存储器实验
一、实验目的
1) 掌握静态随机存储器RAM的工作特性。
2) 掌握静态随机存储器RAM的读写方法。
二、实验要求
1) 做好实验预习,熟悉MEMORY 6116芯片各引脚的功能和连接方式,熟悉其它实验元器件的功能特性和使用方法,看懂电路图。
2) 按照实验内容与步骤的要求,认真仔细地完成实验。
三、实验内容与步骤
1. 运行虚拟实验系统,绘制实验电路,实验电路截图如下:
图1 存储器实验电路
2. 进行电路预设置。
1) 将74LS273的置1,AR不清零;
2) =1,RAM6116未片选;
3) =1,三态门关闭。
3. 打开电源开关。
4. 存储器写操作。向01~03存储单元分别写入十六进制数据11H、12H、13H,具体操作步骤如下:(以向01号单元写入11H为例)
1) 将SW7-SW0置为00000001,
=0,打开三态门,将地址送入BUS;
2) LDAR=1,发出P2单脉冲信号,在P2的上升沿将BUS上的地址存入AR,可通过观察AR所连接的地址灯来查看地址,
=1关闭三态门;
3) =0,WE=1,6116写操作准备;
4) 将SW7-SW0置为00010001,=0,打开三态门,将数据送入BUS;
5) 发出P1单脉冲信号,在P1的上升沿将BUS上的数据00010001写入RAM的01地址;
6) =1,6116暂停工作,=1关闭三态门。
答:可以使用“工具”菜单中的“存储器芯片设置”实时查看存储芯片中的数据。
5. 存储器读操作。依次读出01~03单元中的内容,观察上述单元中的内容是否与前面写入的一致。具体操作步骤如下:(以从01号单元读出数据11H为例)
1) 将SW7-SW0置为00000001,=0,打开三态门,将地址送入BUS;
2) LDAR=1,发出P2单脉冲信号,在P2的上升沿将BUS上的地址存入AR中,可通过观察AR所连接的地址灯来查看地址,=1关闭三态门;
3) =0,WE=0,6116进行读操作,观察数据灯是否为先前写入的00010001。
4) =1,6116暂停工作。
四、实验总结
通过本实验,我们掌握了静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。基于信号时序图,了解了读写静态随机存储器的原理。并且,在未来的学习和实践中,我们希望能够进一步探索和研究RAM的更深层次的应用和优化方法。同时,我们也希望能够接触到更多的计算机组成原理方面的知识,以便更全面地理解计算机的工作机制。