如何使用完整的光电仿真正确仿真有机叠层太阳能电池的 EQE

在选择 PV 技术时，效率和耐用性都起着至关重要的作用，特别是因为安装成本可能占总投资的很大一部分。单结太阳能电池虽然应用广泛，但其将阳光有效转化为能源的能力有限。这引起了人们对叠层太阳能电池的兴趣，它可以利用更广泛的太阳能光谱并有可能提高能源输出。 

然而，叠层电池的复杂性增加带来了挑战，例如四端子设计中的制造成本更高，或者需要匹配电流并确保双端子配置的长期稳定性。如果解决不当，这些缺点可能会抵消叠层太阳能电池的好处。 

在这篇博文中，我们将仔细研究文献中一个著名的有机串联电池，并将展示我们的仿真软件 SETFOS 如何帮助查明和解决这种串联 OPV 中的设计限制。 

单元架构 

正如 Li 等人所描述的，建模的有机叠层太阳能电池由一个以 DR3TSBDT：PC71BM 为吸收层的顶部电池和一个以 DPPEZnP-TBO：PC61BM 作为吸收层的底部电池组成。[1] 这两个子电池通过由 ZnO 和 PEDOT：PSS 组成的复合夹层连接。CuSCN 和 PFN 用作阳极和阴极位置的薄电子和空穴阻塞层。ITO 和 Al 形成电极。架构层如图 1 所示.. 

设置光电模型 

SETFOS 中的耦合光电仿真可以分为两部分：光学仿真和电气仿真。需要进行光学仿真，以了解太阳能电池可实现的最大可能吸收率和 EQE。对于光学模拟，Setfos 使用基于传递矩阵和净辐射方法的 1D 模型进行相干和非相干光传播。另一方面，组合光电仿真显示了每一层中各种损耗的影响。 

在耦合光电仿真的电气部分，求解 1D 中的连续性方程，以及耦合到静电势泊松方程的漂移-扩散电流。为了描述两个子电池之间界面处的电荷转移，我们使用了基于 Miller-Abrahams （MA） 理论的跳跃模型。该模型也在 SETFOS 中实现，并描述了无序材料中的热激活跳跃。 

要开始光电仿真，需要光学和电气仿真的输入参数。为了执行光学模拟，折射率数据 （nk） 用作材料参数。这些可以通过椭圆偏振测量获得，也可以从文献中获得，就像我们的例子一样。[2, 3]对于电气仿真，需要架构层中所有材料的 HOMO 和 LUMO 能级。通常，这些可以通过环伏安法测量的氧化电位、光学带隙或通过量子化学计算（如 TDDFT）获得。图 1 显示了架构层，包括 DR3TSBDT：PC71BM 和 DPPEZnP-TBO：PC61BM 各自的能级和波长依赖性 nk 值。[1, 2, 3] 

图 1：耦合仿真的光学和电子部分的仿真设置。  

电子仿真的其他输入参数是场依赖性的电荷载流子迁移率和复合速率。我们通过使用全局多参数优化程序来匹配 Li 等人报道的实验单结和串联器件特性来提取它们。[1] 在我们的示例中，通过比较单结和串联器件的结果来验证所有参数的准确性（图 2）。  

图 2：文中描述的单结子电池和串联电池的实验和模拟 JV 特性（左）。右侧是在 Setfos 中实现的单结架构层。  

单结和串联特性分析，重点是 EQE 仿真  

现在模型已经得到验证，我们可以识别和分析串联 OPV 中的电损耗，并将外部量子效率 （EQE） 与吸收率进行比较。  

准确确定有机串联器件的 EQE 具有挑战性，因为要探测特定的子电池，该电池必须是限制整个波长范围内电流的器件。创建此条件需要适当的 bias illumination。OPV 的另一个挑战是载流子提取效率在很大程度上取决于内置磁场，而内置磁场又会随照明而变化。为了解决这个问题，我们首先在仿真中建立了在全局短路条件下 AM1.5G 照明下发现的相同条件（Jsc).这是通过在仿真中施加额外的偏置电压来实现的。  

