ASEMI场效应管25N120参数,25N120规格,25N120描述

25N120是一款采用专有沟槽设计和NPT技术的1200V NPT IGBT,提供25A的集电极电流和出色的开关及传导性能。适用于谐振或软开关应用,如感应加热和微波炉。其特性包括高雪崩耐受性、易于并行操作和低反向恢复时间。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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25N120详细参数:

型号:ASEMI场效应管25N120

集电极-发射极电压(VCES):1200V

栅极-发射极电压(VGES):±20V

集电极电流(IC):25A

脉冲集电极电流(ICM):75A

二极管连续正向电流(IF):25A

二极管最大正向电流(IFM):150A

最大功耗(PD):125W

工作结温(TJ):-55 to +150℃

二极管的热阻,结到外壳(RθJC):2.0℃/W

集电极截止电流(ICES):3mA

G-E漏电流(IGES):±250nA

输入电容(Cies):3700pF

输出电容(Coes):130pF

反向传输电容(Cres):80pF

二极管正向电压(VFM):2.0V

二极管反向恢复时间(trr):235ns

二极管反向恢复电荷(Qrr):3130nC

 

25N120规格尺寸:

总长度:39.9mm

本体长度:19.9mm

引脚长度:20.0mm

宽度:15.6mm

高度:4.8mm

脚间距:5.45mm

25N120描述:

25N120使用专有的沟槽设计和先进的NPT技术,1200V NPT IGBT提供卓越的传导和开关性能、高雪崩耐用性和易于并行操作。25N120该器件非常适合谐振或软开关应用如感应加热、微波炉等。

 

 

ASEMI线性稳压电源芯片的设计通常用于将输入电压稳定并转换到所需的输出电压值上。如果该芯片设计成能够处理16伏特输入,并将其转换到特定的输出电压(例如5伏、9伏等),那么当您将其连接至16伏特的直流电源时,理论上它应该工作在稳定的输出模式下。 不过,在实际应用中,有几个关键点需要注意: 1. **负载电流**:电源芯片的工作状态受到其最大负载电流限制。这意味着尽管输入电压为16伏,若输出负载需要大量的电流,则可能导致输出电压低于预期或芯片过热。 2. **温度影响**:电源芯片在运行过程中会产生热量,尤其是在大电流或高输入电压下。这可能会影响芯片的性能和稳定性。良好的散热措施对于保持芯片正常运作至关重要。 3. **效率损失**:线性稳压电源相较于开关电源来说,通常效率较低。因此,输入电压过高可能会导致更多的能量以热能形式损失,降低整个系统的效率。 4. **保护机制**:许多电源芯片内置有过流保护、过温保护等功能,以防止损坏。如果输入电压显著高于额定范围,这些保护机制可能会启动,限制电流输出或完全切断输出。 5. **电路匹配**:正确的电路配置对电源芯片的工作非常重要。包括适当的电感、电容、滤波器以及反馈网络等,都直接影响到电源芯片的稳定性和效率。 因此,如果ASEMI线性稳压电源芯片设计为适应16伏特输入,理论上它可以稳定工作于期望的输出电压,前提是满足上述条件并且未超出其规格限制。然而,实际情况还需参考具体芯片的数据手册以及实际测试结果。为了确保安全有效操作,强烈建议查阅官方文档或联系制造商获取精确的信息和指导。
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