主存储器—动态RAM与静态RAM比较
项目 | DRAM(主存) | SRAM(缓存) |
---|---|---|
存储原理 | 电容 | 触发器 |
集成度 | 高(一个晶体管一个电熔) | 低(六个晶体管) |
芯片引脚 | 少 | 多(高速度) |
功耗 | 少(刷新用电) | 高 |
价格 | 低 | 高 |
速度 | 慢(主要有读写与充电) | 快 |
刷新 | 有 | 无 |
项目 | DRAM(主存) | SRAM(缓存) |
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存储原理 | 电容 | 触发器 |
集成度 | 高(一个晶体管一个电熔) | 低(六个晶体管) |
芯片引脚 | 少 | 多(高速度) |
功耗 | 少(刷新用电) | 高 |
价格 | 低 | 高 |
速度 | 慢(主要有读写与充电) | 快 |
刷新 | 有 | 无 |