关于Sentaurus的日常（二）（Carrier Transport Models）

介绍各种载波传输模型及其应用

2.1 Overview

本节介绍了基于密度梯度模型的各种载流子输运模型，即漂移扩散，热力学，流体动力学和蒙特卡罗运输，以及量子输运。 这些模型根据应用的要求在不同的情况下应用。

所有Sentaurus设备命令文件都包含在完整的Sentaurus Workbench项目中，该项目专为此模块而设计。 该项目位于Applications_Library / GettingStarted / sdevice / TransportModels目录中。

要运行项目，请将其复制到驻留在环境变量$ STDB所指向的Sentaurus Workbench工作目录下的目录中。 有关此环境变量的详细信息，请参阅Sentaurus Workbench模块。

复制项目后，通过选择“项目”>“打开”或双击项目图标，在Sentaurus Workbench中将其打开。

该项目使用Sentaurus Workbench模块以及第8节中详细讨论的Sentaurus Workbench功能。在Sentaurus Workbench中运行Sentaurus设备。要查看每个单独传输模型的预处理命令文件，请突出显示相应的节点，然后选择Extensions> Compare Command Files of Selected Nodes。

基本上，在量子情况下（DD），流体动力学（HD），热力学（Thermo）和密度梯度（Quantum）模拟进行漂移扩散。此外，Section 2.4.2 Drift-Diffusion versus Hydrodynamic MOSFET Breakdown Simulation中讨论了使用漂移扩散和流体动力学传输模型演示关态MOSFET击穿模拟的示例。

最后，使用蒙特卡罗方法的FinFET器件模拟在Section 2.6 Monte Carlo Transport.中得到证明。
2.2 Drift-Diffusion Transport

漂移 - 扩散传输模型在具有指定边界条件的指定器件区域中自我一致地解决泊松和载流子连续性方程。该模型可用于任意器件模拟，如MOSFET和BJT。

对于反向条件下工作在低漏极偏置下的MOSFET，通常仅用一种载流子来求解泊松方程和连续性方程即可，例如用于NMOS器件的电子。

然而，在高漏极偏置下，诸如热SRH生成，雪崩发生和带间隧穿的发生 - 重组过程可能变得重要。因此，电子和空穴的连续性方程对于达到必要的模拟精度是必要的。

Applications_Library / GettingStarted / sdevice / TransportModels项目中的命令文件DD_des.cmd演示了用于使用漂移 - 扩散传输模型计算典型NMOSFET Id-Vgs传输特性的一组命令。

点击查看命令文件DD_des.cmd。

大多数命令文件语句已在第1.2节“命令文件”中讨论过。在本节和后面的章节中，仅解释与讨论的主题相关的一些专用关键字。

2.2.1 Physics Section

Physics{
   * DriftDiffusion  
   eQCvanDort 
   EffectiveIntrinsicDensity( OldSlotboom )     
   Mobility(
      DopingDep
      eHighFieldsaturation( GradQuasiFermi )
      hHighFieldsaturation( GradQuasiFermi )
      Enormal
   )
   Recombination(
      SRH( DopingDep TempDependence )
   )           
}

对于深亚微米MOSFET，应考虑沟道区内的载流子量子化，当电子和空穴的波动性质不能再被忽略时。在这个例子中，现象学van Dort量子校正模型被激活，其考虑了载波量化，并且计算预算稍微增加。物理部分中的eQCvanDort语句仅激活电子模型。

EffectiveIntrinsicDensity声明激活了考虑到高掺杂区域中硅带隙变窄效应的模型。该模型直接影响硅中本征载流子密度的计算。

Mobility语句定义载流子迁移率模型，其中包括由于高掺杂（DopingDep）导致的电子或空穴迁移率降低，具有高电场（eHighFieldsaturation，hHighFieldsaturation）的区域的载流子速度饱和以及半导体 - 绝缘体界面处的迁移率降低（Enormal）。高场饱和模型的驱动力被设定为GradQuasiFermi语句的准费米势的梯度。

此外，在重组声明中激活掺杂和温度依赖性SRH重组。

2.2.2 Solve Section

Solve {
   *- Build-up of initial solution:
   NewCurrentPrefix="init"
   Coupled(Iterations=100){ Poisson }
   Coupled{ Poisson Electron }
   
   *- Bias drain to target bias
   Quasistationary(
      InitialStep=0.01 Increment=1.35 
      MinStep=1e-5 MaxStep=0.2
      Goal{ Name="drain" Voltage= 1.1  }
   ){ Coupled{ Poisson Electron } }
  
   *-  gate voltage sweep
   NewCurrentPrefix=""
   Quasistationary(
      InitialStep=1e-3 Increment=1.35