2401_85254761的博客

原创 （爱协生）代理 AXS4054 SOT23-5L 600mA 线性锂电池充电管理芯片

是专门为一节锂离子电池或锂聚合物电池而设计的线性充电器，芯片集成功率晶体管，充电电流可以用外部电阻设定，最大持续充电电流可达600mA,不需要另加阻流二极管和电流检测电阻。以内，满足锂离子电池和锂聚合物电池的要求。当输入电压低于欠压锁定阈值电压或者输入电压低于电池电压时，充电器进入低功耗的睡眠模式，此时电池端消耗的电流小于 3uA。当充电电流减小到充电结束阈值时，充电周期结束。输出低电平，表示充电正在进行，充电完成后 CHRG 脚变为高阻态。时，采用恒流模式对电池充电，充电电流由 PROG。

原创 （航天民芯）代理 M3406-ADJ SOT-23-5 1.5MHz，800 mA同步降压转换器 DC-DC电源芯片

M3406是一个高性能，600 mA，1.5MHz的单片降压转换器。在退出运行时，转换器占空比增加到100%，输出电压跟踪输入电压减去高侧MOSFET的Rdson下降。M3406是一个恒定的频率，电流模式的降压转换器。M3406也可以运行在100%的占空比，为低退出操作，延长在便携式系统的电池寿命。该设备提供了两种操作模式，PWM控制和PFM模式切换控制，这允许在更广泛的负载范围内实现高效率。M3406提供在一个低轮廓（1毫米）5针，薄SOT包，并可在一个可调的版本。深圳市润泽芯电子有限公司。

原创 （航天民芯）代理 MT3608 SOT-23-6 高效的1.2MHz 2A升压转换器 DC-DC电源芯片

关于这个负压部分，我们单独画出来，如下面的仿真图，看着清晰，仿真采用了一个信号发生器来模拟MT3608的SW管脚的开关波形，在开关波形处于高电平时，电容C1通过二极管D1到GND充电，近似电容左边电压为10V（10V是函数发生器随便设的），右边0V（忽略二极管压降，仿真可以看到有二极管压降）然后开关波形处于低电平时，由于电容两端的电压不能突变，此时电容C1的左边电压为0V，而C1电容若想维持两端电压为10V的话，那么右边电压只能变为-10V，然后电容C2通过黑色路径充电，从而实现产生负压。

原创 SY8089ES5 代替 MT3520B 5.5V、2A、2MHz，同步降压转换器

在此准时期间，电流通过电感器而增加，将电流输送到输出端，并将能量存储在电感器中。SY8089ES5 是一种高效的，直流到直流的降压开关调节器，能够提供高达2A的输出电流。在2MHz的固定频率下工作，允许使用小的外部组件，如陶瓷输入和输出帽，以及小的电感器，同时仍然提供低输出波纹。在此准时期间，电流通过电感器而增加，将电流输送到输出端，并将能量存储在电感器中。该设备在从2.6V到5.5V输入电压的脉宽调制（PWM）下工作，并提供从0.6V到VIN的输出电压，使DT8088成为机载后调节应用的理想选择。

原创 （南京微盟）代理 ME4315AM6G-1 SOT-23-6 恒压恒流控制器

产品描述产品特点。

原创 （峰绍）FT8213 MOSFET 新风系统方案

ASIC：FT8213(全内置无感FOC)电压范围：2V-22V。功率范围：1W-8W。

原创 （峰绍）FT8213+FT1128 MOSFET 落地扇方案

原创 （峰绍）FU6812+FU6861 MOSFET 吸尘器方案

产品描述。

原创 （峰绍）FU6813/63 L(LQFP48)(QFN32)(LQFP52) 单片机嵌入式和可配置的三相PMSM电机控制器

双电源模式(VCC_MODE=1), VCC≥VDD5. VCC= 5～36V，VDD5=5V。模式 2：VCC_MODE=1, VCC= 5～24V, VDD5=3～5.5V。ME：集成低通滤波器(LPF)、比例积分器(PI)、BLDC 模块、FOC 模块。单电源低压模式(VCC_MODE=1). VCC=VDD5= 3～5.5V。单电源高压模式(VCC_MODE=0). VCC= 5～24V。模式 1：VCC_MODE=0, VCC= 5～24V。单电源低压模式：VCC=VDD5= 3～5.5V。

