电源输入保护-防反接及缓启动

本文详细介绍了电源输入的防反接设计,包括二极管和MOS管方案,并探讨了电源输入的缓启动电路,以避免启动时的冲击影响。通过MOS管的缓启动电路分析,展示了如何通过RC电路实现平滑启动,保护电源和电路。
摘要由CSDN通过智能技术生成

目录

 

1.电源的放反接设计

2.电源输入的缓启动


1.电源的放反接设计

在平常的实际电路调试中,不免会因为一些小的失误将电源的正负极接反,从而导致电路中的相关器件损坏。这样不仅浪费设计成本,而且还会是开发周期延长。所以在电路设计中添加适当的防反接电路是比较必要的。

当提到电源的防反接电路时,我们首先能够想到的一个比较简单的电路就是在电源的输入端串联一个二极管,这样能够有效的避免电源反接带来的不良后果。如图1-1所示。

图1-1

但是,对于二极管的防反接电路中,由于二极管的特性,其存在一定的压降。以压降比较低的肖特基二极管SS14来说,其在负载电流为1A时的正向压降有550mV,则二极管损失的功耗就是550mW。显然对于电子电路来说,这个损耗还是不小的。

为了降低损耗,可以考虑使用MOS管在设计防反接电路,因为MOS管在完全导通时,它的内阻比较小。如图1-2所示,是MOS管的防反接电路。

(a)                                                                              (b)

图1-2

在图1-2(a)中,R1、R2为分压电阻,D为齐纳二极管(稳压二极管),Q为N沟道MOS管。其主要工作原理为:当电源接入正确时,R1、R2串联分压,R2为Vgs两端提供正向的压降,MOS管DS两端沟道导通,为负载提供电流回路。其中D为过电压保护二极管,保护MOS管,防止MOS管Vgs电压过高对MOS管产生损坏。当MOS管完全导通时,对于一般的NMOS管来说,其Rds可以选用几 mΩ的,其在1A负载电流时的损耗大约在几mW左右。相对于二极管的550mW的功耗,使用MOS管,能够有效的降低电源输入的

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