NAND Flash编程方法详解及示例代码

NAND Flash是一种常见的非易失性存储器设备，广泛应用于各种电子设备中，如手机、平板电脑和闪存驱动器等。在本篇文章中，我们将详细介绍NAND Flash的编程方法，并提供相应的示例代码。

1. NAND Flash擦除操作
   在对NAND Flash进行编程之前，通常需要先执行擦除操作。擦除操作是将存储单元中的数据全部清除，以便写入新的数据。NAND Flash的擦除操作是以块（block）为单位进行的，每个块通常包含多个扇区（sector）。

以下是一个示例代码，用于执行NAND Flash擦除操作：

void nand_flash_erase_block(uint32_t block_number)
{
    // 计算擦除块的起始地址
    uint32_t block_address = block_number * NAND_BLOCK_SIZE;

    // 发送擦除命令
    nand_flash_send_command(NAND_CMD_ERASE);

    // 发送擦除块的地址
    nand_flash_send_address(block_address);

    // 等待擦除完成
    nand_flash_wait_for_ready();
}

在这个示例中，我们假设nand_flash_send_command