原创 （峰绍）FU6812 (LQFP48)(QFN32)(SSOP24)(LQFP) 单片机嵌入式和可配置的三相BLDC/PMSM电机控制器场定向控制器

FU6812 有不同封装形态： FU6812L2(LQFP48)、为便于描述和区分，后续如有指明具体封装形态则表示该项特性为对应封装专有，否则为。处理电机实时事务，双核协同工作实现各种高性能电机控制。，芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、高速。FU6812/61/62 区别参考。6N Predriver输出。BLDC/PMSM电机的方\。的高性能电机驱动专用。内核大部分指令周期为。系列芯片共有的特性。

原创 （峰绍）FU6812/61 (LQFP48)(QFN32)(SSOP24) 单片机嵌入式和可配置的三相PMSM电机控制器

FU6812 有不同封装形态：FU6812L(LQFP48)、FU6812N(QFN32)、FU6812S(SSOP24)、FU6861 有不同封装形态：FU6861Q(QFN56)、FU6861N(QFN40)、FU6861L(LQFP48)为便于描述和区分，后续如有指明具体封装形态则表示该项特性为对应封装专有，否则为。处理电机实时事务，双核协同工作实现各种高性能电机控制。，芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、高速。校验功能、支持程序自烧录和代码保护功能。的高性能电机驱动专用芯片，系列芯片共有的特性。

原创 （峰绍）FU6832 (LQFP48)(QFN32)(SSOP24) 单片机嵌入式和可配置的三相PMSM电机控制器

内核用于参数配置和日常事务处理，双核并行工作实现各种高性能电机控制。，芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、校验功能、支持程序自烧录和代码保护功能。等诸多硬件模块，可硬件自动完成电机。8051内核大部分指令周期为 1T。内核的高性能电机驱动专用芯片，，适用于 BLDC/PMSM。个通用带抓捕功能可编程定时器。系列是一款集成电机控制引擎。

原创 （峰绍）FU6831/11/18 QFN-48/LQFP 单片机嵌入式和可配置的三相BLDC/PMSM电机控制器场定向控制器

双电源模式(VCC_MODE=1), VCC≥VDD5. VCC= 5~36V, VDD5=5V。双电源模式(VCC_MODE=1), VCC≥VDD5. VCC= 5~36V， VDD5=5V。模式 2：VCC_MODE=1, VCC=VDD5=3~5.5V，VDRV=7~18V。模式 1：VCC_MODE=0, VCC= 5~24V，VDRV=7~18V。单电源低压模式(VCC_MODE=1). VCC=VDD5= 3~5.5V。单电源高压模式(VCC_MODE=0). VCC= 5~24V。

原创 （峰绍）FU6831/11/18 QFN-48-EP(6x6) 单片机嵌入式和可配置的三相BLDC/PMSM电机控制器

内核用于参数配置和日常事务处理，双核并行工作实现各种高性能电机控制。，芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、校验功能、支持程序自烧录和代码保护功能。等诸多硬件模块，可硬件自动完成电机。8051内核大部分指令周期为 1T。内核用于参数配置和日常事务处理。个通用带抓捕功能可编程定时器。系列是一款集成电机控制引擎。内核的电机驱动专用芯片。等功能，内置高压 LDO。

原创 （峰绍）FT6815 LQFP-48(7x7) 一款集成电机控制引擎(ME)和 8051 内核的高性能电机驱动专用芯片

内核用于参数配置和日常事务处理，双核并行工作实现各种高性能电机控制。芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、Pre-driver。：方波驱动时序控制，支持自动换相、逐波限流，支持。波形的周期及个数检测，正交编码器解码及顺逆风检。校验功能、支持程序自烧录和代码保护功能。等诸多硬件模块，可由硬件自动完成有感。、多种TIMER 等功能，内置高压。内核的高性能电机驱动专用芯片，，步进电机的方向、速度检测。个系统周期，当系统时钟为。辅助计算模块，低通滤波器。电压需要由外部电源提供。方波驱动的运算和控制。

