半导体器件物理-MOS电容部分

最新推荐文章于 2023-07-01 15:49:21 发布
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分类专栏： 基础复习
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总是用到这些 干脆就做了个汇总 主要是半导体器件物理第五章

Cherylzzx
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常用的decap MOS电容版图介绍
m0_61544122的博客
06-12 2243
对于图a，poly没有接任何东西，pmos部分，poly gate与接VDD的active（source drain）的重叠部分形成电容，nmos部分poly gate与接VSS的active的重叠部分形成电容，所以对于一根poly来讲这是对地和对电源的两个电容的串联，然后多跟poly并联，形成更大容值的MOS电容（电阻并联阻值更低，电容并联容值更大）。再来看图b，相比前一种，可以看作是一根poly gate拆成四根并联，这种poly接VSS/VDD的容值更大。
半导体器件物理-施敏
01-06
微电子经典之作！ 译者序前言导言第1部分半导体物理第1章半导体物理学和半导体性质概要1.1引言1.2晶体结构1.3能带和能隙1.4热平衡时的载流子浓度1.5载流子输运现象1.6声子、光学和热特性1.7异质结和纳米结构1.8基本方程和实例第2部分器件的基本构件第2章p-n结二极管2.1引言2.2耗尽区2.3电流-电压特性2.4结击穿2.5瞬变特性与噪声2.6端功能2.7异质结第3章金属-半导体接触3.1引言3.2势垒的形成3.3电流输运过程3.4势垒高度的测量3.5器件结构3.6欧姆接触第4章金属-绝缘体-半导体电容4.1引言4.2理想MIS电容4.3硅MOS电容第3部分晶体管第5章双极晶体管5.1引言5.2静态特性5.3微波特性5.4相关器件结构5.5异质结双极晶体管第6章MOS场效应晶体管6.1引言6.2器件的基本特性6.3非均匀掺杂和埋沟器件6.4器件按比例缩小和短沟道效应6.5MOSFET的结构6.6电路应用6.7非挥发存储器6.8单电子晶体管第7章JFET，MESFET和MODFET器件7.1引言7.2JFET和MODFET7.3MODFET第4部分负阻器件和功率器件第8章隧道器件8.1引言8.2隧道二极管8.3相关的隧道器件8.4共振遂穿二极管第9章碰撞电离雪崩渡越时间二极管第10章转移电子器件和实空间转移器件第11章晶闸管和功率器件第5部分光学器件和传感器第12章发光二极管和半导体激光器第13章光电探测器和太阳电池第14章传感器附录A.符号表B.国际单位制C.单位词头D.希腊字母表E.物理常数F.重要半导体的特性G.Si和GaAs的特性H.SiO2和Si3N4的特性
集成电容的分析-MOS电容与平板电容
Carol0630的博客
05-01 2454
电容是一种对电荷信号进行处理的无源器件。与电阻类似,电容在数模混合电路系统中有十分广泛的应用,如运放中的频率补偿、振荡器中的线性充放电电压控制等;此外,积分电路、滤波电路、电源去耦、开关电容电路、延迟电路、启动电路、输入信号的直流隔离等电路结构,都离不开电容器件。当然,不同的应用领域,对电容的精度和线性度的要求不尽相同。在CMOS工艺中,通常采用平板电容和MOS电容两种不同的类型,此外还有与偏置电压有关的PN结非线性电容和引线寄生电容等。平板电容的线性度和一致性良好,而MOS电容的单位面积电容容量大,节省面
硬件第二节 MOS管电路工作原理及详解
热门推荐
久落凡尘的博客
06-26 1万+
STM32 CAN总线目录STM32 CAN总线目录 MOS管画法辨认 辨认D G S边 辨认N沟道还是P沟道 辨认寄生二极管方向 总结 MOS管开关条件 导通条件 多少伏导通 实例 MOS管实物辨认 辨认三个脚 万用表辨认MOS管 辨认PN 原理 辨认MOS管是好是坏 备注MOS管画法辨认辨认D G S边S级：两线相交 G级：不解释 D级：单独引线边 辨认N沟道还是P沟道箭头指向G极为N
微电子基础物理（一）
一个会写代码的烤鸭
04-04 3828
作者：毛茏玮 / Saint 掘金：https://juejin.im/user/5aa1f89b6fb9a028bb18966a 微博：https://weibo.com/5458277467/profile?topnav=1&wvr=6&is_all=1 GitHub：github.com/saint-000 MOS 结构高频 C－V 特性测试 一：测试目的： 掌握 MIS...
电子器件系列44：IGBT的内部电容
创世纪GENESIS
07-01 2510
通过以上的内容可以看到，变压器结电容相关于电压变化率过大，确实会为IGBT带来较大的影响，尤其是对共地的电路系统的影响尤其大。其危害之大是可想而知的。本文就将针对其中的一种情况，也就是变压器结电容相关于电压变化率过大，而导致的耦合电流干扰，最终使IGBT失效的情况进行分析，并帮助大家理清其中的原理。这段时间，栅极的充电过程是由CGC决定的。第二阶段：栅极电流对CGE和CGC充电，IGBT的集电极电流ICE开始增加，并达到最大负载电流IC，由于存在二极管的反向恢复电流，这个过程与MOSFET的开启有所不同。
CMOS：MOS电容
无机肥料的博客
11-03 1万+
MOS电容是晶体管的重要组成部分，与pn结相同，MOS电容也拥有两个端口 通过了解MOS电容，我们可以更好地理解MOSFET的特性 1. 物理结构 MOS电容可以分为三层 上层是金属制成的栅电极(gate) 下层是半导体制成的基极(substrate) 中间层填充了氧化物，通常为SiO2 示意图如下： 2. 能带图 与之前学的半导体的能带图不同的是，MOS电容最上层的能带为自由空间能级(free...
