本文介绍了集成电路从半导体晶体管的发明到现代纳米工艺的发展历程，包括硅晶体的使用、光刻技术、离子注入、铜互连工艺等关键技术创新。微电子工艺的进步，尤其是光刻工艺，反映了集成电路技术的显著提升。
上世纪四十年代，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，这是最早的半导体器件，随后出现了合金结晶体管，他们采用的半导体都是锗晶体。直到1954年，第一块硅晶体由美国德州仪器公司（TI）研发成功。几乎同时，贝尔研究室成功研制利用气体把杂质掺入半导体的技术。有重要意义的突破是，在硅片上热生长出了既有优良电绝缘性能又能掩蔽杂质扩散的二氧化硅层。此后不久，在相片印刷业早已广泛应用的光刻技术，以及透镜制造业中应用的薄膜蒸发技术。
1958年美国德州仪器公司和仙童半导体公司各自研制出了双极性集成电路。1962年MOS场效应管和MOS集成电路也相继诞生。1960年外延技术出现，诞生了外延晶体管。70年代初，美国研制出第一台离子注入机，使得在硅片定域掺杂更准确、更均匀，可以在更薄的表面层内实现精确掺杂，由此集成电路也向更大规模方向发展。随后等离子干法蚀刻、化学气相沉积等新工艺、新技术也不断出现。
从集成电路诞生到上世纪80年代，是以工艺技术的发展为主导来促进微电子产品、特别是集成电路的高速发展时期。进入上世纪80年代中后期，集成电路设计从微电子生产制造业中独立出来，微电子工艺也进一步完善和规范，形成了集成电路标准制造工艺。全球第一家集成电路标准加工厂（foundry）是1987年成立的台积电，其创始人张忠谋也被誉为“晶体芯片加工之父”。
上世纪90年代后，集成电路制造向高度专业化发
最低0.47元/天 解锁文章
扫一扫
1354
被折叠的 条评论
为什么被折叠?
到【灌水乐园】发言
