TPS54531DDAR 宽电压输入电路参考

Dieu_qiu

已于 2025-04-25 10:21:28 修改

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文章标签：嵌入式硬件硬件工程

于 2025-04-24 17:49:55 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/Dieu_qiu/article/details/147482348

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1.芯片预览

• 3.5V 至 28V 输入电压范围

• 可调节输出电压低至 0.8V

• 集成型 80m Ω 高侧 MOSFET 支持高达 5A 的持续输出电流

• 使用脉冲跳跃 Eco-mode 在轻负载条件下实现高效率

• 570kHz 固定开关频率

• 1 μ A 关断静态电流（典型值）

• 可调节慢启动限制浪涌电流

• 可编程 UVLO 阈值

• 过压瞬态保护

• 逐周期电流限制、频率折返和热关断保护

• 采用易于使用的耐热增强型

8 引脚 SO PowerPAD™ 集成电路封装

TPS54531 器件是一款 28V 、 5A 非同步降压转换器，集成有一个低 R DS(on) 的高侧 MOSFET 。该器件会在轻负载时自动激活脉冲跳跃 Eco-mode 功能以提升效率。此外， 1 μ A 的关断电源电流使得该器件适用于电池供电类应用。具有内部斜坡补偿的电流模式控制简化了外部补偿计算，在允许使用陶瓷输出电容器的同时减少了元件数量。一个电阻分压器对输入欠压锁定的迟滞进行编程。过压瞬态保护电路可限制启动期间和瞬态条件下的电压过冲。逐周期电流限制机制、频率折返和热关断特性可在过载条件下对器件和负载施加保护。 TPS54531 器件可采用 8 引脚 SO PowerPAD 集成电路封装，这些封装经过内部优化可改进热性能。

2.引脚预览

1、BOOT 输出一个0.1uf的启动电容被要求在BOOT和PH引脚之间。如果在电容上的电压低于最小要求，这个高集成的MOS管就会被迫关掉直到电压恢复。
2、VIN 输入这个引脚是支持3.5V到28V的输入支持电压。
3、EN 输入这个引脚是使能引脚。为了不使能，拉低到1.25V以下。浮空这个引脚去使能。推荐使用两个电阻进行欠压锁定。
4、SS 输入这个引脚是慢启动引脚。一个额外的电容连接到这个引脚来设置上升时间。
5、VSENSE 输入这个引脚是跨到误差放大器的反转结点。
6、COMP 输出这个引脚是误差放大器的输出和输入PWM比较器。这个引脚连接频率补偿元件。
7、GND — 地引脚
8、PH 输出这个PH引脚是内部高集成电源MOS的来源
9、PowerPAD — 正确的使用方法，地引脚必须连接到这个暴露的焊盘

3.经典应用

说明书上这个经典应用是输出5V的。

4.计算公式

这一步是得到输出电压的关键，我们以经典电路为模版，改变R5和R6电阻就可以计算得出我们所需要的输出电压。

其中Vref是参考电压，电压参考系统通过将温度稳定的带隙电路的输出进行缩放，产生初始精度为±2%的电压参考（温度变化时为±3.5%）。典型的电压参考设计值为0.8 V。

其中选择R5的值约为10 kΩ。略微增加或减少R5的值，可以使用标准电阻时实现更接近的输出电压匹配。R5的选型最好在标准电阻中去选型，R5千万不要选择过大或者过小，博主这里就是没有仔细的浏览说明文档，选择了较大的电阻导致宽电压出入时，输出漂移很大。

那么这里我就以Vout=12V来举例，其中Vref=0.8V，R5=10K，代入公式得出R6=714R。R6选用标准电阻就是715R。经典电路中的51.1Ω的电阻R4，作为方便的位置用于控制回路的稳定性测试，实际使用中可以不需要这个电阻。

接下来我们计算我们所需要的最小电感

其中Vout是我们要得到的输出电压，Vin是最大输入电压（芯片最大是28V）。

KIDN一般来说，这个值由设计者自行决定；然而，可以参考以下指导原则。对于使用低ESR输出电容器的设计，如陶瓷电容器，可选用高达KIND = 0.3的值。当使用高ESR输出电容器时，KIND = 0.2能获得更好的效果。

Iout是我们所需要的最大的电流，比如5A,Fsw是芯片的开关频率，TPS54531器件的内部开关频率固定为570 kHz。

那么我以Vout=12V，Vin（max）=24V，Iout=5A来计算我们所需要的电感。使用的陶瓷电容比较多，所以KIND一般取0.3，Fsw固定位570K。代入上面公式计算Lmin最小为7uH，取常用标称电感6.8uH即可，当然也可以选择8.2uH，不过价钱就上去了，电流拉不满就可以适当降低一些。