非易失性MRAM关键特性-MR2A16A

经过超过八年的MRAM研发，Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商业设备。该器件采用256K x 16位配置（图1），并具有异步设计，带有标准的芯片，写入和输出使能引脚。

这种设计具有系统灵活性并防止了总线争用。单独的字节使能引脚还提供了灵活的数据总线控制，其中数据可以以8位或16位的形式写入和读取。

它使用0.18微米工艺技术以及专有的MRAM工艺技术制造而成，以创建位单元。两种技术形成了五层互连。

该器件采用3.3V电源供电，对称高速读取/写入访问时间为35ns。它还提供了完全静态的操作。采用44引脚TSOP II型封装，在行业标准中心电源和接地sram引脚内配置。可以在其应用中使用相同SRAM配置的现有硬件中使用它。

该器件具有触发位单元，其中包含一个晶体管和一个磁隧道结（MTJ）。在MRAM位单元的核心处，MTJ置于两个磁性层之间，每个磁性层具有相关的极性。顶层被称为自由层，因为它具有翻转极性的自由度，而底层被称为固定层，因为它具有锁定的极性。

图2 MTJ上极性对齐会导致低电阻

通过MTJ的自由层的极性确定位是否被编程为“ 0”或“ 1”状态。两个磁性层上对齐的极性会导致通过MTJ叠层的电阻较低（上面的图2）。

另一方面，两层相反的极性会