原创 （峰绍）FU6813 LQFP-48(7x7) 单片机嵌入式和可配置的三相PMSM电机控制器

双电源模式(VCC_MODE=1), VCC≥VDD5. VCC= 5～36V，VDD5=5V。ME：集成低通滤波器(LPF)、比例积分器(PI)、BLDC 模块、FOC 模块。模式 2：VCC_MODE=1, VCC= 5～24V, VDD5=3～5.5V。单电源低压模式(VCC_MODE=1). VCC=VDD5= 3～5.5V。单电源高压模式(VCC_MODE=0). VCC= 5～24V。模式 1：VCC_MODE=0, VCC= 5～24V。单电源低压模式：VCC=VDD5= 3～5.5V。

原创 （峰绍）FU6812 QFN32/SSOP-24/LQFP-48 单片机嵌入式和可配置的三相PMSM电机控制器向控制器

为便于描述和区分，后续如有指明具体封装形态则表示该项特性为对应封装专有，否则为。处理电机实时事务，双核协同工作实现各种高性能电机控制。，芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、高速。校验功能、支持程序自烧录和代码保护功能。8051内核大部分指令周期为 1T。8051内核处理常规事务，ME。内核用于参数配置和日常事务处理。BLDC/PMSM 电机的方\。的高性能电机驱动专用芯片，系列芯片共有的特性。

原创 （峰绍）FU6811 LQFP48、QFN48 单片机嵌入式和可配置的三相BLDC电机控制器

有高速 ADC、高速乘除法器、电机专用运算加速器、CRC、SPI、I2C、UART、多种 TIMER、PWM 等功能，内置高压 LDO，适用于电机方波、SVPWM、FOC 驱动控制。FU6811 为一款基于 8051 内核的电机驱动专用芯片，大部分指令周期为 1T 或 2T，芯片内部集成。4 个通用带 CAPTURE 可编程计数器、1 个加强型高级计数器、1 个带 BLDC 电机专用计数器。高速 8051 内核，多为 1T 或 2T 指令周期。内置 1/2 VDD 或 1/2 VREF 参考输出。

原创 （峰绍）FU6572 QFN24 是一款集成电机控制引擎(ME)和 8051 内核的高性能电机驱动专用芯片

内核用于参数配置和日常事务处理，双核并行工作实现各种高性能电机控制。为便于描述和区分，后续如有指明具体型号则表示该项特性为对应型号专有，数的时间、正交编码器解码、顺逆风检测、步进电机的方向和。芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、高速 ADC。系列芯片功能的全面描述，具体功能因型号而异，请参考。方波驱动时序控制、支持自动换相、逐波限流、支持。内核的高性能电机驱动专用芯片，ME 集成了。校验功能、支持程序自烧录和代码保护功能。方波驱动的运算和控制；双电源供电：外部电源从。的占空比和周期检测。

原创 （峰绍）FU6522 LQFP-48(7x7) 一款集成电机控制引擎(ME)和 8051 内核的高性能电机驱动专用芯片

内核用于参数配置和日常事务处理，双核并行工作实现各种高性能电机控制。为便于描述和区分，后续如有指明具体型号则表示该项特性为对应型号专有，数的时间、正交编码器解码、顺逆风检测、步进电机的方向和。芯片内部集成有高速运算放大器、比较器、高速 ADC。系列芯片功能的全面描述，具体功能因型号而异，请参考。方波驱动时序控制、支持自动换相、逐波限流、支持。内核的高性能电机驱动专用芯片，ME 集成了。校验功能、支持程序自烧录和代码保护功能。系列芯片共有的特性。双电源供电：外部电源从。的占空比和周期检测。

