FD2606S半桥栅极驱动器

最新推荐文章于 2024-08-15 08:53:05 发布
最新推荐文章于 2024-08-15 08:53:05 发布
阅读量4k 收藏 8
点赞数 2
分类专栏： 嵌入式开发 文章标签： 电子元器件 IC
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/GQ_Sonofgod/article/details/106017619
版权

文章目录

1、封装SOIC8-1.27
2、应用（直流无刷电机驱动）

在这里插入图片描述在这里插入图片描述

3、datasheet

FD2606S 是高压、高速半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 内置 VCC 和 VB 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S 逻辑输入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。
在这里插入图片描述

应用

电机驱动

DC-DC转换器

DC-AC逆变器

君王的羔羊
关注
专栏目录
30V/4A 半桥驱动器 NJW4800 特性/数据下载
11-03
NJW4800是一款能提供4A 电流的通用半桥驱动器。内置的栅极驱动器能驱动高端和低端的功率MOSFET，所以能够实现高速开关动作。搭载有过电流保护、过热关机等保护功能，在异常发生时，能够输出FAULT 信号。本产品最适于微处理器、DSP等由逻辑信号来进行功率开关动作的应用。 　　产品特点 　　NJW4800是一款内置了输出用功率MOSFET和安全设计必须的过热停机电路，过电流保护电路、低电压错误防止电路的通用半桥驱动器。 　　特点1　和微处理器/DSP组合使用，更容易实现功率开关控制 　　NJW4800把一直以外接为主的功率MOSFET和保护电路内置到了IC内部，只需把微处理器/DS
MOSFET/IGBT 半桥驱动芯片IR2111 的应用研究
08-24
介绍了MOSFET/IGBT 半桥驱动芯片IR2111 的使用情况, 分析了其工作电路中外围各元器件的作用, 同时指出了在使 用过程中应注意的一些问题和现象, 并对不同公司的MOSFET/IGBT 驱动芯片作了简要介绍。
FU6812L+FD2606S 油烟机F200W控制板 altium设计硬件原理图+PCB文件.zip
06-01
FU6812L+FD2606S油烟机F200W altium设计硬件原理图+PCB文件，2层板设计，大小为120*85mm，包括完整的原理图和PCB文件，主要器件如下： Library Component Count : 32 Name Description ---------------------------------------------------------------------------------------------------- 0603 红灯 发光二极管 1N4004 Diode Bell 有源/12V/ 0905蜂鸣器 C-ECAP Electrolytic Capacitor CAP-CC Capacitor CAP-CC(SMD) Capacitor CAP1 CN4 CN CON1 Connector CON3 Connector Cap Capacitor Cap Pol1 Polarized Capacitor (Radial) D-BRIDGE2 FAN7382N High and Low Side Gate Driver FAN7842 High and Low Side Gate Driver FU6812L FUSE1-1 Header 3 CH3.96-3P-直插 Inductor Iron Magnetic-Core Inductor LL-34 LL4148 LL-34 1206开关二极管 MOSFET N(GDS) RES(SMD) RES-T RES-V Res2 贴片电阻 SMA(DO-214AC) US1M 二极管 SMAJ TVS SOT-23 SS8050 Y1 三极管 SOT-89 78L05G-AB3-R 低压差线性稳压(LDO) TRANS3 VIPER12 ZENER4
FD2606S是高压高速半桥栅极驱动器IC
深圳市泛海微电子有限公司
10-21 1099
C1：电源滤波电容，可选择 10μF，并尽可能的靠近芯片管脚。R1：栅极驱动电阻，阻值根据被驱动器件而定，推荐 33Ω~100Ω。Dbs：自举二极管，应选择高反向击穿电压（>600V）、反向恢复时间尽量短的二极管。产品特点 悬浮绝对电压+600V 电源电压范围：10V~20V 3.3V/5V输入逻辑兼容 VCC/VBS欠压保护（UVLO） 输出与输入同相 输入直通防止 内置死区时间 高低端通道匹配 符合RoHS应用电机驱动DC-DC转换器DC-AC逆变器。
如何选择合适的半桥栅极驱动芯片？KP8530X系列KP85301SGA 高耐压抗干扰能力强 半桥栅极驱动产品性能解析
最新发布
08-15 353
KP8530X系列KP85301SGA是一款 650V 耐压，集成自举二极管的半桥栅极驱动器，具有 0.3A 拉电流和 0.6A 灌电流能力，专用于驱动功率 MOSFETs 或 IGBTs。采用必易微高压器件工艺技术，具有良好的电流输出及出色的抗瞬态干扰能力。KP85301在输入逻辑引脚 -5V，开关节点 VS 瞬态 -7V 情况下可保证系统正常工作。可支持最高 50V/ns 的 dv/dt 变化。具有完善保护功能，包括：输入浮空或输入脉冲宽度不足时，输出保持低电平。
（峰绍）FD2606S SOP-8 600V 半桥栅极驱动器
2401_85254761的博客
08-01 237
