IXYN110N120A4 IXYS品牌 IGBT 晶体管

最新推荐文章于 2024-08-25 09:57:22 发布
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IKW75N65ET7XKSA1    Infineon Technologies
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IXYN110N120A4    IXYS
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IKW75N65SS5XKSA1    Infineon Technologies
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FGH60N60SMD    onsemi / Fairchild
IXYH85N120A4    IXYS
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IKZA75N65RH5XKSA1    Infineon Technologies
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IKQ50N120CH3XKSA1    Infineon Technologies
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IKY75N120CH3XKSA1    Infineon Technologies
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FGH75T65SHDTL4    onsemi / Fairchild
FGY120T65SPD-F085    onsemi / Fairchild
IKW30N60H3    Infineon Technologies
FGH4L50T65SQD    onsemi
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IXGT10N170A    IXYS
IXBH20N300    IXYS
IXYN110N120C4    IXYS
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Chen_YYan
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专栏目录
H桥IGBT单管驱动+保护
让你爱上电路设计
04-11 3454
本文详细介绍了H桥IGBT驱动及保护机制，包括驱动电路设计、电流采集、保护策略。针对IGBT易损的问题，提出了采用峰值电流保护措施，并分析了驱动电阻R2的重要性。此外，还探讨了电流采集电路的实现，强调了快速响应以防止过流、短路对IGBT的损害。最后，讨论了完整的H桥电机驱动电路，特别是半桥驱动芯片IR2104S的工作原理及其自举电路的作用。
元器件应用中的ST推出全新系列功率MOSFET晶体管适用于设计液晶显示器
11-12
意法半导体（ST）新推出的STx7N95K3系列功率MOSFET晶体管代表了在元器件应用领域的一个重要进展，尤其适用于液晶显示器、电视机以及节能灯镇流器等高能效电源的设计。该系列产品的关键特点在于其更高的击穿电压、...
IXXK300N60B3 优势渠道晶体管渠道商 IXYS品牌 IGBT 晶体管 XPT 600V IGBT 300A
Chen_YYan的博客
06-18 116
IGP15N60T Infineon Technologies IGB30N60T Infineon Technologies IXXK300N60B3 IXYS IXXH80N65B4 IXYS STGP10NB60S STMicroelectronics STGW20NC60V STMicroelectronics STGW30V60DF STMicroelectronics STGB30H60DFB STMicroelectronics IXYN120N
IGBT 优势渠道商 MMIX4B22N300 IXYS品牌 晶体管 IGBT
Chen_YYan的博客
06-06 298
AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies FGH75T65SHD-F155 onsemi / Fairchild IXYH55N120A4 IXYS STGD20N45LZAG STMicroelectronics RGT16NS65DGTL ROHM Semiconductor STGF7NB60SL STMicroelectronics IKW30N65EL5XKSA1 Infineon Technologies IXGH4
APT45GP120BG ROHM Microchip Technology IGBT 晶体管
Chen_YYan的博客
06-23 306
工作温度范围: - 55 C to + 150 C。集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV。栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V。在25 C的连续集电极电流: 100 A。集电极最大连续电流 Ic: 100 A。封装 / 箱体: TO-247-3。集电极—射极饱和电压: 3.3 V。栅极—射极漏泄电流: 100 nA。最大工作温度: + 150 C。最小工作温度: - 55 C。集电极连续电流: 100 A。
MOS管25N120-ASEMI是什么
qyx3868的博客
10-30 1629
编辑-Z MOS管25N120广泛应用于各种电路中，MOS管的形状类似于三极管、晶闸管、三端稳压器、IGBT，所以大家有时分不清MOS管是什么，下面我以MOS管25N120为例给大家做个详细的介绍。 25N120参数描述 型号：25N120 封装：TO-247 特性：大电流MOS管 电性参数：25A 1200V 芯片材质：GPP 集电极电流(Ic)：25A 脉冲集电极电流(ICM)：75A G-E极阈值电压(VGE)：5.5V G-E极漏电流(IGES)：100na 工作温度：-
ASEMI代理艾赛斯IGBT管IXYB82N120C3H1
qyx3868的博客
11-19 523
