NAND Flash的同步与异步

SDR与DDR

    SDR(single data rate)，写数据使用上升沿或下降沿来触发。因为只用上升沿或下降沿，对信号的准确性要求较低。
    DDR(double data rate)，写数据时通过MCU来控制DQS信号跳边沿来触发（即上升沿和下降沿均触发），所以对信号的准确性要求较高，（同步）可以通过增加同步时钟信号来提高信号的准确性，如ONFI2.0时代的DDR就是使用了此方式。（异步）另外还可以通过差分信号来提高信号准确性，如Toggle下的DDR，ONFI3.0/4.0下的DDR也都支持DQS差分信号来进行DDR操作。

Sync和Async

    Sync模式是指Flash操作时需要一个原时钟来对锁存信号进行同步，提高信号采集的准确性。因为使用另外一个源时钟信号来进行同步，所以对Flash的品质要求较高，如果信号不稳定，很容易导致源时钟信号与锁存信号不对应，导致数据采样不准确。Sync模式的Flash一般支持Async，当品质不达标时，便采用Async模式操作。
    Async，即不需要时钟信号来进行同步，数据通过WEN/REN来锁存。未使用DDR的时候，Async的方式的操作效率是比Sync效率低。因为Sync模式有时钟同步，信号较准确，所以可以提高采样率。Async模式为了提高效率，所以必须采用某种方式提高信号准确性。这个时候采用了差分信号，大幅提升了信号的准确性，为此采用了DDR模式采样数据。

ONFI和Toggle

    NFI(Open Nand Flash Interface),由Hynix、Inter、Micron、Phison、Sony、Spansion于2006年共同创建的一个Nand Flash的接口标准，并于当年发布了ONFI1.0标准，支持SDR。ONFI2.0时增加NV-DDR，支持DDR操作，不过是使用同步时钟来控制的。ONFI3.0时，增加NV-DDR2,ONFI4.0时增加了NV-DDR3。NV-DDR2和NV-DDR3都是支持DQS差分信号而不用同步时钟的。并且ONFI接口都是同步向前兼容的。但是接口间的转换只支持如下几种：（详见ONFI Spec）

• SDR to NV-DDR
• SDR to NV-DDR2
• NV-DDR to SDR
• NV-DDR2 to SDR

ONFI 1.0制定于2006年12月，内容主要是置顶闪存的物理接口、封装、工作机制、控制指令、寄存器等规范，增加对ECC的支持，传输带宽从传统的Legacy接口的40MB/s提升到50MB/s，性能提升幅度不大，不过其主要目的还是同意闪存接口规范，减轻产品厂商的开发压力。
ONFI 2.0标准诞生于2008年2月，2.0标准将带宽速度提高到133MB/s以满足高速设备对闪存性能的需求，在该版本中，主要是通过两项技术来提高传输速度。第一项就是在DRAM领域里常用的DDR(Double Data Rate，双倍数据率)信号技术。第二项是使用源同步时钟来精确控制锁存信号，使其能够达到更高的工作频率。
ONFI 2.1标准于2009年1月发布，带宽提升到166MB/s和200MB/s（工作模式不同速度不同），8KB page数据传输延时降低，改良电源管理降低写入操作能耗，加强ECC纠错能力，新增“Small Data Move”与“Change Row Address”指令。
ONFI 2.2发表于2009年10月，增加了LUN（逻辑单元号）重置、增强页编程寄存器的清除和新的ICC测量和规范。LUN重置和页编程寄存器清除提升了拥有多个NAND闪存芯片设备的处理效率，ICC规范则简化了下游厂家的测试程序。
ONFI 2.3在2010年8月的闪存峰会上发布，在2.2标准的基础上加入了EZ-NAND协议。EZ-NAND是Error Zero NAND的简写，这一协议将NAND闪存的纠错码管理由主控芯片中转移到闪存自身，以减轻主控芯片负担。
2018年3月ONFI 3.0规范发布，接口带宽提升到400MB/s，需求的针脚数更少让PCB走线更加方便，从目前披露的资料来看，ONFI 3.0采用更短的信道、更宽的信号间距，并加入片内终止技术，使其传输带宽能够达到400MB/s。

    Toggle，是Samsung和Toshiba以DDR为基础制定的Flash接口标准，是为了对抗ONFI的标准。Toggle1.0对应DDR1,Toggle2.0对应DDR2。Toggle接口的Flash一般也支持切换到Legacy接口（即SDR，和ONFI1.0是相同的）。Toggle接口Flash一般启动时是Legacy Mode，需要设置才能进入Toggle Mode（DDR1/DDR2），同样在Toggle模式下也可以设置命令序列进入Legacy Mode（SDR)。
    除了ONFI2.0时的NV-DDR1是需要同步时钟外，其他接口下都是Async模式。所以我们常说从DDR模式切换到Async模式是不太准确的说法。应该说切换到Legacy Async、Traditinal Async或是SDR模式。

2010年6月三星与东芝开始投产符合Toggle DDR 1.0接口标准的NAND闪存，Toggle DDR NAND采用双向DQS信号控制读写操作，信号的上升与下降沿都可以进行资料的传输，能使传输速度翻倍，接口带宽为133MB/s，而且没有内置同步时钟发生器（即NAND还是异步设计），因此其功耗会比同步NAND更低。

2010年8月，最新的Toggle DDR 2.0接口标准发布，传输带宽上升到400MB/s，目前网上关于此标准的详细消息还不多，不过可以可以确定的是技术指标与ONFI 3.0是类似的。

闪存的同步与异步

    闪存的同步与异步模式，其实是在ONFI 2.0标准中新加入的特性（ToggleDDR不存在同步闪存的情况，均为异步设计，但性能仍然强悍），ONFI 2.0标准在NAND中加入了同步时钟发生器，主控可以通过发送同步指令激活闪存上的同步时钟信号，使闪存工作在同步模式 ，此时闪存的数据传输速率会大幅度提升，异步模式相当于ONFI 1.0，闪存的带宽为50MB/s，而同步模式下闪存至少也符合ONFI 2.0，闪存带宽可达到133MB/s以上。
    实际上同步与异步闪存都是同一生产线上下来的，颗粒品质的优劣才产生了这样的区别。比如英特尔29F64G08AAME1颗粒属于异步闪存，而英特尔29F32B08JCME2则支持同步/异步模式，又如镁光的29F64G08CBAAA是异步闪存，而29F64G08CBAAB颗粒支持同步/异步模式。
    开机时SSD是运行在异步模式的，只有当主控发送同步指令给闪存后，才激活闪存上的源同步时钟，然后针脚定义发生改变，激活DQS信号， 让其工作在同步模式，并将异步模式下的WE#信号变为CLK信号，RE#变为W/R信号，同步模式下DQS信号的上升沿与下级沿都能控制信号的传输，使传输速度翻倍