原创 （峰绍）FU5821 TSSOP16 集成电机控制引擎(ME)和 8051内核的直流无刷单相电机驱动专用芯片

内核用于参数配置和日常事务处理，双核并行工作实现各种高性能电机控制。: 方波驱动时序控制、支持自动换相、软切换、逐波限流、支持堵转检测。空间，支持直接寻址和间接寻址访问，其中(0x20 ~ 0x2F)是中断向量地址区，用于保存各个中断子程序的起始地址。，芯片内部集成有高速比较器、Pre-driver。，支持反向输入、反向输出模式、支持单线模式。空间，直接寻址访问时，指向 SFR。控制支持自动换相、逐波限流，支持。，在间接寻址访问时，指向。数据空间分为外部数据空间。为通用寄存器空间，包含。

原创 （峰绍）FT8215 QFN24 三相内置 MOSFET 无传感器磁场定向控制器

芯片高度集成电机控制所需部件，所需外围元器件少，噪声低，电机转矩脉动小。内置 EEPROM，可配置客户电机参数、启动和调速方式。调速接口可选择 PWM、模拟输入、I2C。接口实时读取电机转速。速度控制方式可选择恒转速、恒电流和开环控制，具有电机转速指示功能，集成过流、欠压、过温、堵转等多种保护模式，睡眠电流 40uA。无传感器磁场定向控制（FOC），减小电机噪声和振动。内置 EEPROM，可配置电机参数、启动和调速方式。恒转速、恒电流或开环控制模式。调节电机转速，集成转速。可配置电机转速指示或堵转。

原创 （峰绍）FT8213 QFN28 三相、无传感器 FOC 控制直流无刷马达驱动 IC

内置 EFUSE，可配置客户电机参数、启动和调速方式。调速接口可选择 PWM、模拟输入、I2C 调节电机转速，集成转速指示功能，可通过 FG 引脚或 I2C 接口实时读取电机转速。速度控制方式可选择恒转速、恒风量、恒电流和开环控制，具有电机转速指示功能，集成过压、过流、低压、过温、堵转等多种保护模式，睡眠电流 45uA。可配置调速方式：I2C 调速、数字 PWM 调速、模拟输入调速。内置 EFUSE，可配置电机参数、启动和调速方式。4 种控制模式：恒转速、恒风量、恒电流、开环。无需 HALL 传感器。

原创 （峰绍） FT8132 QFN24/SSOP24 三相内置 PreDriver 直流无刷马达控制器

接口实时读取电机转速。速度控制方式可选择恒转速、恒电流、恒功率和电压环控制，具有电机转速指示功能，集成过流、硬件欠压、软件欠压、过压、外部过温检测、内部过温（TSD。芯片高度集成电机控制所需部件，所需外围元器件少，噪声低，电机转矩脉动小。集成过流、硬件欠压、软件欠压、软件过压、过温检测、堵转、HALL。调节电机转速，集成转速指示功能，可通过 FG。恒转速、恒电流、恒功率或电压环控制模式。可配置客户电机参数、启动和调速方式,，可配置电机参数、启动和调速方式。可配置电机转速指示或堵转。直流无刷马达驱动 IC。

原创 （峰绍）FT3216 TSSOP20 三相无传感器的BLDC电机驱动器

由于其自适应特性和广泛的电源供应范围的能力，它旨在涵盖广泛的电机特性，同时需要从用户进行最小的调优。速度指示器通过频率发生器的输出提供，产生其频率与电机的速度成正比的数字脉冲。FT3216的保护功能全面，包括锁锁保护和自动恢复、欠压、热停机、限流和过电流保护。这些可以防止控制电路和电机被损坏，特别是在应力应用和苛刻的环境下。2.绝对最大额定值（@Ta=25℃）应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。可选择的软开关SBLDC（150°）或BLDC（120°）驱动器。FG（频率发生器）和RD（旋转检测）输出。

