DSWriteByte(0xBE);  //读取暂存器功能指令
        TEML = DSReadByte();    //读取1个字节(温度低位)
        TEMH = DSReadByte();    //读取1个字节(温度高位)
        DSinit();       //停止读取数据
        TEM = TEMH;
        TEM <<= 8;
        TEM |= TEML;
        TEM = TEM * 0.0625*10 + 0.5;    //扩大十倍并四舍五入
        SEG_DIS3(TEM);
        SEG_DIS(2,22);
    }
}

/**********************************************************************************/
/*************************  DS18B20  *********************************************/
/**********************************************************************************/

    //DS18B20初始化
bit DSinit()
{
    bit i;
    DS = 1;
    _nop_();
    DS = 0;
    delay_us(73);  //11.95 + 6.5*x = 480,得x ≈ 73
    DS = 1;     //释放总线
    delay_us(8);  //等待60us, 11.95 + 6.5*x = 60,得x=8
    i = DS;
    delay_us(29);  //等待DS发送完存在信号，200us, 11.95+6.5*x=200,得x=29
    DS = 1;
    return (i);
}

    //DS18B20写时序，写一个字节
void DSWriteByte(uchar DAT)
{
    uchar i;
    DS = 1;
    for (i = 0; i < 8; i++)
    {
        DS = 0;
        _nop_();
        DS = DAT & 0x01;
        DAT >>= 1;
        delay_us(11);  //写0和写1都要求时长超过60us,11.95+6.5*x=80,->x=11
        DS = 1;     //释放总线，等待下一次传输
        _nop_();
    }
    DS = 1;
}

    //DS18B20读一个字节
uchar DSReadByte()
{
    uchar i;
    uchar j;
    uchar dat;
    DS = 1;
    for (i = 0; i < 8; i++)
    {
        DS = 0;
        _nop_();    //产生读时序
        DS = 1;     //释放总线
        delay5us(); //延时一会儿
        j = DS;
        delay_us(10);   //延时等待这次数据DS18B20发送完全
        DS = 1;
        _nop_();
        dat = (j<<7)|(dat>>1);	//接收到的数据是从低位到高位，顺序调换一下
    }
    return (dat);     
}

void delay_us(uchar us)
{
    while(us--);    //进入需要11.95us，执行一次us--需要6.5us
}

delay_us的时间可以用debug功能查看。本代码并未考虑温度为负的情况。根据温度寄存器的格式，高字节前5位都是符号位，所以可以判断高字节前5位的任何1位是否为1，为1则表示温度为负。再处理一下数码管显示部分，就可以实现负温度显示了。

注意负数是以补码的形式存储在内存中的，所以还要处理一下，还原温度值。关于负数如何以补码的形式存储，请自行查阅资料。为了验证自己的负数代码是否正确，可以注释掉从DS18B20读取数据的代码，然后自己手动给对应的变量赋值，编译下载看数码管是显示正常。

对于显示位数，也可以通过处理显示函数来实现，温度整数部分最大是3位，小数部分最大是4位，可以先判断温度是否为负，来决定是否显示负号，再判断百位，十位，个位是不是0，如果是0则不显示，位置可以用一个变量来判断，某个位有数字显示（非0），就显示完之后让这个变量自加，如果某个位是0，就不运行这个位的代码，从而能实现自动向左靠齐。个位判断完后，在个位显示代码里面要加上小数点，然后再处理剩下的小数部分。小数部分最多4位，如果想实现不显示小数最后的0，可以判断最后1位是否为0，为0则不显示，如果最后一位为0，再判断倒数第2位是否为0，如此连续判断4位小数，就可以实现去掉小数末尾的0

在显示全部整数和小数中，就没必要进行四舍五入了，直接显示原转换精度，把转换后的TEM乘以0.0625再乘以10000，这样就能去掉全部的小数，把小数转换成了一个整数，再送入数码管显示处理。

注意，由于DS18B20测温范围最大125℃，日常测温在10到40度之间，但是第二位的小数点是手动打上去的，实际变量的值要乘以10倍，也就是100到400，超过了uchar类型的范围，因此我修改了一下SEG_DIS3为

void SEG_DIS3(uint i) 
{
    SEG_DIS(1, i / 100);
    SEG_DIS(2, i % 100 / 10);
    SEG_DIS(3, i % 10);
}

只需要修改一下参数由uchar编程uint就行了。

如果想要修改成其他精度，可以参考

1.5 访问DS18B20的顺序
1.6 ROM指令
1.7 功能指令

这三个小节的内容。

	DSinit();//初始化DS18B20
	DSWriteByte(0xcc);//发送跳跃ROM指令
	DSWriteByte(0x4e);//写暂存器指令
	DSWriteByte(0x7f);
	DSWriteByte(0xf7);
	DSWriteByte(0x1f);//配置工作在9位模式下
	DSinit();//初始化DS18B20
	DSWriteByte(0xcc);//发送跳跃ROM指令 
	DSWriteByte(0x48);//把温度上下限和精度设置存储到EEPROM中，下次上电自动读取

这些内容放在while循环的前面就行了，因为这些内容只需要执行一次，不需要一直在while循环里面重复执行，而且EEPROM有写入次数限制

4.3 main.h

写入函数声明和变量定义

/**************  DS18B20函数  *************************/
bit DSinit();                //DS18B20初始化
void DSWriteByte(uchar DAT);    //DS18B20写时序，写一个字节
uchar DSReadByte();         //DS18B20读一个字节

sbit DS = P2^2;

