东芝低导通电阻N沟道MOSFET 为智能穿戴设备赋能

东芝低导通电阻N沟道MOSFET TPN6R303NC,LQ(S 为智能穿戴设备赋能

MOSFET也就是金属-氧化物半导体场效应晶体管，外形与普通晶体管差不多，但具有不同的控制特性，主要是通过充电和放电来切换或放大信号。

此次推出的用于智能穿戴的30V N沟道MOSFET——TPN6R303NC,LQ(S 小而薄的包装，小小的身材大大的容量，最高结温达150°C，能满足智能穿戴设备的应用需求。

什么是N沟道MOSFET？

在MOSFET中，沟道和栅极通过薄的SiO2层分开，形成了随栅极电压变化的电容。因此，MOSFET就像MOS电容器一样工作，通过输入栅极到源极电压进行控制，所以，MOSFET也可以用作压控电容器。MOSFET的结构类似于MOS电容器，因为该电容器中的硅基是P型的。

MOSFET分为四种类型，分别是P沟道增强型、N沟道增强型、P沟道耗尽型和N沟道耗尽型。

N沟道MOSFET包括位于源极和漏极端子中间的N沟道区，它是一个三端器件，其端子为G（栅极）、D（漏极）和S（源极）。在N沟道MOSFET晶体管中，源极和漏极是重掺杂的N+区，而主体或衬底是P型的。

其主要特性如下：

（1） 小而薄的包装

（2） 低漏源导通电阻：RDS（on）=5.2 mΩ （典型值）（VGS=10 V）

（3） 低漏电流：IDSS=10µA（最大值）（VDS=30 V）

（4） 增强模式：Vth=1.3至2.3 V（VDS=10 V，ID=0.2 mA）

功能特性分析

TPN6R303NC,LQ(S 采用新工艺制造，与具有相同最大额定值的产品相比，它在TSON-8封装中实现了业界先进的低导通电阻，在10 V栅极-源极电压条件下，典型值导通电阻为5.2 mΩ。

与其他同等额定功耗的封装产品相比，TSON-8封装产品安装面积约减小64%，有助于减小设备尺寸。