方寸知识篇 - 集成电路制造技术（二）- 光刻

        光刻是微电子工艺中最重要的单项工艺之一。用光刻图形来确定分立器件和集成电路中的各个区域，如注入区、接触窗口和压焊区等。由光刻工艺确定的光刻胶图形并不是最后器件的构成部分，仅是图形的印模，为了制备出实际的结构图形，还必须再一次把光刻胶图形转移到光刻胶下面组成器件的材料层上。也就是使用能够对非掩蔽部分进行选择性去除的蚀刻工艺来实现图形的转移。在衬底硅片的加工过程中，三极管二极管电容电阻和金属层的各种物理器件依次在硅片表面或表层内构成。这些部件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，通过光刻工艺过程，最终在沉底上保留特征图形的部分。光刻工艺的目标就是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在衬底表面的位置正确且与其他部件的关联正确。

        光刻工艺贯穿半导体器件和集成电路制造工艺的始终，大规模集成电路的制作一般每个镜片要经过十次以上的光刻，而当今的超大规模集成电路的制作则需要几十次乃至上百次的光刻才能完成。在集成电路中，光刻的最小线条尺寸是其发展水平的标志。

         光刻系统的主要指标包括分辨率R，焦深DOF，对比度CON，特征线宽CD，对准和套刻精度，产率和价格。

         1，分辨率是指光学系统精确分区目标的能力。微图形加工的最小分辨率是指光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸或机器能充分打印出的区域。分辨率是决定光刻系统最重要的指标，能分辨的线宽越小，分辨率越高。

        2，光刻分辨率是指将硅片上两个邻近的特征图形区分开来的