4.4 修改后的代码

void SEG_DIS(uchar position, uchar number)
{
    //P0 = 0xFF;
    DU = 0;
    P0 = we[position - 1];
    WE = 1;
    WE = 0;
    
    //P0 = 0x00;
    P0 = du[number];
    DU = 1;
    DU  = 0;
}

bit s;  //标志温度是否为负的变量

void main()
{
    //这些内容只需要执行一次即可，执行完可以注释掉
    unsigned long TEM;
    uchar TEML;
    uchar TEMH;
    uchar i;
//    
//    DSinit();       //初始化DS18B20
//    DSWriteByte(0xCC);  //发送忽略ROM指令
//    DSWriteByte(0x4e);  //写暂存器指令
//    DSWriteByte(0x1e);   //设置报警温度上限：30
//    DSWriteByte(0x1d);   //设置报警温度下限：29
//    DSWriteByte(0x7f);  //设置12位精度
//    
//    DSinit();       //初始化DS18B20
//    DSWriteByte(0xCC);  //发送忽略ROM指令
//    DSWriteByte(0x48);  //拷贝暂存器数据到EEPROM实现掉电不丢失
    //循环部分
    while(1)
    {
        
        DSinit();       //初始化DS18B20
        DSWriteByte(0xCC);  //发送忽略ROM指令
        DSWriteByte(0x44);  //发送温度转换功能指令
        //上面3个步骤已经完成，再次操作需要再次进行3步
        DSinit();       //初始化DS18B20
        DSWriteByte(0xCC);  //发送忽略ROM指令
        DSWriteByte(0xBE);  //读取暂存器功能指令
        TEML = DSReadByte();    //读取1个字节(温度低位)
        TEMH = DSReadByte();    //读取1个字节(温度高位)
        DSinit();       //停止读取数据
        TEM = TEMH;
        TEM <<= 8;
        TEM |= TEML;
        if (TEMH & 0x80)    //符号位为1，说明温度小于0，需要根据补码求原码，显示负号
        {
            TEM = ~TEM + 1;
            s = 1;
        }
        else
            s = 0;  //温度为正数，不显示负号，标志位为0
        TEM = TEM * 0.0625*10000;    //扩大10000倍,4位小数全部变成整数
        i = 0;
        //符号位
        if (s) SEG_DIS(++i, 20);
        //百位
        if (TEM < 1000000);
        else SEG_DIS(++i,TEM/1000000%10);
        //十位
        if (TEM < 100000);
        else SEG_DIS(++i,TEM/100000%10);
        //个位
        SEG_DIS(++i,TEM/10000%10);
        delay(1);       //延时是因为个位显示比较暗
        SEG_DIS(i,22);
        //第一位小数
        SEG_DIS(++i,TEM/1000%10);
        //倒数第3位小数
        if (TEM % 1000) SEG_DIS(++i,TEM/100%10);
        //倒数第2位小数
        if (TEM % 100) SEG_DIS(++i,TEM/10%10);
        //最后1位小数
        if (TEM%10) SEG_DIS(++i,TEM%10);
    }
}

/**********************************************************************************/
/*************************  DS18B20  *********************************************/
/**********************************************************************************/

    //DS18B20初始化
bit DSinit()
{
    bit i;
    DS = 1;
    _nop_();
    DS = 0;
    delay_us(73);  //11.95 + 6.5*x = 480,得x ≈ 73
    DS = 1;     //释放总线
    delay_us(8);  //等待60us, 11.95 + 6.5*x = 60,得x=8
    i = DS;
    delay_us(29);  //等待DS发送完存在信号，200us, 11.95+6.5*x=200,得x=29
    DS = 1;
    return (i);
}

    //DS18B20写时序，写一个字节
void DSWriteByte(uchar DAT)
{
    uchar i;
    DS = 1;
    for (i = 0; i < 8; i++)
    {
        DS = 0;
        _nop_();
        DS = DAT & 0x01;
        DAT >>= 1;
        delay_us(11);  //写0和写1都要求时长超过60us,11.95+6.5*x=80,->x=11
        DS = 1;     //释放总线，等待下一次传输
        _nop_();
    }
    DS = 1;
}

    //DS18B20读一个字节
uchar DSReadByte()
{
    uchar i;
    uchar j;
    uchar dat;
    DS = 1;
    for (i = 0; i < 8; i++)
    {
        DS = 0;
        _nop_();    //产生读时序
        DS = 1;     //释放总线
        delay5us(); //延时一会儿
        j = DS;
        delay_us(10);   //延时等待这次数据DS18B20发送完全
        DS = 1;
        _nop_();
        dat = (j<<7)|(dat>>1);	
    }
    return (dat);     //接收到的数据是从低位到高位，顺序调换一下
}

4.5 现象

位数会随温度变化而变化，要测试负数，可以自己赋值s=1

本次笔记对应视频教程的第40，,41集数字温度传感器DS18B20（理论+实践），到此结束。

|

下次笔记将对应视频教程的第42，43集红外通讯（理论+实践）

|

如果笔记之中有任何错误，请在评论区指出，谢谢

BO_S__

关注

2
点赞
踩
11

收藏

觉得还不错? 一键收藏
0
评论
清翔零基础教你学51单片机_个人学习笔记(14)_数字温度传感器DS18B20（理论+实践）

说明本人使用的是清翔的51单片机开发板，如果型号相同最方便，但是如果型号不同也可以参考，因为芯片都是一样的，只是外设不同而已，使用时只需要对照自己的开发板原理图稍微修改下引脚即可。本次笔记对应视频教程的第40，,41集数字温度传感器DS18B20（理论+实践）
复制链接

扫一扫