反激式电源为什么上电最容易烧MOS管?

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这篇文章总结一下最近在研究的反激电源RCD吸收回路和VDS尖峰问题。这也是为什么MOS管在开机容易被电压应力击穿的原因。

下图是反激电源变压器部分的拓扑。
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在MOS开通时,VDS上电压:

在这里插入图片描述

由于Rdson比较小,MOS开通时,VDS电压也较小。此时,MOS漏极电压应力较小。

然而,MOS关断时,此时漏极会承受较大电压应力,因此会在变压器初级绕组上增加RCD吸收电路,用来吸收较大尖峰电压,防止MOS因电压应力出现雪崩击穿。

于是,在电路中经常看到这种方案。当然还有多种类型变种,如使用TVS或者稳压管,无论是哪种方案类型,本质都是吸收MOSFET关断时尖峰电压。

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尖峰产生原因主要来自变压器漏感

反激式电源是一种常用于电源电路设计中的拓扑结构,利用变压器的工作原理实现高效稳定的电压转换。在反激式电源中,MOS管是一种重要的开关元件,用于控制输入电压的开关时间和频率。 在反激式电源中,MOS管尖峰计算是指计算它在关断状态下的电压尖峰。这是非常关键的,因为如果尖峰电压过高,会导致MOS管击穿,损坏电路或降低电源的效率。 计算反激式电源MOS管尖峰电压需要考虑以下几个因素: 1. 反激式电源的输入电压(Vin):MOS管尖峰电压取决于输入电压的大小。 2. 变压器的变比(N):变压器的变比决定了输入电压和输出电压的倍数关系。 3. MOS管的导通时间(Ton):MOS管的导通时间是指MOS管从关闭到打开状态所需的时间。 4. MOS管的关断时间(Toff):MOS管的关断时间是指MOS管从打开到关闭状态所需的时间。 根据上述因素,可以使用下面的公式计算反激式电源MOS管尖峰电压: Vpeak = Vin + N * (Ton / Toff) * Vin 其中,Vpeak表示MOS管尖峰电压,Vin表示输入电压,N表示变压器的变比,Ton表示MOS管的导通时间,Toff表示MOS管的关断时间。 通过对反激式电源MOS管尖峰电压进行准确计算,可以保证电路的安全可靠性,并提高电源的效率。因此,在设计反激式电源时,需要根据具体的参数和性能要求进行相关计算和分析。
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