场效应管（FET）总结：

目标：

能够区分清楚结型、绝缘栅型增强型和耗尽型的性质

由于Notion的图片不好上传至CSDN，故详细笔记请看我的Notion：

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结型场效应管（JFET）

电流从N沟道里面走，关键问题在于电流要多大？

第一，它可以受D和S之间的电压控制

若$U_{DS}$增大，则$i_d$也会增大

第二，它可以$U_{GS}$的变化影响

$U_{GS}$可以使得N2沟道的宽度发生变化，从而影响$i_{d}$

简单来说就是，沟道宽度容易被夹断和开启

JFET为电压控制电流的器件，$i_D$受$u_{GS}$控制

补充：三极管是$I_c$控制$I_B$，即$I_C = \beta I_B$, 即电流控制电流的元器件

此图采用的是N沟道

注意观察图像：

左图：关于$U_{DS}$, 随着$U_{DS}$的增大，电流也在不断增大，但大到一定程度时，电流会趋于恒定，如图中的恒流区。若电压继续增加，电压就会击穿JFET

右图：指转移特性，关于输入电压与输出电流之间的关系

随着$U_{GS}$的增大，$i_{D}$在不断变小，即可推断沟道在不断变窄，直到$U_{GS}$增加到某值k，使得电流为零，此点称为夹断电压$U_{GS(off)}$

注意：图中$U_{GS}$的增大指的是绝对值的增大

补充：当$U_{GS}$为0时，$i_d$ 由 $U_{DS}$ 完全负责

绝缘栅型场效应管（MOSFET）

增强型：

由于原本没有沟道，所以我们得需要构造一个沟道，即在N区和N区之间构造一个沟道。因此，我们需要用UGS（th），即开启电压，来构造沟道。注意，UGS（th）不可取0，因为当它大于0时，它才能构造沟道