MOS管的一些小常识整理

关键词：炸管子，栅极驱动器，mos并联，大功率，驱动/泄流电阻，自举电路，电压隔离

MOS入门

mos开启电压及参数

普通为5V左右，低开启电压的种类有2V左右的

依据实践所需求的工作电流，接上适宜的假负载，连续工作2小时左右，假如MOS管散热片(TAB)不烫手，就根本上能够运用

MOS饱和导通电阻Rds越小越好，典型值最好小于10mQ，这个数值以从技术手册上查到。

导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。

mos导通压降

mos管参数

mos驱动详解  内有实验电压波形图

功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。

为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极（相对于器件的源极/发射极而言）。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。

功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动，而放电则会使器件关断，漏极和源极引脚上就可以阻断大电压。当栅极电容充电且器件刚好可以导通时的最小电压就是阈值电压(VTH)。为将IGBT/功率MOSFET用作开关，应在栅极和源极/发射极引脚之间施加一个充分大于VTH 的电压。

MOS管栅极电阻的作用

有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件

MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在电平切换阶段会造成大量电能损耗（处于高电流高电压时间过长）。其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，假如G信号驱动能力不够，将严峻影响波形跳变的时间。若太陡峭会击穿周围元器件，对EMI有影响

mos管栅极电阻的作用-电阻R38：

RDS(ON)是栅极驱动器最大驱动强度额定值的真正基础，因为它限制了驱动器可以提供的栅极电流。内部开关的RDS(ON) 决定灌电流和拉电流，但外部串联电阻用于降低驱动电流，因此会影响边沿速率。

RDS(ON) 也会直接影响驱动器内部的功耗。对于特定驱动电流，RDS(ON)值越低，则可以使用的REXT值越高。功耗分布在REXT和RDS(ON)上，因此REXT值越高，意味着驱动器外部的功耗越多。所以，对于给定芯片面积和尺寸的IC，为了提高系统效率并放宽驱动器内的热调节要求，RDS(ON) 值越低越好。

1：减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般0.1欧姆或者更低)时间。

2：若不加R38电阻，高压情况下便会因为mos管开关速率过快而导致周围元器件被击穿。但R38电阻过大则会导致MOS管的开关速率变慢，Rds从无穷大到Rds（on）的需要经过一段时间，高压下Rds会消耗大量的功率，而导致mos管发热异常。

mos管栅极电阻的作用-R42电阻：

1：作为泄放电阻泄放掉G-S的少量静电，防止mos管产生误动作，甚至击穿mos管（因为只要有少量的静电便会使mos管的G-S极间的等效电容产生很高的电压），起到了保护mos管的作用。

原因：场效应管的G-S极间的电阻值是很大的，这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泻放掉，他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作，甚至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉，从而起到了保护场效应管的作用

此电阻的阻值不可太大，以保证电荷的迅速释放，一般在五千欧至数十千欧左右

2：为mos管提供偏置电压

栅极驱动器的作用

栅极驱动器本质上是用最少的开关损耗将逻辑信号提高为高电流和高电压信号实现快速导通和关断MOSFET或IGBT的放大器

栅极驱动器的参数/特性：

驱动电流。虽然不是每个应用都需要强大的电流驱动（较大的瞬态电流可能产生电磁干扰（EMI）问题），较高功率的应用将需要更强的电流驱动同时驱动多个场效应晶体管（FET）。因此，高驱动电流为范围广阔的功率应用提供了灵活性。从一个状态到另一个状态的转换需要很快，以尽可能缩短切换时间。为了实现这一点，需要高瞬变电流来使栅极电容快速充电和放电。

数字电路可能会透支电流，直接用微控制器驱动较大功率MOSFET/IGBT可能会使控制器过热，进而受损。栅极驱动器具有更高驱动能力，支持快速切换，上升和下降时间只有几纳秒。这可以减少开关功率损耗，提高系统效率。

与驱动电流额定值相对应的是栅极驱动器的漏源导通电阻(RDS(ON))。理想情况下，MOSFET完全导通时的RDS(ON)值应为零，但由于其物理结构，该阻值一般在几欧姆范围内。这考虑了从漏极到源极的电流路径中的总串联电阻。

RDS(ON) 也会直接影响驱动器内部的功耗。对于特定驱动电流，RDS(ON)值越低，则可以使用的REXT值越高。功耗分布在REXT和RDS(ON)上，因此REXT值越高，意味着驱动器外部的功耗越多。所以，对于给定芯片面积和尺寸的IC，为了提高系统效率并放宽驱动器内的热调节要求，RDS(ON) 值越低越好。