模型设置可以模拟流经整个太阳能电池的电流，使我们能够紧密复制实验设置。这意味着我们可以使用单色偏置光，其强度经过调整以接近 AM1.5G 照明。 与波长相关的消光系数视图（图 3）显示了最佳单色照明波长，以建立顶部和底部单元（即 470 nm 和 700 nm）的条件。换句话说，为了测量顶部单元的 EQE，我们将底部单元偏置 700 nm，反之亦然。然后，我们从弱单色探针光束感应的附加电流中获得差分形式的 EQE。  

图 3：用于确定串联配置 EQE 的偏置照明。这里显示的是单色偏光的子单元消光系数和光谱位置。  

图 4 显示了两个子电池和串联 OPV 的仿真 EQE。虚线显示仅在偏置灯下的 EQE，而实线则带有额外的电压偏置。EQE 可以与文献 [1] 中报道的同一太阳能电池的实验数据进行比较。模拟和测量的 EQE 的比较显示出良好的定性一致性。  

图 4：（左）在仅施加偏置光（虚线）和附加偏置电压（实线）的情况下，来自耦合仿真的子电池 EQE。右）测量了 Li 等人的 EQE [1]  

现在，我们可以通过比较 AM1.5G 下短路 Jsc 处的模拟电流密度与将 EQE 和 AM1.5G 磁通量在特定波长上的乘积积分获得的值来确保程序的内部一致性。   

在 AM1.5G 频谱下，很明显这种串联设备的性能受到顶部小区的限制。因此，我们考虑了从顶部子电池的 EQE 中提取的电流密度，即 AM1.5G 照明为 12.19 mA/cm²，0 V 时 700 nm 偏置光为 12.22 mA/cm²。   

这种微小的差异是由于在 700 nm 偏置光 （Vtop= 0.88 V） 与 （Vtop = 0.53 V） 下 AM1.5G 照明下反向顶电池电压较大。可以通过施加相应的正向偏置电压 （V = 0.35 V） 来校正差异，为此可以恢复精确的短路电流密度。在 700 nm 偏置光下产生的电流密度为 12.19 mA/cm²（见图 5）。  

图 5：A 显示了在仅施加偏置光（虚线）和附加偏置电压（实线）的情况下耦合仿真的子单元 EQE。 B 显示了短路条件 （V = 0V） 和光照下 AM1.5G 频谱的频带剖面和准费米能级，此时会产生 V=0.53 V 的顶电池电压。 C 显示了 700 nm 偏置光下的能级结构和准费米能级，短路条件下的顶电池电压为 V=0.88V。在 D 中，施加 V=0.35 V 的偏置电压再现了偏置光下的 AM1.5G 短路情况。 

现在，可以将 EQE 与吸收率进行比较。图 6 显示了串联 OPV 的模拟层分辨吸收率，包括复合结（黄线，耦合）和单个光学滤波子电池（白线，非耦合）。并联贡献显示为红色。顶部和底部子单元格的贡献分别用虚线和虚线表示。比较表明，非耦合仿真低估了短路条件下的电荷提取效率。 

图 6：从耦合和非耦合电子仿真中获得的层分辨吸收率和 EQE。顶部和底部子单元的贡献用虚线和虚线表示，并联贡献用红色表示。  

这是我们在串联 OPV 方面的工作总结。如果你觉得这个话题有趣，我们研发团队的Urs Aeberhard博士在他的论文中展示了进一步的分析： Aeberhard, U. et al. Analysis and Optimization of Organic Tandem Solar Cells by Full Opto-Electronic Simulation. Front. Photon. 3, 891565 (2022).   

该文件进一步指出：  

电子非理想性对串联特性的影响。  

对 JSC 和 EQE 对复合结处电荷转移速率  的影响。 

复合结处电荷载流子跳跃速率对 JV 特性的影响。  

所有模拟均使用模拟软件 SETFOS 进行。   

References:  

[1] Li, M. et al., 2017, Nature Photon. 11, 85.  

[2] Kumari, T., et al., 2017, Energy Environ. Sci., 10, 258.   

[3] Xiao, L., et al., 2017, ACS Appl. Mat. Interfaces, 9, 29917.   

www.fluxim.com