打工做TFT的日子01

TFT----Thin Film Transistor,薄膜晶体管。是日常显示屏背后的“开关”。实验室做OLED的，目前在学TFT流片。

以J.Jang的dual gate TFT为例

双栅极（DG）a-IGZO薄膜晶体管（TFT）：

在玻璃上沉积60nm钼（Mo）层并通过湿法蚀刻作为底栅。然后通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）在350℃下沉积100nm SiN_X和150nm SiO₂，用于底部栅极绝缘层。随后20nm的a-IGZO层，湿法刻蚀，然后沉积150nm的Mo层作为源/漏电极。使用基于过氧化氢（H₂O₂）的蚀刻剂以减少在源极/漏极湿法蚀刻期间对a-IGZO层的背沟道的损坏。通过PECVD在200℃下沉积400nm SiO₂层作为顶栅绝缘层，同时作为a-IGZO有源层的钝化层。通过溅射沉积150nm Mo层并刻蚀形成顶栅。最后沉积600nm的SiO₂层作为DG a-IGZO TFT的钝化层。

#J.Jang是大牛，文献贼多。

#性能有点像双栅场效应管，可以控制放大倍数，更为灵活。

#一般情况下GI（Gate Insulator）层要用到离子刻蚀（干刻），通入CF₄气体并电离，跟SiO₂反应成SiF₄气体与碳氧化物。

#a-IGZO很敏感，容易受到顶GI工艺影响，在界面处积累OH^-离子，会使得阈值电压漂移。

#现在器件理论早就成熟，但是工艺略有欠缺。

#做工艺的很不容易的，真的。

转载于:https://www.cnblogs.com/kraken7/p/9686855.html