分享一款国产串行SRAM存储芯片EMI7008LSMI

EMI7008LSMI该器件是8Mb串行访问的SRAM存储芯片，内部组织为1024K字，每个8位。该器件采用先进的CMOS技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。该器件使用单芯片选择（/CS）输入进行操作，并通过与SPI兼容的简单串行接口进行访问。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问该设备内的数据。该设备包括一个/HOLD引脚，该引脚允许在不取消选择该设备的情况下暂停与该设备的通信。暂停时，除/CS引脚外的输入跳变将被忽略。该器件可在-40°C至+85°C（工业级）的温度范围内工作。

特征：
•SPI总线接口：
-兼容SPI
-SDI（双）和SQI（四）兼容
-所有模式的时钟频率均为50MHz
•低功耗CMOS技术：
-读取电流：50MHz时为22mA（典型值）
-深度睡眠模式电流：1mA（典型值）
•无限的读写周期
•1Mx8位组织
•用于读取和写入的字节和顺序模式
•支持的温度范围：
-工业（I）：-40°C至+85°C
•符合RoHS
•8引线SOP封装（2.08mil）

引脚封装

SDI模式和SQI模式操作
与兼容的主设备一起使用时，该设备还支持SDI（串行双接口）和SQI（串行四接口）操作模式。要进入SDI模式，必须输入ESDI命令（3Bh）。按照SDI操作模式的惯例，每个时钟使用SIO0和SIO1引脚输入两位。位首先以MSB时钟输入。要进入SQI模式，必须输入ESQI命令（38h）。对于SQI操作模式，每个时钟输入4位数据，或者每个时钟输入1个半字节。半字节首先由MSB提供时钟。

要退出SDI模式，必须发出RSTDQI命令（FFh）。必须在当前设备配置（SDI模式或SQI模式）中输入命令。