开关特性。包括传播延迟、延迟匹配、以及信号的上升和下降时间。开关时间会大大地影响电源开关的速度，使控制更可预测和准确。短延迟匹配还降低了击穿风险，使设计更容易。

互锁功能。击穿保护，也称为互锁功能，在使用半桥式或全桥式电路的一些应用中非常重要。在图腾柱PFC中，两个电源开关（一个高侧FET，一个低侧FET）交替导通和关断。如果两个开关同时导通，电流会流过两个FET，可能会损坏系统。互锁功能可以防止击穿发生,将两个FET都关断，并在短时间内导通其中一个。正如德州仪器的《基于GaN FET的CCM图腾柱无桥PFC》电源设计研讨会论文中所描述，此设计使用两个硅MOSFET和两个氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)降低传导损耗。需要两个驱动器：一个半桥驱动器驱动常规硅MOSFET，另一个半桥驱动器驱动GaN晶体管。TI的600V LMG3410 GaN功率级将桥式驱动器和GaN晶体管集成到一个封装内，进一步降低了功耗，改善了EMI。为了驱动硅FET，具有互锁功能的桥式驱动器提高了设计的可靠性。

或：为避免直通，必须在系统中插入一个死区时间，从而大大降低两个开关同时导通的可能性。在死区时间间隔内，两个开关的栅极信号为低电平，因此理想情况下，开关处于关断状态。如果传播延迟偏斜较低，则所需的死区时间较短，控制变得更加可预测。偏斜越低且死区时间越短，系统运行会更平稳、更高效。

时序：

栅极驱动器时序参数对评估其性能至关重要。包括ADuM4120在内的所有栅极驱动器的一个常见时序规格（如图5所示）是驱动器的传播延迟(tD) ，其定义为输入边沿传播到输出所需的时间。如图5所示，上升传播延迟(tDHL)可以定义为输入边沿升至输入高阈值(VIH)以上到输出升至最终值10%以上的时间。类似地，下降传播延迟(tDHL)可以表述为从输入边沿降至输入低阈值VIL以下到输出降至其高电平90%以下的时间。输出转换的传播延迟对于上升沿和下降沿可能不同。

图5还显示了信号的上升和下降时间。这些边沿速率受到器件可提供的驱动电流的影响，但它们也取决于所驱动的负载

隔离式栅极驱动器解密

功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。

为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极（相对于器件的源极/发射极而言）。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。

功率MOSFET的结构使得栅极形成一个非线性电容。给栅极电容充电会使功率器件导通，并允许电流在其漏极和源极引脚之间流动，而放电则会使器件关断，漏极和源极引脚上就可以阻断大电压。当栅极电容充电且器件刚好可以导通时的最小电压就是阈值电压(VTH)。为将IGBT/功率MOSFET用作开关，应在栅极和源极/发射极引脚之间施加一个充分大于VTH 的电压。

栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时 栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。----升压自举电路

H全桥电路-自举电路

如何确定电路功率和mos管是否匹配：内有公式

mos并联：多个MOS管并联，漏极和源极的走线都需要通过多个MOS管的总电流，理论上计算，如果要达到单个MOS管的电流不偏移平均电流的10%，那么总线上的总阻抗一定要控制在所有MOS管并联后的内阻的10%以内。比如过50A的电流，由我们的RU75N08R  4颗并联, RU75N08典型是8mΩ,并联后就是2 mΩ，那么漏极或源极的走线电阻需要控制在2 mΩ*10%=0.2 mΩ以内才能保证10%的均流误差。如果PCB铜箔厚度和宽度有限，我们可以加焊铜线或通过散热片达到这个低的走线内阻。

电调mos的选择：

电路板设计为可采用 30V 至 42V 的 10 芯锂离子电池供电运行，即应用中的最大输入直流电压为 42V。
考虑到安全因素和开关尖峰，可选择额定电压为最大输入电压 1.5 倍的 MOSFET。本应用适合采用电压额
定值大于或等于 60V 的 MOSFET。
MOSFET 的电流额定值取决于峰值绕组电流。功率级必须向电机绕组提供 30 A RMS 的标称电流。开关 3 相
逆变器电桥时，要确保正弦电流注入电机绕组。因此，绕组电流的峰值 = √2 × I RMS = 42.42A。当过载 120%
时，峰值绕组电流为 51A。
为了提高散热性能，请选择 R DS_ON 非常低的 MOSFET。本参考设计中选择的是 MOSFET
CSD18540Q5B，这是一款 60V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET，R DS_ON 非常低，只有 1.8mΩ， 并且 所需
的总栅极电荷也非常低。其连续漏极电流（受封装限制）为 100A，峰值载流为 400A。