分享国产SRAM厂家伟凌创芯512Kbit串行SRAM芯片EMI7512NTMI

国产SRAM厂家伟凌创芯EMI7512NTMI是一款串行静态随机存取存储器设备，存储器大小为512Kbit。它在内部组织为64K字，每个字8位。该器件采用最先进的CMOS技术设计和制造，以提供高速性能和低功耗。

EMI7512NTMI采用单片选(CSN)输入运行，并通过简单的串行SPI兼容接口（SPI：串行外设接口）访问。单个数据输入和数据输出线与时钟一起用于访问设备内的数据。该器件包括一个HOLDN引脚，允许在不取消选择器件的情况下暂停与器件的通信。暂停时，除CSN引脚外的输入转换将被忽略。该器件可在-40℃至+85℃（工业级）的温度范围内工作，并采用节省空间的8引脚TSSOP封装。

TSSOP8L封装

EMI7512NTMI主要特点
•工作温度范围：-40℃~+85℃
•电源电压范围：2.7V~3.6V
•工作电流：最大2mA@1MHz
•待机电流：最大15µA@25℃
•内存大小：512kbit
•内存组织：65536x8位
•32字节页面
•SPI兼容接口
•灵活的操作模式：
o字节模式(BYTE)
o页面模式(PAGE)
o页面开始顺序模式(PSEQ)
o虚拟芯片模式(VIRT)
•保持通信暂停引脚
•最大时钟频率：20MHz
•TSSOP8L封装