everspin展示28nm单机1Gb STT-MRAM芯片

Everspin向市场展示了其28nm单机1Gb STT-MRAM芯片。everspin在磁存储器设计，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。本文主要介绍描述了图1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的产品化和优异的性能，是产品其能够在-35C至110C的工业温度范围内使用。

图1. Everspin 40nm 1.5nm DDR3 256 Mb（顶部）和1.2V DDR4 28nm 1 Gb（底部）STT-MRAM产品的俯视图。

MRAM器件主要由两个BEOL金属层之间的磁性可编程电阻器实现，如下列的图2所显示。

图2显示了1 Gb阵列中的pMTJ位以及芯片的BEOL金属化中的相邻逻辑区域的集成。

磁隧道结（MTJ）由具有高垂直磁各向异性的固定磁层，MgOx隧道势垒及自由磁层组成。施加临界电压后，自旋极化电子的电流通过MgOx隧穿势垒而将自由层的极化翻转为平行或反平行磁状态，分别显示了对读取电流的低电阻或高电阻。自由层还可以针对不同的应用进行优化。在写入的过程中，未观察到回跳或切换的异常，这可以表明从-35C到110C的工业应用温度范围，切换可靠性的窗口比较大。DIMM循环表明耐久性寿命大于2e11个循环的周期。图3则显示了温度对数据保存的影响，数据在85℃的情况下可保存10年，而在100℃下仅保存3个月。

图3.一组1Gb裸片的数据保留（DR）烘烤的失效时间与温度的关系。实线拟合表示在85°C情况下为10年的DR，在100°C情况下为3个月的DR。