VTI7064 64Mbit串行SRAM中文资料

VTI7064 64Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外围接口/四重外围接口）SRAM器件。该RAM可配置为1位输入和输出分离或4位I/O通用接口。设备本身会执行所有必要的刷新操作。

VTI7064特征
-SPI总线接口：
兼容SPI
兼容SQI
所有模式的时钟频率均为20MHz
低功耗CMOS技术：
读取电流：25mA
待机电流：典型值150uA
-无限的读写周期
-8Mx8位组织和1KB页面大小
-高可靠性
-符合RoHS
-8引脚SOIC封装
-支持的温度范围：
扩展（E）：-25°C至+85°C
工业（I）：-40°C至+85°C

引脚说明

8pin SOIC 1.5mil

接口说明
1、地址空间
所有设备都是字节可寻址的。64M设备用A[22：0]寻址。

2、页长
读和写操作始终是线性地址空间。只要满足tCEM（max。），线性连发就可以跨越页面边界。

3、驱动强度
器件以50Ω上电。

4、开机状态
器件在SPI模式下上电。开始任何操作之前，必须将CE＃设置为高。

5、命令/地址锁存真相
设备可以识别各种输入法指定的以下命令

备注：S=串行I/O，Q=四通道I/O。
133（104）表示133Mhz@1.8V和104Mhz@3.3V。
*84Mhz是允许跨页面边界访问的最大工作时钟频率。

6、命令终止
所有所有读和写都必须由CE＃从低到高完成。CK＃的上升沿是终止已激活的读/写字线并将设备设置为待机状态的触发器，否则将阻止内部刷新操作，直到设备看到读/写字线已终止，无需执行命令终止操作仅适用于读取和写入操作以及任何命令操作，例如Enter Quad模式命令和Reset命令。