【stm32H7读内部flash程序】

提示：文章写完后，目录可以自动生成，如何生成可参考右边的帮助文档

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前言

STM32 cortex-M4、H7系列芯片的读写flash操作，由于我们在构建工程的时候经常需要固定存储一些数据，数据量不大的情况，我们可以存储在芯片内部的flash中。读写内部flash就适用起来。

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提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考

一、芯片内部flash

以H7芯片为例，分为两个存储区，每个区为1M，有8个用户扇区，每个扇区128K,系统flash为自举程序，不要轻易更改。写入数据时还要注意本身程序的大小，不要将数据写在运行程序的位置，否则会影响程序的正常运行。

二、驱动程序

1.扇区自动识别代码

static uint32_t STMFLASH_GetFlashSector(uint32_t Address)
{
   uint32_t sector = 0;

if ((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_0)) 
{
         sector = FLASH_SECTOR_0;
} 
else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_1)) 
{
         sector = FLASH_SECTOR_1;
   } 
else if ((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_2))
{
         sector = FLASH_SECTOR_2;
   }
else if ((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_4) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_3)) 
{
         sector = FLASH_SECTOR_3;
   }
else if ((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_5) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_4))
{
      sector = FLASH_SECTOR_4;
   } 
else if ((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_6) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_5))
{
      sector = FLASH_SECTOR_5;
   } 
else if ((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_7) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_6)) 
{
      sector = FLASH_SECTOR_6;
   } 
else { /*(Address < FLASH_END_ADDR) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_23))*/
      sector = FLASH_SECTOR_7;
   }
   return sector;
}

2.读数据

//FLASH读数据
uint32_t STMFLASH_ReadWord(uint32_t faddr)
{
	return *(uint32_t*)faddr; 
}

void STMFLASH_Read(uint32_t ReadAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToRead)   	
{
	uint32_t i;
	for(i=0;i<NumToRead;i++)
	{
		pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节.
		ReadAddr+=4;//偏移4个字节.	
	}
}

2.写数据

//FLASH写入数据
void STMFLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint32_t *pBuffer,uint32_t NumToWrite)	
{ 
	FLASH_EraseInitTypeDef FlashEraseInit;
	HAL_StatusTypeDef FlashStatus=HAL_OK;
	uint32_t SectorError=0;
	uint32_t addrx=0;
	uint32_t endaddr=0;	
	if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return;	//非法地址
    
	HAL_FLASH_Unlock();             //解锁	
	addrx=WriteAddr;				//写入的起始地址
	endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4;	//写入的结束地址
    
	if(addrx<0X1FF00000)    //第一块FLASH 1M位置
	{
		while(addrx<endaddr)		//扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除)
		{
			 if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区
			{   
				FlashEraseInit.TypeErase=FLASH_TYPEERASE_SECTORS;       //擦除类型，扇区擦除 
				FlashEraseInit.Sector=STMFLASH_GetFlashSector(addrx);   //要擦除的扇区
				FlashEraseInit.NbSectors=1;                             //一次只擦除一个扇区
				FlashEraseInit.VoltageRange=FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;      //电压范围，VCC=2.7~3.6V之间!!
				if(HAL_FLASHEx_Erase(&FlashEraseInit,&SectorError)!=HAL_OK) 
				{
					break;//发生错误了	
				}
				}else addrx+=4;
				FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME,FLASH_BANK_1);                //等待上次操作完成
		}
	}
	FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME,FLASH_BANK_1);            //等待上次操作完成
	if(FlashStatus==HAL_OK)
	{
		 while(WriteAddr<endaddr)//写数据
		 {
			if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_FLASHWORD,WriteAddr,*pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据
			{ 
				break;	//写入异常
			}
			WriteAddr+=4;
			pBuffer++;
		}  
	}
	HAL_FLASH_Lock();           //上锁
} 

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总结

提示：这里对文章进行总结：
例如：以上就是今天要讲的内容，本文仅仅简单介绍了pandas的使用，而pandas提供了大量能使我们快速便捷地处理数据的函数和方法。