元器件应用中的绝缘体和电容器
12-09
与导电性相对的是，有些材料中表现出核子对轨道电子的强大的束缚，直接的效果就是对电子...在半导体结构中，MOS栅结构，被绝缘层隔开的金属层和硅基体之间和其它结构中都存在电容（参看第16章）。电容的实际效用就是
用于VLSI模拟的小尺寸MOS模型：理论与实践
01-27
本书介绍了超大规模集成电路模拟中小尺寸MOS器件模型及模型参数的提取，书中从基本半导体器件物理和pn结理论入手，顺序介绍了MOS电容理论，不同的MOSFET模型（直流模型、动态模型、热载流子效应模型等），以及工业上...
关于MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点
07-13
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况...
matlabr2012b代码-hilo:Matlab脚本，用于分析高-低MOS电容器的CV数据
05-23
matlab r2012b代码
半导体器件物理（施敏）
04-25
里边的有些公式看上去也不是很清淅，大家将就一下了，我是从别的地方下的。
电子元器件综合知识大全
07-24
2.1 电容器的含义:衡量导体储存电荷能力的物理量. 2.2 电容器的英文缩写:C (capacitor) 2.3 电容器在电路中的表示符号: C 或CN(排容) 2.4 电容器常见的单位: 毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF） ...
Mos结电容Cgd、Cgs、Cds与分布参数Ciss、Crss、Coss
姜浩鑫的博客
11-15 1万+
Ciss会增加驱动功率，高频应用时，栅极驱动信号需要对Ciss充电和放电，因而会影响开关速度，降低驱动电路的输出阻抗有利于提高输出电流，提高对Ciss的充放电速度，有利于提高开关速度。栅控器件的驱动本来只需要一个控制电压而不需要控制功率，但是下作频率比较高的时候，结电容的存在会消耗可观的驱动功率，频率越高，消耗的功率越大。Ciss会导致在高频应用时不能被真正关断，白白消耗功率，降低PD值；在实践中，为了分析问题的方便，一般并不直接用结电容参数进行分析，而是重新定义了三个变量，统称为分布电容，具体如下。
嵌入式分享合集21
whaosoft143ai的博客
07-25 790
嵌入式每天发发又来啦了 最近发现人多了一点哦 本站还是不错的一、MOS管知识MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。MOS管的种类及结构MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P
带你读懂MOS管参数「热阻、输入输出电容及开关时间」
plane1plane的博客
03-25 5603
转载--记得诚2020-07-19 16:03 我们打开一个MOS管的SPEC，会有很多电气参数，今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。 热阻，英文Thermal resistance，指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W或者是K/W。 半导体散热的三个途径，封装顶部到空气，封装底部到电路板，封装引脚到电路板。 结到空气环境的热阻用ThetaJA表示，ThetaJA= (Tj-Ta)/P 其中Tj为芯片结温，Ta为芯片环境温度，如下图所示。 ...
数字集成电路：MOS管器件章（二）
weixin_43370732的博客
07-18 2603
我们知道，RC参数是决定一个门电路的延时特性的主要因素，对于MOS管来讲，在开关模型下，电阻R基本上可以视作一个常量的导通电阻Ron，而对于电容值C，则需要建模分析不同工作区的具体值，本篇主要分析MOS管的电容值。...
mos管 rl_mos管 rl_MOS管参数表
weixin_36486395的博客
02-01 330
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数，外电路参数)di/dt---电流上升率(外电路参数)dv/dt---电压上升率(外电路参数)ID---漏极电流(直流)IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---...
MOS管学习
weixin_42725860的博客
04-03 2090
因为之前应用到MOS发现自己对MOS管的认识还不够，所以清明假期的时候自己重新学习了MOS管.接下来我给大家总结并谈一谈我对MOS管的知识总结。 MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体。 图是典型平面N沟道增强型NMOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏
mos管寄生电容什么意思
最新发布
07-27
MOS管是一种常用的半导体器件，其结构包括栅极、漏极和源极。当栅极施加电压时，可以控制漏源通道的导电性能。然而，在实际应用中，MOS管的结构和制造过程都会导致一些非理想的效应出现，其中之一就是寄生电容。 ...

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