原创 （峰绍）FT3107T TSSOP-20 三相无传感器BLDC电机控制器

它提供了几种驱动模式（BLDC，假BLDC，假正弦，窄BLDC），具有恒定/可变的铅角，用于广泛的电机特性。1.驱动模式FT3107T可以编程驱动电机的不同驱动模式，BLDC/伪BLDC/伪正弦/窄BLDC。BLDC以120度的脉冲宽度驱动，伪BLDC以增加的脉冲宽度驱动，其宽度的边缘与PWM叠加。在反弹电流较大的情况下，可以在脉冲宽度较小且可以容纳反弹电流脉冲的地方使用较窄的BLDC。闭环速度控制闭环速度控制可以通过数字输入PWM的占空比或模拟输入PWM的电压电平来控制。内置热停机保护（TSD）

原创 （峰绍）FT1215Q QFN24 三相正弦线的BLDC电机驱动器

PWM的占空比随RPI电压的增加而成比例地增加，而启动转矩随PWM的占空比的增加而成比例地增加。对于1霍尔模式，PWM的占空比和换相频率分别由RPI引脚和RSF引脚决定。PWM的占空比随RPI电压的增加而成比例增加，而换相周期随RSF电压的增加而成比例增加。由于其自适应特性和广泛的电源范围能力，它旨在涵盖广泛的电机特性，而需要从用户。速度指示器通过频率发生器的输出提供，产生其频率与电机的速度成正比的数字脉冲。FT1215的保护功能全面，包括锁锁保护和自动恢复、欠压、热停机、限流和过电流保护。

原创 （峰绍）FT1128T/Q TSSOP20 三相正弦线BLDC电机控制器

FT1128是一个三相正弦无刷直流（BLDC）电机控制器与一个内置的驱动器。它与霍尔不敏感传感器设计提供SVPWM和BLDC驱动与恒定/可变的铅角。速度指示器通过频率发生器输出提供，产生与电机速度成比例的可配置频率的数字脉冲。FT1128的保护功能是全面的，包括锁锁保护和自动恢复、欠电压、热停机和限流保护。这些可以防止控制电路和电机被损坏，特别是在应力应用和苛刻的环境下。开/闭环速度调整可以选择（direct-PWM和模拟电压控制）可选择SVPWM（正弦波）或BLDC（120°）驱动器。

原创 （峰绍）FD276AQ QFN17L-7*7 高压半桥功率模块

保护功能，防止功率管在过低的电压工作。其内置输入滤波和输入直通防止功能，防止输入噪声干扰。封装，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机以及紧凑安装的场合。管和高压半桥栅极驱动电路，主要应用于风机、风扇、水泵等小功率电机驱动。的高性能、高可靠性的高压半桥智能功率模块，内置。内置2个600V/7A快恢复功率MOS管。3.3V/5V输入逻辑兼容，正逻辑有效。VCC/VBS欠压保护（UVLO）内置高压栅极驱动电路（HVIC）电源电压范围：13.5V~20V。内置输入直通防止功能。

原创 （峰绍）FS256AQ QFN-7*7 高压半桥功率模块

保护功能，防止功率管在过低的电压工作。其内置输入滤波和输入直通防止功能，防止输入噪声干扰。封装，提供了非常紧凑的封装体，使用非常方便，尤其适合内置于电机以及紧凑安装的场合。MOS 管和高压半桥栅极驱动电路，主要应用于风机、风扇、水泵等小功率电机驱动。是一款高性能、高可靠性的高压半桥智能功率模块，内置。内置2个600V/5A快恢复功率MOS管。3.3V/5V输入逻辑兼容，正逻辑有效。VCC/VBS欠压保护（UVLO）内置高压栅极驱动电路（HVIC）电源电压范围：13.5V~20V。内置输入直通防止功能。

原创 （峰绍）FMD7N60E5 TO-252 N通道功率MOSFET

快速体二极管消除了需要外部二极管在ZVS应用程序。较低的门电荷导致更简单的驱动要求。较高的门电压阈值提供更好的抗噪声。⚫零电压开关SMPS。

原创 （峰绍）FMD5N50E5 TO-252 硅N通道功率MOSFET

FMD5N50E5是硅n通道增强VDMOSFETs，采用自对准平面技术获得，降低了传导损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路中，以实现系统的小型化和更高的效率。包装表格为TO-252，符合RoHS标准。快速体二极管消除了在ZVS应用程序中对外部二极管的需要。较高的门电压阈值提供了更好的抗噪声性。较低的门电荷导致更简单的驱动要求。