工作结温度（TJ）：-55 to +150℃。零栅极电压漏极电流（ICES）：50uA。漏极-源极电压（VCES）：1200V。型号：IXYB82N120C3H1。输入电容（CISS）：4060pF。二极管正向电压（VSD）：2.7V。反向恢复时间（trr）：420ns。连续漏电流（IC）：82A。Vce的正热系数（sat）功耗（PC）：1040W。本体长度：26.59mm。引脚长度：21.39mm。针对低开关损耗进行了优化。总长度：47.98mm。宽度：20.29mm。脚间距：5.45mm。
MOS管25N120参数，ASEMI场效应管25N120应用
qyx3868的博客
12-18 4975
编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数是：二极管连续正向电流(IF)为25A，集电极-发射极电压(VCES)为1200V，二极管正向电压降(VFM)为2.0V，反向恢复时间(trr)为235NS。 25N120参数描述 型号：25N120 封装：TO
ASEMI场效应管25N120参数，25N120规格，25N120描述
qyx3868的博客
01-04 8124
编辑-Z 25N120详细参数： 型号：ASEMI场效应管25N120 集电极-发射极电压（VCES）：1200V 栅极-发射极电压（VGES）：±20V 集电极电流（IC）：25A 脉冲集电极电流（ICM）：75A 二极管连续正向电流（IF）：25A 二极管最大正向电流（IFM）：150A 最大功耗（PD）：125W 工作结温（TJ）：-55 to +150℃ 二极管的热阻，结到外壳（RθJC）：2.0℃/W 集电极截止电流（ICES）：3mA G-E漏电流（IGES）：±250
MOS管应用电路，ASEMI型号25N120
qyx3868的博客
12-03 2251
编辑-Z MOS管25N120最显着的特点是其良好的开关特性，因此25N120广泛应用于需要电子开关的电路中，如开关电源和电机驱动，以及照明调光。 25N120参数描述 型号：25N120 封装：TO-220 特性：高效mos管 电性参数：25A 1200V 二极管连续正向电流(IF)：25A 脉冲二极管正向电流(IFM)：150A 集电极-发射极电压(VCES)：1200V 栅极-发射极电压(VGES)：±20V 二极管正向压降(VFM)：2.0V G-E漏电流(IGES)：2
部分IGBT热模型
12-19
资源为英飞凌部分模块IGBT热模型，可用于PLECS仿真。型号包括：IGA30N60H3_IGBT.xml IGB10N60T_IGBT.xml IGB15N60T_IGBT.xml IGB20N60H3_IGBT.xml IGB30N60H3_IGBT.xml IGB30N60T_IGBT.xml IGB50N60T_IGBT.xml IGD06...
常用IGBT型号及参数
04-16
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）是一种电压控制型电力电子器件，结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的高速开关特性和BJT（双极型晶体管）的大电流处理能力。...
常用IGBT型号与参数
07-22
IGBT是一种结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极性晶体管）优点的复合型电力电子器件。它具有高输入阻抗、低导通损耗、快速开关等特点，在高压、大电流环境下表现出色。 #### 型号与封装形式 ...
vue ref和reactive区别
最新发布
灰海
08-25 730
在第二个示例中，我们使用了reactive来创建一个名为state的响应式对象，它包含name和age两个属性。在模板中，我们通过{{ state.name }}和{{ state.age }}来显示state对象的属性值。在第一个示例中，我们使用了ref来创建一个名为count的响应式引用，它是一个简单的数字类型。在模板中，我们通过{{ count }}直接显示count的值，而不需要.value前缀，因为Vue的模板语法会自动处理ref的.value访问。
前端开发攻略---在Vue3项目中修改Element-Plus主题色
nibabaoo的博客
08-22 300
在Vue3项目中修改Element-Plus主题色
vue中定义一个url文件,在vue文件中引入
weixin_65767506的博客
08-22 352
1.在src/utils文件夹下创建一个url.js。3.在其他vue文件中引入。2.url.js的内容为。4.在挂载时打印一下。打印出来就可以用了.
前端宝典十六：深入浅出8大设计模式
franktaoge的博客
08-24 1145
本文主要探讨前端开发中的各种设计模式，主要分类有： - 单例模式 - 建造者模式 - 代理模式 - 装饰器模式 - 适配器模式 - 策略模式 - 观察者模式 - 发布订阅模式 通过对他们实际开发中的使用场景的解析，深入浅出的一起更全面直观的进行学习：
NTH4L040N120SC1和SPW47N60对比
07-27
NTH4L040N120SC1和SPW47N60是两种不同厂家的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。下面是它们之间的一些对比： 1. 制造商：NTH4L040N120SC1由ON Semiconductor制造，而SPW47N60由Infineon Technologies制造。制造商的声誉和产品质量可能会对选择产生影响。 2. 功能：NTH4L040N120SC1是一款N沟道增强型功率MOSFET，额定电压为120V，额定电流为40A。SPW47N60也是一款N沟道增强型功率MOSFET，额定电压为600V，额定电流为47A。这意味着SPW47N60具有更高的额定电压和电流能力。 3. 特性：具体的特性可能会因厂家和型号而异。这些特性包括导通电阻、开关速度、输入电容、温度特性等。在选择时，需要根据具体应用需求和设计要求来评估这些特性。 4. 封装：NTH4L040N120SC1和SPW47N60可能具有不同的封装类型，如TO-247、TO-220等。封装类型对于PCB布局和散热能力有一定影响。 需要注意的是，以上只是对这两个型号的一些概括性对比，具体选择取决于你的应用需求、性能要求和可用性等因素。在选择时，建议查阅相关的技术规格和数据手册，并根据具体应用场景进行评估和比较。
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