FD2606S 逻辑输入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便与控制设备接口。FD2606S 是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。FD2606S 内置 VCC 和 VB 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。VCC/VBS欠压保护（UVLO）电源电压范围：10V~20V。3.3V/5V输入逻辑兼容。悬浮绝对电压+600V。
人工智能“黄金时代” 安森美深力科半桥栅极驱动器IC FAN7382MX 小芯片技术成突破口 工业智能化将无处不在
04-24 179
人工智能“黄金时代” 安森美深力科半桥栅极驱动器IC FAN7382MX 小芯片技术成突破口 工业智能化将无处不在 FAN7382MX是单片高端栅极驱动器IC,可以驱动最高在 +600V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。
如何选择合适的半桥栅极驱动芯片？KP8530X，KP85402，KP85211A满足你对半桥栅极驱动一切需求
06-21 704
半桥栅极驱动系列KP8530X，KP85402，KP85211A在功率电子领域展现出卓越的性能和可靠的品质。具备诸多显著优势。首先，半桥栅极驱动系列KP8530X，KP85402，KP85211A拥有出色的耐压性能，可承受高达数百伏的电压，确保在高压环境下稳定运行。其次，强大的电流输出能力，能够精准、高效地驱动功率器件，满足各种复杂应用场景的需求。再者，在设计上集成了关键的自举二极管，有效简化了电路结构，降低了系统复杂度和成本。
fd2606s半桥栅极驱动igbt
06-27
此外，FD2606S半桥栅极驱动IGBT还具有多种保护机制，如欠压保护、短路保护、过温保护等，可以有效保护IGBT和驱动器，延长设备寿命，降低维护成本。其小型化、易于使用和可靠性高的特点，使得它在工业自动化、新能源...
FD6288：高压高速半桥栅极驱动器，适用于三相直流无刷电机驱动
FD6288是Fortior Technologies公司推出的一款针对高压、高速电机驱动应用的集成栅极驱动器，能够处理高达+250V的工作电压。这款芯片的核心特性包括： 1. **3.3V/5V输入逻辑兼容**：这意味着FD6288可以接受3.3V或5V...
FD2503：高压高速栅极驱动器技术规格
FD2503是一款由峰岹科技推出的高性能半桥栅极驱动器，其设计目的是为了高效、安全地驱动功率半导体元件，如N型功率MOSFET和IGBT。该驱动器的核心特性包括： 1. 高电压能力：FD2503能够承受悬浮绝对电压高达650V，这...
FD6288：高压HVIC栅极驱动器，专为高性能MOSFET和IGBT设计
1. **集成能力**：FD6288集成了三个独立的半桥栅极驱动器，每个都能单独控制一个MOSFET或IGBT，提高了系统灵活性和效率。 2. **电压耐受性**：工作电压范围广泛，可以从5V到20V，支持高达+250V的悬浮绝对电压，确保...
FD6288：三相250V高压高速栅极驱动器
FD6288是一款专为高压、高速应用设计的三相栅极驱动器，它整合了三个独立的半桥驱动电路，可以高效地驱动MOSFET和IGBT功率器件。这款芯片的核心特性在于其能在+250V的悬浮绝对电压下稳定工作，这使得它适合应用于...
国半推出能驱动同步降压或半桥配置中高边和低边N-MOSFET的高压栅极驱动器
11-26
国家半导体公司(National Semiconduct，简称国半)推出能驱动同步降压或半桥配置中高边和低边N-MOSFET的高压栅极驱动器——LM5107。该器件派生自LM5100系列，能和高达100V的电源电压一起工作。 　　LM5107的输出由TTL兼容的输入阈值单独控制，并集成了高压二极管，用以向高边栅极驱动升压电容充电。强健的电平转移技术能工作在高速度而消耗低功率。该器件还提供了从控制输出逻辑到高边栅极驱动器干净的电平转换。在低边和高边两个电源轨提供了欠压锁住。 　　LM5107的峰值电流沉/源输出分别为1.4A/1.3A，具备单独的TTL兼容输入，升压电源电压高达118VDC，快速
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理.pdf
09-16
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理.pdf
多通道半桥驱动器 NSD8308
null_scl的博客
05-04 2197
NSD8308是一种多通道半桥驱动器，适用于汽车应用，包括暖通空调风门直流电机、侧视镜调节/折叠电机、通用继电器或其他LED。芯片包括8个内部可配置的PWM发生器，使用SPI控制所有输出，可将多个设备同时挂载到一路SPI总线上，通过片选分别进行通信；NSD8308提供了诊断信息，包括正常操作、POR(Power On Reset 上电复位)、VM欠压/过压、过电流、过温保护和开路负载状态。当EN输入为低或VDD低于POR阈值时，该设备具有低静态电流的睡眠模式。
汽车级全保护型六路半桥驱动器NCV7708FDWR2G 原理、参数及应用
11-20 569
NCV7708FDWR2G 是一款全保护型六路半桥驱动器，特别适用于汽车和工业运动控制应用。六个高压侧和低压侧驱动器可自由配置，也可单独控制。因此可实现高压侧、低压侧和 H 桥控制。H 桥控制提供正向、逆向、制动和高阻抗状态。驱动器通过标准 SPI 接口进行控制。
MOSFET驱动器汇总 ： 单个N-CHANNEL，半桥，全桥，3项桥
热门推荐
TSINGHUAJOKING
01-10 1万+
  ▌01 单N-沟道驱动 不同MOS驱动芯片工作电压与驱动电流： 型号 工作电压 输出峰值电流 TC4426 18V 1.5A TC4431 30V 1.5A TC4421 18V 9A TC4451 18V 12A MD1211 4.5 ~ 13V 2A LT1910 >6V 高端MOS驱动器 1. TC4426(7)(8) 数据手册： TC4427 ▲ 功能描述 2.TC4421(2) TC4421数据手册 ： 输出电流峰值：9A 工作电压
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值