原创 （峰绍）FD6636S SOIC-28 三相半桥栅极驱动器

是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET 和。FD6636S 集成使能关断功能，同时关断六通道输出。集成过流保护功能，并指示欠压和过流故障状态，同时关断六通道输出。内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧 MOSFET。直通而产生大电流烧毁功率器件，有效保护功率器件。）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。内置输入噪声滤波功能，防止噪声干扰。输出电流+0.21A/-0.36A。3.3V/5V输入逻辑兼容。集成三个独立的半桥驱动。过流保护关断六通道输出。

原创 （峰绍）FD6288 TSSOP-20/QFN-24 三相250V栅极驱动器

FD6288 是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET 和 IGBT 设计，可在高达+250V 电压下工作。FD6288 内置 VCC/VBS 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET。FD6288 内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。VCC/VBS欠压保护（UVLO）电源电压工作范围：4.8~20V。输出电流+1.5A/-1.8A。3.3V/5V输入逻辑兼容。直通，有效保护功率器件。

原创 （峰绍）FD6288 TSSOP-20/QFN-24 三相250V栅极驱动器

FD6288 是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET 和 IGBT 设计，可在高达+250V 电压下工作。FD6288 内置 VCC/VBS 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧MOSFET。FD6288 内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。VCC/VBS欠压保护（UVLO）电源电压工作范围：5.0~20V。输出电流+1.5A/-1.8A。3.3V/5V输入逻辑兼容。直通，有效保护功率器件。

原创 （峰绍）FD6187T TSSOP-20 三相180V栅极驱动器

FD6187T 是一款集成三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片，专为高压、高速驱动MOSFET 设计。FD6187T 内置欠压（UVLO）保护功能， 防止功率管在过低的电压下工作。内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧 MOSFET。FD6187T 内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。高端输出与输入同相，低端输出与输入反相。输出电流：+0.8A/-0.8A。内置VCC欠压保护（UVLO）3.3V/5V输入逻辑兼容。直通，有效保护功率器件。电源工作电压：5~22V。悬浮绝对电压+180V。

原创 （峰绍）FD2607S SOP-8 600V 半桥栅极驱动器

FD2607S 是高压、高速半桥栅极驱动器，能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。FD2607S 内置直通防止保护和死区时间，防止功率管发生直通，有效防止半桥功率器件损坏。FD2607S 内置 VCC 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。电源电压范围：10V~20V。3.3V/5V输入逻辑兼容。VCC欠压保护（UVLO）悬浮绝对电压+600V。

原创 （峰绍）FD2606S SOP-8 600V 半桥栅极驱动器

FD2606S 逻辑输入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便与控制设备接口。FD2606S 是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。FD2606S 内置 VCC 和 VB 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。VCC/VBS欠压保护（UVLO）电源电压范围：10V~20V。3.3V/5V输入逻辑兼容。悬浮绝对电压+600V。

原创 （峰绍）FD2504S SOP-8 半桥栅极驱动器

，方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧的 MOSFET。）保护功能，防止功率管在过低的 电压下工作。是一个高电压、高速栅极驱动器，能够驱动 N。集成使能关断功能，能同时关断高低通道 HO。高侧输出与输入同相，低侧输出与输入反相。3.3V/5V/15V输入逻辑兼容。输出电流+0.29A/-0.6A。直通，有效保护功率器件。悬浮绝对电压+600V。欠压保护（UVLO）VCC/VBS内置钳位。

原创 （峰绍）FD2203S SOP-8 250V 半桥栅极驱动器

内置直通防止和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动 N。）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰。VCC/VBS欠压保护（UVLO）输出电流+1.6A/-2.3A。3.3V/5V输入逻辑兼容。MOSFET和 IGBT。悬浮绝对电压+250V。高端输出与高端输入同相。低端输出与低端输入反相。内置250ns死区时间。