IAP_5_读取内部Flash的数据

1、内部Flash

STM32内部Flash分为三部分，主存储器，信息块，Flash接口寄存器。

内部Flash	作用
主存储器	代码、数据常量
信息块	启动程序、用户选择字节
Flash接口寄存器	控制Flash读写操作的寄存器

2、读取内部Flash

对于内部Flash，可以在通用地址空间直接寻址，即通过指针直接取地址的内容。

读取 8位，*(uv8 *)ADDR;
读取16位，*(uv16 *)ADDR；
读取32位，*(uv32 *)ADDR；

要注意地址对齐的问题，16位的话地址要是2的倍数，32位的话地址要是4的倍数，否则可能导致HardFault。

2.1、Flash等待周期

STM32的系统时钟用的是72MHz，内部Flash的速度没有那么快，为了两者速度的配合需要设置Flash的等待周期。

通过闪存访问控制寄存器来设置对应的等待周期，72MHz的话LATENCY设为010.

这个操作不需要我写，例程已经做了，在system_stm32f10x.c文件的SystemInit()函数里的SetSysClock()函数里的SetSysClockTo72()函数。（突然搞笑…）

SetSysClockTo72函数中有对Flash_ACR寄存器的LATENCY操作，将其设为010，即两个等待状态。

  /* Flash 2 wait state */
  FLASH->ACR &= (uint32_t)((uint32_t)~FLASH_ACR_LATENCY);
  FLASH->ACR |= (uint32_t)FLASH_ACR_LATENCY_2;